磁存储装置及磁存储装置的制造方法

By introducing dopants into the variable resistance material and controlling their distribution, the problem of non-uniformity of switching elements in magnetic storage devices is solved, thereby improving the stability and reliability of the device.

CN114203699BActive Publication Date: 2026-07-17KIOXIA CORP
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Patent Information

Authority / Receiving Office
CN · China
Patent Type
Patents(China)
Current Assignee / Owner
KIOXIA CORP
Filing Date
2021-08-30
Publication Date
2026-07-17

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Abstract

实施方式提供包括特性的不均少的开关元件的磁存储装置。一实施方式的磁存储装置包括第1导电体、硅氧化物、第2导电体及第1层叠体。硅氧化物位于第1导电体上，包含掺杂剂，包括第1导电体上的第1部分及在第1导电体上与第1部分相邻的第2部分。第2部分比第1部分高，第2部分的掺杂剂的浓度比第1部分的掺杂剂的浓度高。第2导电体位于硅氧化物的第2部分上。第1层叠体位于第2导电体上，包括第1磁性层、第2磁性层及第1磁性层与第2磁性层之间的第1绝缘层。
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