存储器模块多端口缓冲技术

By introducing multi-port buffer technology into the memory module, overlapping data transmission was achieved, solving the problem of insufficient data transmission rate of the memory module and improving system performance.

CN114902332BActive Publication Date: 2026-07-17MICRON TECHNOLOGY INC
View PDF 2 Cites 0 Cited by

Patent Information

Authority / Receiving Office
CN · China
Patent Type
Patents(China)
Current Assignee / Owner
MICRON TECHNOLOGY INC
Filing Date
2020-12-30
Publication Date
2026-07-17

Smart Images

  • Figure CN114902332B_ABST
    Figure CN114902332B_ABST
Patent Text Reader

Abstract

本公开提供用于使用多端口缓冲器以改进存储器模块的事务速率的技术。在实例中，存储器模块可包含具有外部接口的电路板、安装到所述电路板的第一存储器装置，和安装到所述电路板的第一多端口缓冲器电路。所述第一多端口缓冲器电路可包含耦合到所述外部接口的数据线的第一端口，所述第一端口被配置成在第一事务速率下操作；耦合到第一多个所述第一存储器装置的数据线的第二端口；和耦合到第二多个所述第一存储器装置的数据线的第三端口。所述第二端口和所述第三端口可被配置成在第二事务速率下操作，其中所述第二事务速率慢于所述第一事务速率。
Need to check novelty before this filing date? Find Prior Art