带隙基准电路

CN115562431BActive Publication Date: 2026-07-17SHANGHAI SAIYING MICROELECTRONICS CO LTD +1
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Patent Information

Authority / Receiving Office
CN · China
Patent Type
Patents(China)
Current Assignee / Owner
SHANGHAI SAIYING MICROELECTRONICS CO LTD
Filing Date
2022-10-17
Publication Date
2026-07-17

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Abstract

本发明涉及集成电路技术领域，提供了一种带隙基准电路，包括：带隙核心电路；基准电流产生电路，包括第一电阻，基准电流产生电路用于根据第一双极型晶体管和第二双极型晶体管的基射电压差生成基准电流，并利用基准电流在第一电阻两端产生基准压差；电流镜像电路，包括多个电流输出支路，每个电流输出支路均利用运算放大器的反馈功能在各自的第二电阻两端产生与基准压差相同的压差，以分别将基准电流镜像到第一双极型晶体管、第二双极型晶体管和第三双极型晶体管的发射极。本发明通过采用精密匹配的电流镜像电路，保证流过各支路晶体管的电流能够实现精密的比例匹配，使得带隙基准电路能够达到较好的低温漂特性。
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