过孔结构及其制备方法以及过孔结构的阻抗的调节方法

By introducing connecting vias and dielectric material filling into the via structure, the problem of poor via impedance control is solved, signal continuity and quality are improved, and signal reflection and longitudinal crosstalk are avoided.

CN115643677BActive Publication Date: 2026-07-17CHANGXIN MEMORY TECH INC
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Patent Information

Authority / Receiving Office
CN · China
Patent Type
Patents(China)
Current Assignee / Owner
CHANGXIN MEMORY TECH INC
Filing Date
2021-07-20
Publication Date
2026-07-17

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Abstract

本公开实施例公开了一种过孔结构及其制备方法以及过孔结构的阻抗的调节方法。其中，所述过孔结构包括：第一过孔、第二过孔以及第一连接通孔；所述第一连接通孔位于所述第一过孔和所述第二过孔之间，且覆盖部分所述第一过孔和部分所述第二过孔；分别位于所述第一过孔内和所述第二过孔内的第一金属层和第二金属层，且所述第一金属层与所述第二金属层分别覆盖所述第一过孔与所述第二过孔的侧壁；其中，所述第一金属层与所述第二金属层被所述第一连接通孔隔开。
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