具有环绕式外基极的晶体管

CN116031296BActive Publication Date: 2026-07-17GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD
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Patent Information

Authority / Receiving Office
CN · China
Patent Type
Patents(China)
Current Assignee / Owner
GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD
Filing Date
2022-10-19
Publication Date
2026-07-17

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Abstract

本公开涉及半导体结构，更具体地说，涉及具有环绕式外基极的晶体管和制造方法。该结构包括：衬底；集电极区，其位于衬底内；发射极区，其位于衬底上方并且包括基于硅的材料；内基极；以及外基极，其覆盖发射极区和内基极；外基极，其覆盖发射极区和内基极；以及倒“T”形间隔物，其将发射极区与外基极分隔并且将集电极区与发射极区分隔。
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