一种基于芯片电极重构的扇出型封装方法及芯片封装件
By forming a surrounding electrode structure on the chip electrode using additive manufacturing technology, the thermal stress problem in chip packaging is solved, achieving a highly efficient thermal stress buffering effect without the need for a separately designed reflective cup, and reducing production costs.
CN116387435BActive Publication Date: 2026-07-17SHENZHEN REWO MICRO SEMICON TECH CO LTD
Patent Information
- Authority / Receiving Office
- CN · China
- Patent Type
- Patents(China)
- Current Assignee / Owner
- SHENZHEN REWO MICRO SEMICON TECH CO LTD
- Filing Date
- 2022-12-30
- Publication Date
- 2026-07-17
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Abstract
本申请提供了一种基于芯片电极重构的扇出型封装方法及芯片封装件，通过增材制造方式使所述电极沿竖直方向生长至预设高度，得到电极延长柱；通过增材制造方式使所述电极延长柱远离所述电极的一端往所述电极的方向向外延伸，得到两个相对设置的电极延长面；通过增材制造方式在所述电极延长面远离所述芯片的一端制备金属柱，得到扇出电极件；其中，所述金属柱高于所述电极延长柱；对所述扇出电极件进行灌胶封装，得到芯片封装件。通过在电子芯片的电极重构过程中，在芯片周围形成了环绕的电极，可以起到反射杯的作用，同时，由于其电极上下起伏形式的扇出型封装，很好地起到了热应力缓冲的作用，解决了电子芯片工作中热应力冲击的难题。
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