一种计算填充方钴矿材料有限温度带隙的方法

CN117174206BActive Publication Date: 2026-07-17SHANGHAI UNIV
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Patent Information

Authority / Receiving Office
CN · China
Patent Type
Patents(China)
Current Assignee / Owner
SHANGHAI UNIV
Filing Date
2023-08-03
Publication Date
2026-07-17

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Abstract

本发明公开了一种计算填充方钴矿材料有限温度带隙的方法，涉及理论计算领域，首先通过对晶体原胞进行结构优化处理，然后通过微小体积变化和状态方程抛物线拟合能量‑体积关系，进一步的通过准谐近似(QHA)方法获得体积‑温度关系，确定不同温度下的平衡原胞结构，用于声子谱的计算，运用“one‑shot”方法(冻声子法)进而得到考虑晶格振动后的温度结构并计算能量，通过超胞能带反折叠方法获得有效能带，同时考虑晶格膨胀和晶格振动下的有限温度电子结构，达到预测特定温度下材料带隙的目的，该方法成本小且有较高的计算效率。
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