半导体存储装置及对于选择栅极线的编程动作方法
By applying a specific voltage state change to the gate electrode of a transistor in a semiconductor memory device, efficient programming of the gate line selection is achieved, solving the problem of insufficient integration in the prior art and improving programming efficiency.
CN117437950BActive Publication Date: 2026-07-17KIOXIA CORP
Patent Information
- Authority / Receiving Office
- CN · China
- Patent Type
- Patents(China)
- Current Assignee / Owner
- KIOXIA CORP
- Filing Date
- 2023-01-05
- Publication Date
- 2026-07-17
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Abstract
本发明提供一种能够高集成化的半导体存储装置及对于选择栅极线的编程动作方法。本发明的半导体存储装置具备位线、选择栅极线、感测放大器单元、及电压产生电路。感测放大器单元包含：感测放大器电路；第1晶体管，将位线及感测放大器电路电连接；及第2晶体管，不经由第1晶体管而将第1位线及电压产生电路电连接。在编程动作的第1期间，第1晶体管成为断开状态，第2晶体管成为接通状态，第1位线的电压成为第1电压，选择栅极线的电压成为第2电压。在编程动作的第2期间，第1晶体管成为接通状态，第2晶体管成为断开状态，第1位线的电压成为小于第1电压的第3电压，选择栅极线的电压成为大于第2电压的第4电压。
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