无损缓冲串联电路的电压控制以及策略分析方法
CN117762040BActive Publication Date: 2026-07-17HEFEI INSTITUTE OF PHYSICAL SCIENCE CHINESE ACADEMY OF SCIENCES
Patent Information
- Authority / Receiving Office
- CN · China
- Patent Type
- Patents(China)
- Current Assignee / Owner
- HEFEI INSTITUTE OF PHYSICAL SCIENCE CHINESE ACADEMY OF SCIENCES
- Filing Date
- 2023-12-25
- Publication Date
- 2026-07-17
AI Technical Summary
Technical Problem
单个可控半导体无法满足高压大功率要求，多个可控半导体串联是提高耐压及容量的最有效的办法
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Abstract
本发明属于等离子控制技术领域，公开了无损缓冲串联电路的电压控制以及策略分析方法。其技术方案包括以下方法步骤：包括有以下方法步骤：步骤一、本地控制器根据电容两端电压Vc与母线电压Vo之间的差异，对IGBTdrive signal进行对应的延时后再触发开关S1导通；步骤二、通过simplorer建立本地控制器模型；步骤三、通过simplorer建立4个IGBT串联的五一、对S3中的4个IGBT串联的自均衡控制模型进行仿真测试。本发明可通过实时调节可控半导体开关关断延时或超前而实现动态均压的控制策略，并具有较高的运行频率。根据延时控制策略采用分离原件设计本地控制器，降低串联控制算法的复杂性。
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