一种锂枝晶生长刺穿隔膜的模拟方法及系统
CN120145768BActive Publication Date: 2026-07-17SOUTHEAST UNIV
Patent Information
- Authority / Receiving Office
- CN · China
- Patent Type
- Patents(China)
- Current Assignee / Owner
- SOUTHEAST UNIV
- Filing Date
- 2025-03-19
- Publication Date
- 2026-07-17
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Abstract
本发明公开一种锂枝晶生长刺穿隔膜的模拟方法及系统,属于电池技术领域;方法包括:使用四重结构生成集方法重建电池隔膜多孔介质的几何模型;根据自由能变化规律和反应动力学推导得到锂枝晶生长过程中的阶次参数随时间和空间变化的非线性模型;通过非线性模型计算电池内部短路电流和热量,搭建短路模型和热量模型;通过短路模型和热量模型来搭建融化模型;将几何模型、非线性模型、短路模型、热量模型和融化模型输入到有限元仿真软件进行计算,将计算过程及计算区域相场变量值的变化情况输出为图像,得到锂枝晶从生长到刺穿隔膜的全过程,量化了锂离子电池中锂枝晶穿透引发短路的电‑热相互作用,为理解电池内部短路机制提供了新的见解。
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