半导体器件及其制备方法

By simultaneously forming filling material layers in different types of trenches of semiconductor devices and adjusting the filling degree, the loading effect problem in embedded germanium-silicon processes is solved, and the performance of the devices is improved.

CN121038307BActive Publication Date: 2026-07-17GTA SEMICON CO LTD
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Patent Information

Authority / Receiving Office
CN · China
Patent Type
Patents(China)
Current Assignee / Owner
GTA SEMICON CO LTD
Filing Date
2025-08-26
Publication Date
2026-07-17

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Abstract

本发明提供一种半导体器件及其制备方法，该方法包括：提供衬底；蚀刻衬底以在衬底中形成尺寸不同的第一类型沟槽和第二类型沟槽；同步填充第一类型沟槽和第二类型沟槽，以分别在第一类型沟槽和第二类型沟槽中形成填充材料层，基于第一类型沟槽与第二类型沟槽的尺寸不同，第一类型沟槽与第二类型沟槽中的填充度不同；在第一类型沟槽与第二类型沟槽中的填充材料层上同步形成填充调整层；回刻蚀填充调整层，以调节第一类型沟槽与第二类型沟槽的填充度。通过在不同类型的沟槽中同步形成填充材料层之后，在填充材料层上形成填充调整层，并回刻蚀该填充调整层，以使不同类型的沟槽中的填充度均一，避免产生负载效应（loading），提高了半导体器件性能。
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