半球壳体制造方法以及半球谐振陀螺仪

CN122083995BActive Publication Date: 2026-07-17YUNJI XINGGUANG (ZHUHAI) MICROELECTRONICS CO LTD +1
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Patent Information

Authority / Receiving Office
CN · China
Patent Type
Patents(China)
Current Assignee / Owner
YUNJI XINGGUANG (ZHUHAI) MICROELECTRONICS CO LTD
Filing Date
2026-04-24
Publication Date
2026-07-17

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Abstract

本申请提供了一种半球壳体制造方法以及半球谐振陀螺仪，涉及微机电系统与惯性器件制造技术领域。该方法包括：在SOI硅片的上表面形成圆环形凹槽，形成覆盖圆环形凹槽的二氧化硅保护层；利用玻璃基片封闭圆环形凹槽形成密封腔，刻蚀玻璃基片的第一区域形成分离槽，第一区域环绕密封腔；加热玻璃形成半球壳体。本申请实施例能够实现半球壳体的晶圆级制造，缩短加工环节和加工时间，有效降低制造成本和提高批量一致性，便于实现规模化应用。
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