功率半导体器件
CN224521482UActive Publication Date: 2026-07-17ZHUZHOU CRRC TIMES SEMICON CO LTD
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Patent Information
- Authority / Receiving Office
- CN · China
- Patent Type
- Utility models(China)
- Current Assignee / Owner
- ZHUZHOU CRRC TIMES SEMICON CO LTD
- Filing Date
- 2025-08-01
- Publication Date
- 2026-07-17
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Abstract
本实用新型涉及半导体技术领域，公开一种功率半导体器件。功率半导体器件，包括：漂移层；位于漂移层上的栅电阻层；位于栅电阻层背离漂移层一侧的绝缘介质层，绝缘介质层中具有第一通孔和位于第一通孔周围至少两个间隔设置的第二通孔；栅极焊盘，位于绝缘介质层背离漂移层的一侧表面，且栅极焊盘还填充至第一通孔中与栅电阻层电连接；多个栅极走线，位于绝缘介质层背离漂移层的一侧表面，且每个栅极走线分别填充至第二通孔中与栅电阻层电连接，多个栅极走线之间间隔设置，且栅极走线与栅极焊盘间隔设置。能够使得功率半导体器件的导通电阻降低。
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