半導体発光素子用ウエハと半導体発光素子の評価方法および半導体発光素子の製造方法

JP2026119462APending Publication Date: 2026-07-17MITSUBISHI ELECTRIC CORP
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Patent Information

Authority / Receiving Office
JP · JP
Patent Type
Applications
Current Assignee / Owner
MITSUBISHI ELECTRIC CORP
Filing Date
2025-01-07
Publication Date
2026-07-17

AI Technical Summary

Benefits of technology

【0009】 本開示の半導体光発光素子用ウエハ、半導体光発光素子の評価方法、および半導体発光素子の製造方法によれば、PR法を用いて非破壊で亜鉛の拡散状態を評価するので、亜鉛の拡散状態が最適で、信頼性の高い半導体発光素子を得ることができる。

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Abstract

信頼性の高い半導体発光素子を得ることを目的とする。【解決手段】n型GaAs基板10に活性層13を含むエピタキシャル層が厚み方向に形成され、厚み方向に垂直な方向での中央部に位置し、半導体発光素子のチップがマトリクス状に配置されたチップ領域1c、およびチップ領域1cの外側に位置し、半導体発光素子の性能を確認するための評価用パターンが配置されたTEG領域Rt、を備え、評価用パターンとして、活性層13よりもバンドギャップの狭い材料で形成され、エピタキシャル層を覆う金属層31の第一の開口から亜鉛の熱拡散領域Rzが露出するタイプAのパターンが形成されている。
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