ウェハ分断方法
JP2026119519APending Publication Date: 2026-07-17SANSHA ELECTRIC MFG
Patent Information
- Authority / Receiving Office
- JP · JP
- Patent Type
- Applications
- Current Assignee / Owner
- SANSHA ELECTRIC MFG
- Filing Date
- 2025-01-07
- Publication Date
- 2026-07-17
AI Technical Summary
Benefits of technology
【0007】 本発明は、チップ領域が格子状の分断溝によってマトリクス状に区画されたウェハにおいて良好な分断面を得ることができるという効果を奏する。
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Figure 2026119519000001_ABST
Abstract
チップ領域がマトリクス状に形成されたウェハにおいて良好な分断面を得る。【解決手段】ウェハ分断方法が、立方晶系の結晶構造を有する半導体から成るウェハの少なくとも一方の主面に、前記結晶構造の第1非劈開面に沿って延伸するように第1分断溝を形成する工程S1と、前記第1分断溝の内周面に非晶質の絶縁層を形成する工程S2と、前記ウェハの他方の主面における前記第1分断溝の両側に位置する部分を支持する工程S3と、切断刃の刃先部を前記第1分断溝に相対的に押し付け、それによって、前記ウェハを割るように分断する工程S4と、を含む。
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