量子デバイス及び量子デバイスの製造方法

JP2026119524APending Publication Date: 2026-07-17FUJITSU LTD

Patent Information

Authority / Receiving Office
JP · JP
Patent Type
Applications
Current Assignee / Owner
FUJITSU LTD
Filing Date
2025-01-07
Publication Date
2026-07-17

AI Technical Summary

Benefits of technology

【0008】 1つの側面として、電気的な接続不良の発生を抑制することができる。

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Abstract

電気的な接続不良の発生を抑制する量子デバイスを提供する。【解決手段】量子デバイス100は、上面12と下面13を有する基板11と、上面12に設けられた量子ビット15と、量子ビット15に電気的に接続されて下面13に設けられた電極18と、を含む量子チップ10と、量子チップ10の周縁部が載置される載置面32を有し、基板11と異なる線膨張係数を有する載置部30と、先端が電極18に接触した導体ピン40と、載置部30に固定され、導体ピン40を保持し、基板11と異なる線膨張係数を有する保持部50と、を備え、電極18は平面視において基板11の中心から放射状に延びた方向に長手方向を有する形状であり、量子チップ10は、載置面32に設けられた突起31が、基板11に設けられ、平面視において前記放射状に延びた方向に長手方向を有する穴19に挿入されることで、載置面32に載置される。
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