接合型ウェーハ及びその製造方法
JP2026119525APending Publication Date: 2026-07-17SHIN ETSU HANDOTAI CO LTD
Patent Information
- Authority / Receiving Office
- JP · JP
- Patent Type
- Applications
- Current Assignee / Owner
- SHIN ETSU HANDOTAI CO LTD
- Filing Date
- 2025-01-07
- Publication Date
- 2026-07-17
AI Technical Summary
Benefits of technology
【0043】 以上のように、本発明の接合型ウェーハであれば、出発基板上に設けられた複数の化合物半導体層と樹脂層との間に剥離防止層を有するので、樹脂層がガラス転移点以上の温度プロセスに晒されて流動性をもったとしても、剥離防止層で堰き止めることで樹脂層が紫外光及び可視光透過性基板との接合界面から化合物半導体層側に移動して減少することを防ぎ、紫外光及び可視光透過性基板との接合が維持されるので、その結果エピ層剥離(複数の化合物半導体層が紫外光及び可視光透過性基板から剥離すること)を抑止することができる。
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Figure 2026119525000001_ABST
Abstract
接合用の樹脂層を介してエピ層(出発基板上に設けられた複数の化合物半導体層)と紫外光及び可視光透過性基板とを接合した接合型ウェーハにおいて、樹脂層がガラス転移点以上の温度プロセスに晒されても、樹脂層が接合界面から移動して減少することを防ぎ、その結果エピ層剥離(複数の化合物半導体層が紫外光及び可視光透過性基板から剥離すること)を抑止することができる接合型ウェーハ及びその製造方法を提供する。【解決手段】出発基板上に設けられた複数の化合物半導体層と、前記複数の化合物半導体層上に設けられた剥離防止層と、前記剥離防止層上に設けられた樹脂層と、前記樹脂層を介して接合された紫外光及び可視光透過性基板と、を有するものであることを特徴とする接合型ウェーハ。
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