圧接型半導体装置

JP2026119547APending Publication Date: 2026-07-17KK TOSHIBA +1
View PDF 1 Cites 0 Cited by

Patent Information

Authority / Receiving Office
JP · JP
Patent Type
Applications
Current Assignee / Owner
KK TOSHIBA
Filing Date
2025-01-07
Publication Date
2026-07-17

Smart Images

  • Figure 2026119547000001_ABST
    Figure 2026119547000001_ABST
Patent Text Reader

Abstract

圧接型半導体装置におけるTFT耐量の確保と低コスト化を両立する。【解決手段】圧接型半導体装置は、半導体部と、電極部と、を有する半導体素子と、前記半導体素子の上側に配置される第1金属板と、前記半導体素子の下側に配置される第2金属板と、前記第1金属板と、前記半導体素子と、の間に、前記第1金属板に接するように配置され、前記電極部よりも硬度が高い第1金属層と、を備える。
Need to check novelty before this filing date? Find Prior Art