センサ
JP2026119691APending Publication Date: 2026-07-17NATIONAL INSTITUTE OF ADVANCED INDUSTRIAL SCIENCE & TECHNOLOGY
Patent Information
- Authority / Receiving Office
- JP · JP
- Patent Type
- Applications
- Current Assignee / Owner
- NATIONAL INSTITUTE OF ADVANCED INDUSTRIAL SCIENCE & TECHNOLOGY
- Filing Date
- 2025-01-07
- Publication Date
- 2026-07-17
AI Technical Summary
Benefits of technology
【0012】 本発明によれば、小型化及び薄型化を実現できるセンサを提供することができる。
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Figure 2026119691000001_ABST
Abstract
小型化及び薄型化を実現できるセンサを提供する。【解決手段】センサ1は、支持基板10と、支持基板10に形成され、電磁界に応じた信号を出力する検出素子20と、検出素子20との間に所定の空間SPを保持するように支持基板10に形成された弾性層50と、所定の空間SPに満たされた液体磁性層40と、を備える。センサ1は、外力により弾性層50が変形すると、弾性層50の変形に応じて液体磁性層40が変形し、液体磁性層40の変形に応じて電磁界が変化し、検出素子20は電磁界の変化に応じた信号を出力する。
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