スルホン酸変性コロイダルシリカ

JP2026119729APending Publication Date: 2026-07-17FUSO CHEM
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Patent Information

Authority / Receiving Office
JP · JP
Patent Type
Applications
Current Assignee / Owner
FUSO CHEM
Filing Date
2025-06-11
Publication Date
2026-07-17

AI Technical Summary

Benefits of technology

【0014】 本発明によれば、シリコン窒化膜を設けた半導体ウェハーを研磨処理するために使用した場合においても、平坦性の高い研磨面を高速度で形成可能なスルホン酸変性コロイダルシリカを提供することができる。

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Abstract

シリコン窒化膜を設けた半導体ウェハーを研磨処理するために使用した場合においても、平坦性の高い研磨面を高速度で形成可能なスルホン酸変性コロイダルシリカを提供する。【解決手段】スルホン酸変性コロイダルシリカであって、シリカ粒子の硫黄含有量がシリカ粒子1gあたり700質量ppm以上3000質量ppm未満であり、溶媒中の硫黄含有量が溶媒1gあたり250質量ppm以下であり、シリカ粒子の平均二次粒子径が5nm以上43nm以下であることを特徴とするスルホン酸変性コロイダルシリカである。
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