酸化マキシンの製造方法及びこれを用いたケミメムリスタ素子
JP2026119739APending Publication Date: 2026-07-17INDUSTRYACADEMIC COOPERATION FOUNDATION GYEONGSANG NATIONAL UNIVERSITY
Patent Information
- Authority / Receiving Office
- JP · JP
- Patent Type
- Applications
- Current Assignee / Owner
- INDUSTRYACADEMIC COOPERATION FOUNDATION GYEONGSANG NATIONAL UNIVERSITY
- Filing Date
- 2025-11-21
- Publication Date
- 2026-07-17
AI Technical Summary
Benefits of technology
【0017】 上記のような本発明によれば、本発明の好適な実施形態に係る酸化マキシンの製造方法は、酸化工程によりマキシンの表面のフッ素基(F)を取り除き、OH官能基を形成してCO2分子の吸着が有効に行われ、ガスの濃度に応じて、電気伝導度が可逆的に変化することができる。
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Abstract
酸化マキシンの製造方法及びこれを用いたケミメムリスタ素子を提供する。【解決手段】本発明の好適な実施形態に係る酸化マキシンの製造方法は、酸化工程によりマキシンの表面のフッ素基(F)を取り除き、OH官能基を形成してCO2分子の吸着が有効に行われ、ガスの濃度に応じて電気伝導度が可逆的に変化することができる。また、このような酸化マキシン(Mn+1Xn(OH)2)をベースとしたケミメムリスタ素子は、単一の素子において、メムリスタとガスセンサーの機能を同時に実現することができ、吸着される分子の濃度に応じて、多重レベルの伝導度を保持し、これに基づいて、多進法による演算と分子の吸着履歴を学習することが可能であるという特性により、CO2の濃度に応じた伝導度の可逆的な変化と多進法による情報処理を実現して人間の嗅覚と頭脳のシナプス可塑性を模写することができる。
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