垂直型III-V族ホールセンサ
JP2026524094APending Publication Date: 2026-07-17TDK MICRONAS GMBH
Patent Information
- Authority / Receiving Office
- JP · JP
- Patent Type
- Applications
- Current Assignee / Owner
- TDK MICRONAS GMBH
- Filing Date
- 2024-02-19
- Publication Date
- 2026-07-17
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Figure 2026524094000001_ABST
Abstract
垂直型III-V族ホールセンサであって、上面および下面を備えた基板層と、基板層に形成された第1の絶縁層と、絶縁層に形成されたIII-V族半導体層と、III-V族半導体層に形成され、構造化されておりかつコンタクト領域として形成された少なくとも3つの開口部を有する第2の絶縁層とを備えており、III-V族半導体層は、X方向に形成された長さおよびY方向に形成された幅を有し、少なくとも3つのコンタクト領域は、1つの直線に沿って配置されており、III-V族半導体層は、n型ドーピングを有し、III-V族半導体層は、周縁絶縁部を有する、垂直型III-V族ホールセンサ。
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