炭素含有膜の形成方法

Abstract

本発明の実施形態は、チャンバー内に収容されている基板の上に非晶質の炭素含有膜を形成する方法であって、チャンバーの内部にシリコンを含有するソースガスを噴射するステップと、チャンバーの内部に炭素及びプラズマ形成ガスを噴射しながら、チャンバーに第1のRF電力を供給して第1のプラズマを形成するステップと、チャンバーの内部にプラズマ形成ガスを噴射しながら、チャンバーに第2のRF電力を供給して第2のプラズマを形成するステップと、を含み、第2のRF電力に比べて第1のRF電力の方がさらに高くてもよい。したがって、本発明の実施形態によれば、蒸着方法により炭素含有膜を容易に形成することができる。すなわち、蒸着方法により非晶質の炭素含有膜を容易に形成することができる。また、炭素の含有量が増加し、不純物の含量が減少した非晶質の炭素含有膜を形成することができる。そして、緻密な膜質を有する非晶質の炭素含有膜を形成することができる。

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