Display panel, display apparatus, electronic device and method for producing display device

Abstract

A display panel having a low risk of leakage current in the horizontal direction is provided. The display panel includes a planarization film, a plurality of first electrodes disposed on the planarization film, an organic layer disposed on the plurality of first electrodes, and a second electrode disposed on the organic layer, and further includes a pixel definition layer between the plurality of first electrodes. The pixel definition layer has a groove on an upper surface positioned between the first electrodes and an insulating structure in the middle of the groove. The insulating structure is integrally formed with the planarization film or the pixel definition layer and has a height that is less than or equal to a height of the top surface of the pixel definition layer.

Description

DISPLAY PANEL, DISPLAY APPARATUS, ELECTRONIC DEVICE AND METHOD FOR PRODUCING DISPLAY DEVICETECHNICAL FIELD

[0001] The present invention relates to the field of display technologies, and more particularly to a display panel, a display apparatus and an electronic device having the same, and a method of producing the display device.BACKGROUND

[0002] Organic Light Emitting Diode (OLED) displays are used in a wide range of devices, from smartphones and televisions to wearable gadgets. The OLED display includes an organic light emitting diode in each pixel. Unlike liquid crystal displays, OLED is self-emitting and therefore does not require backlighting. Thus, it provides excellent display performance, such as high energy efficiency, high contrast ratio and color reproduction, and fast response speed.

[0003] In the OLED display, individual OLEDs are driven by thin film transistors. Thin film transistors and drive electrodes are manufactured by repeated patterning using conventional photolithography. On the other hand, OLEDs are treated in a vacuum because of the problem of deterioration due to the intrusion of moisture.

[0004] FIG. 1 illustrates an example of a cross-sectional structure of a conventional OLED display. The OLED display 100 is provided with anode electrodes 102 which are lower electrodes on the base layer 101. Then, a hole injection layer (HIL) 103, a hole transfer layer (HTL) 104, an emission layer (EML) 105, an electron transfer layer (ETL) 106, an electron injection layer (EIL) 107, and a cathode electrode 108 are formed on the base layer 101 and the anode electrodes 102. The hole injection layer 103, the hole transfer layer 104, the emission layer 105, the electron transfer layer 106, and the electron injection layer 107 constitute an organic layer 109. In this OLED display 100, the anode electrode 102 and the emission layer 105 for selecting each pixel and are formed for each pixel. On the other hand, the hole injection layer 103, the hole transfer layer 104, the electron transfer layer 106, the electron injection layer 107, and the cathode electrode 108 are common layers shared between pixels, and are formed over the anode electrode 102 so as to cover all the pixel electrodes. For this reason, there is a risk of leakage current (I) passing horizontally through the common layer between the pixels as shown in FIG. 1. If the leakage current is large, problems such as crosstalk may occur. In recent years, OLED material itself has been improved to increase the luminous efficiency, and as a result, the risk of leakage current has also increased.

[0005] Also, demands for displays with high brightness, low power consumption, and high image quality have been increasing rapidly. In order to meet these criteria, a tandem structure in which OLED layers are formed are widely adopted. In the tandem structure, two or more OLEDs are stacked for high brightness. FIG. 2 shows an example of a cross-sectional structure of a tandem structure. In this tandem structure 200, anode electrodes 202 are disposed on the base layer 201. Then, on the base layer 201 and the anode electrodes 202, a hole injection layer 203, a positive hole transfer layer 204, an emission layer 205, an electron transfer layer 206, an electron injection layer 207, and a charge generation layer (CGL) 208 are formed. Then, on top of the charge generation layer 208, a hole injection layer 209, a hole transfer layer 210, as emission layer 211, an electron transfer layer 212, an electron injection layer 213, and an upper cathode electrode 214 are further formed. Since the charge generation layer which is an electrode layer with low resistance is required between the two OLED layers, the risk of leakage current in the horizontal direction is higher. In addition, it is difficult to pattern the OLED itself because the OLED display forms a plurality of OLEDs arranged in a matrix form at the same time by stacking common layers. Considering these facts, various methods have been proposed and researched for realizing OLED displays without crosstalk even in stacked OLEDs. As such a method, a technique for reducing the leakage current of the OLED common layer between pixels by forming several structures on the substrate before the OLED is formed has been proposed.

[0006] Regarding such technology, a method of designing an inter-pixel structure of a backplane structure is proposed in order to reduce the leakage current of the common layer between the pixels described above. For example, as the first method, US Patent No. 11,309,372 describes a structure that forms a groove in an organic insulating layer between pixels and reduces leakage current by separating pixels in a common layer by the groove. FIG. 3 illustrates an example of a cross-sectional structure between pixels of an OLED display implementing the first method. The OLED display 300 is provided with an organic insulating layer 303 between lower anode electrodes 302 and an upper cathode electrode 304 provided above the base layer 301. A groove 306 is provided between the two pixels 305 shown in FIG. 3.

[0007] As the second method, US Patent Application Publication No. 2023 / 0034576 describes that an inorganic thin film is formed on an insulating layer thin film on which a groove is formed. FIG. 4 illustrates an example of a cross-sectional layer structure between pixels of an OLED display implementing the second method. The OLED display 400 is provided with a pixel definition layer (PDL) 403 between two anode electrodes 402 provided on the base layer 401. An insulating layer thin film 406 is provided on the PDL 403, and an OLED 404 and a cathode electrode 405 are formed on the insulating layer thin film 406. When a groove 408 is formed between the two pixels 407, an undercut shape is formed in which the bottom of the insulating layer thin film 406 is etched, and the pixels 407 are separated. This method may increase the separation performance between the pixels of the OLED layer than the first method.

[0008] In the first method, control of the taper angle of the groove is important in the formation of the groove for separation. However, it is difficult to form such tapered angles and the like in process control.

[0009] Also, the first and second methods have a common problem that there is a risk of a short circuit in the vertical direction in the sides of the groove, especially for the tandem structure which has CGL between upper and lower OLED devices. For example, regarding the first method, the upper diagram in FIG. 3 shows an enlarged view of the periphery of the groove 306. The organic insulating layer 303 has the first organic layer 307, a CGL 308, and the second organic layer 309 stacked thereon. As indicated by the vertical arrow, a short circuit may occur between the CGL 308 and the cathode electrode 304. Also, regarding the second method, the upper diagram in FIG. 4 shows an enlarged view of the periphery of the groove 408. The OLED 404 has the first organic layer 409, a CGL 410, and the second organic layer 411 stacked thereon. As indicated by the vertical arrow, a short circuit may occur between the CGL 410 and the cathode electrode 405. When this short circuit is made in some pixels, not only does the luminous efficiency of the current decrease, but also the luminous intensity varies due to a large leakage current. Because of this, uniform luminescence cannot be obtained.

[0010] As the third method, US Patent No. 11,309,372 described above discloses a method of separating pixels within an OLED layer by forming an inverted tapered insulating structure using a negative resist between adjacent pixel electrodes. Additionally, as the fourth method, US Patent No. 11,309,372 also discloses a method of separating pixels in an OLED layer by forming a T-shaped insulating structure between adjacent pixel electrodes. In this method, an additional insulating layer is formed between the pixels and a conductive material is patterned on top of the additional insulating layer. This pattern is used as a mask for etching the additional insulating layer which is the lower layer. By adjusting the etching conditions such that the etching rate of the layer under the additional insulating layer is faster, an undercut (T-shaped structure) in which the bottom of the additional insulating layer is etched can be formed.

[0011] In the third and fourth methods, the insulating structure is created to divide the common layer within the OLED layer at the center between the pixels. In this case, although there is a risk of a short circuit between the CGL and the cathode in this structure as described above, the short circuit is separated from the pixels, which avoids causing a problem of display quality. From this point of view, it can be seen that this method is superior to the first and second methods. However, in the third method, the bottom of the reverse tapered insulating structure becomes narrower than the top, and the mechanical strength becomes weaker. Such an insulating structure with low mechanical strength may be damaged by contact with the metal mask during deposition of OLED, etc.

[0012] Also, in both the third method and the fourth method, the insulating structures are formed to be higher than the thickness of the OLED. In these structures, there is a risk of reduced mechanical strength in the formation of thin film encapsulation (TFE) and subsequent processes. In addition, both the third and fourth methods have a risk of the insulating structure peeling off from the OLED because the insulating structure is provided separately on the insulating layer.SUMMARY

[0013] The present disclosure has been made in view of the above problems, and the object is to provide a display panel having excellent process control and reproducibility, high mechanical strength, and a low risk of leakage current in the horizontal direction in the OLED layer, a display apparatus and an electronic device having the same, and a method of producing a display device.

[0014] The present invention solves the above problem by forming an OLED layer separated on a substrate by batch processing such that leakage current in the horizontal direction between pixels can be reduced and sufficient mechanical strength can be achieved. Each circuit mounted on the substrate has a desired characteristic for each transistor.

[0015] According to the first aspect of the present disclosure, there is provided a display panel comprising: a planarization film; a plurality of first electrodes disposed on the planarization film; an organic layer disposed on the plurality of first electrodes; and a second electrode disposed on the organic layer, wherein the display panel further comprises a pixel definition layer between the plurality of first electrodes, wherein  the pixel definition layer has a groove on an upper surface positioned between the first electrodes and an insulating structure in the middle of the groove, wherein the insulating structure is integrally formed with the planarization film or the pixel definition layer and wherein the insulating structure has a height that is less than or equal to a height of a top surface of the pixel definition layer.

[0016] According to this aspect, the pixel definition layer has a groove on an upper surface positioned between the first electrodes and an insulating structure in the middle of the groove, and the insulating structure has a height lower than or equal to the top surface of the pixel definition layer. Thus, the risk of leakage current in the horizontal direction can be reduced. Also, it is possible to increase the mechanical strength of the structure to separate pixels in the OLED layer at the center between the pixels.

[0017] In a possible implementation of the first aspect, the insulating structure comprises the same material as the pixel definition layer.

[0018] According to this implementation, the mechanical strength of the insulating structure can be increased by integrally forming the insulating structure with the pixel definition layer.

[0019] In a possible implementation of the first aspect, the OLED device further comprises an inorganic thin film layer on top of the insulating structure.

[0020] According to this implementation, a T-shaped insulating structure can be manufactured by etching the periphery of the inorganic thin film layer.

[0021] In a possible implementation of the first aspect, the inorganic thin film layer comprises silicon nitride.

[0022] According to this implementation, the influence of damage on the organic material under the pixel electrode during etching can be avoided by the inorganic thin film layer of silicon nitride.

[0023] In a possible implementation of the first aspect, the inorganic thin film layer comprises the same material as the first electrode.

[0024] According to this implementation, an inorganic thin film layer can be formed simultaneously when forming the first electrode. Thus, the producing process can be made easier.

[0025] In a possible implementation of the first aspect, the inorganic thin film layer is wider than the insulating structure.

[0026] According to this implementation, the inorganic thin film layer that is wider than the insulating structure is formed so as to have a T-shaped structure, thereby improving separation performance of the pixels even when the distance between pixels is short.

[0027] In a possible implementation of the first aspect, the inorganic thin film layer is further disposed between the planarization film and the plurality of first electrodes.

[0028] According to this implementation, since the thin film layer is provided under the plurality of first electrodes, damage to the plane of the planarization film can be avoided.

[0029] In a possible implementation of the first aspect, the depth of the groove extends to the planarization film.

[0030] According to this implementation, since a groove is formed across the pixel definition layer and the planarization film, the performance of the separation between the pixels can be enhanced.

[0031] In a possible implementation of the first aspect, the insulating structure has the same height as the planarization film.

[0032] According to this implementation, the mechanical strength of the insulating structure can be made stronger by making the insulating structure the same height as the planarization film.

[0033] In a possible implementation of the first aspect, the planarization film and the pixel definition layer comprise the same material.

[0034] According to this implementation, adjustment of an etching speed and a taper angle of the planarization film and the pixel definition layer can be facilitated. In addition, because the insulating structure, pixel definition layer, and planarization layer are made of the same material, the risks of peeling and flaking can be reduced.

[0035] In a possible implementation of the first aspect, the inorganic thin film layer further comprises an additional insulating structure which is on the inorganic thin film layer.

[0036] According to this implementation, the risk of the leakage current in the horizontal direction can be reduced by forming longer insulating structures.

[0037] In a possible implementation of the first aspect, the additional insulating structure comprises the same material as the pixel definition layer.

[0038] According to this implementation, a portion of the pixel definition layer can be integrally formed as an insulating structure.

[0039] In a possible implementation of the first aspect, the additional insulating structure further comprises an additional inorganic thin film layer, wherein the inorganic thin film layer is disposed on the additional insulating structure.

[0040] According to this implementation, an undercut structure (T-shaped structure) can be formed at the bottom of the additional inorganic thin film layer. This T-shaped structure improves pixel separation even when the distance between pixels is short.

[0041] In a possible implementation of the first aspect, the additional inorganic thin film layer comprises silicon nitride.

[0042] According to this implementation, additional inorganic thin film layers can be formed at low temperatures using silicon nitride.

[0043] In a possible implementation of the first aspect, the additional inorganic thin film layer is wider than the additional insulating structure.

[0044] According to this implementation, an additional inorganic thin film layer that is wider than the insulating structure is formed so as to have a T-shaped structure, thereby improving pixel separation even when the distance between pixels is short.

[0045] In a possible implementation of the first aspect, the display panel further comprises a display substrate, and the plurality of first electrodes are arranged in a matrix form in the display substrate.

[0046] According to the second aspect of the present disclosure, there is provided a display apparatus, comprising a cover and the above-described display panel.

[0047] According to the third aspect of the present disclosure, there is provided an electronic device, comprising a housing and the above-described display apparatus.

[0048] According to the fourth aspect of the present disclosure, there is provided a method of producing a display device, the method comprising: forming a planarization film; forming a plurality of first electrodes on the planarization film; forming a pixel definition layer between the plurality of first electrodes; forming an organic layer on the plurality of first electrodes; and forming a second electrode on the organic layer, wherein the forming the pixel definition layer comprises forming a groove in the center of the pixel definition layer  having an insulating structure in the center, wherein the insulating structure is integrally formed with the planarization film or the pixel definition layer and wherein the insulating structure has a height that is less than or equal to a height of a top surface of the pixel definition layer.

[0049] According to this aspect, when forming the pixel definition layer, a groove having an insulating structure in the center is formed in the center of the pixel definition layer, and the insulating structure has a height lower than or equal to the top surface of the pixel definition layer. Therefore, it is possible to have excellent process control and reproducibility in the manufacture of the OLED device by processing the pixel definition layer or the planarization film as an insulating structure.

[0050] In a possible implementation of the fourth aspect, the method further comprises forming an inorganic thin film layer on the pixel definition layer, in which the forming the groove comprises: etching the pixel definition layer around the inorganic thin film layer.

[0051] In a possible implementation of the fourth aspect, the method further comprises forming an inorganic thin film layer on the planarization film and between the plurality of first electrodes, in which the forming the groove comprises: etching across the pixel definition layer around the inorganic thin film layer and the planarization film.

[0052] In a possible implementation of the fourth aspect, the method further comprises forming the inorganic thin film layer forms an additional inorganic thin film layer on the planarization film and at a position corresponding to the plurality of first electrodes, in which the forming the plurality of first electrodes forms the first electrode on the additional inorganic thin film layer.

[0053] In a possible implementation of the fourth aspect, the method further comprises forming an additional inorganic thin film layer on the pixel definition layer at a position corresponding to the inorganic thin film layer, in which the forming the groove comprises: etching across the pixel definition layer and the planarization film around the additional inorganic thin film layer.

[0054] The present invention may form a T-shaped insulating structure of the same height as the thickness of the PDL or the thickness of the PLN in the groove provided between the pixels. This structure achieves both reduction of leakage current in the horizontal direction and increased mechanical strength. In this structure, even if a short circuit occurs as described above, since this short circuit is separated from the pixels, it does not cause display quality problems.BRIEF DESCRIPTION OF THE FIGURES

[0055] To describe the technical solutions in the embodiments more clearly, the following briefly describes the accompanying drawings required for describing the present embodiments. Apparently, the accompanying drawings in the following description depict merely some of the possible embodiments, and a person of ordinary skill in the art may still derive other drawings, without creative efforts, from these accompanying drawings, in which:

[0056] FIG. 1 illustrates an example of a cross-sectional structure of a conventional OLED display.

[0057] FIG. 2 illustrates an example of a cross-sectional structure of a conventional OLED display.

[0058] FIG. 3 illustrates an example of a cross-sectional structure of a conventional OLED display.

[0059] FIG. 4 illustrates an example of a cross-sectional structure of a conventional OLED display.

[0060] FIG. 5 illustrates a structure of an OLED device according to one embodiment, in which (a) is a cross-sectional layer structure of an OLED device according to an embodiment, (b) is a top view of a portion of the OLED device, and (c) is a cross-sectional layer structure of (b) .

[0061] FIG. 6 illustrates an example of a pixel circuit of an OLED display.

[0062] FIG. 7 illustrates a flowchart of a method of producing an OLED device according to an embodiment.

[0063] FIG. 8 illustrates a cross-sectional layer structure of a portion of an OLED device according to an embodiment.

[0064] FIG. 9 illustrates a cross-sectional layer structure of a portion of an OLED device according to an embodiment.

[0065] FIG. 10 illustrates a flowchart of a method of producing an OLED device according to an embodiment.

[0066] FIG. 11 illustrates a cross-sectional layer structure of a portion of an OLED device according to an embodiment.

[0067] FIG. 12 illustrates a flowchart of a method of producing an OLED device according to an embodiment.

[0068] FIG. 13 illustrates a cross-sectional layer structure of a portion of an OLED device according to an embodiment.

[0069] FIG. 14 illustrates a cross-sectional layer structure of a portion of an OLED device in accordance with an embodiment.

[0070] FIG. 15 illustrates a flowchart of a method of producing an OLED device according to an embodiment.DETAILED DESCRIPTION OF EMBODIMENTS

[0071] To make persons skilled in the art understand the technical solutions in the present disclosure better, the following clearly and completely describes the technical solutions in the embodiments of the present disclosure with reference to the accompanying drawings in the modes of the present disclosure. Apparently, the described embodiments are merely a part rather than all of the embodiments of the present disclosure. All other embodiments obtained by persons of ordinary skill in the art based on the embodiments of the present disclosure without creative efforts shall fall within the protection scope of the present disclosure.

[0072] FIG. 5 (a) illustrates a cross-sectional layer structure of an OLED device in accordance with an embodiment of the present disclosure. The OLED device 500 is an example of a part of a display panel, and is configured as a part (an upper OLED layer) of a display device The OLED device 500 includes an OLED display substrate SUB such as a glass substrate and a planarization film PLN disposed on the OLED display substrate SUB. An anode electrode AE which is the first electrode is disposed on the planarization film PLN made of an organic material. For the anode electrode AE, a material consisting of a three-layer structure of ITO / Ag / ITO can be used.

[0073] A pixel definition layer PDL made of the organic material is formed between the two anode electrodes AEs. The pixel definition layer PDL has a groove 501 in the center on its upper surface positioned between the two anode electrodes AEs, and an insulating structure 502 is provided in the middle of the groove. The groove 501 does not need to be completely in the center of the PDL. For example, it may be in a position where it does not cover any of the anode electrodes AEs. The insulating structure 502 has approximately the same height as the pixel definition layer PDL. The insulating structure 502 is made of the same inorganic material as the pixel definition layer PDL and is integrally formed with the pixel definition layer. An inorganic thin film layer ITF is provided on the insulating structure 502. The inorganic thin film layer ITF is wider than the insulating structure 502, and these two members form a T-shaped insulating structure. The material of the inorganic thin film layer ITF is preferably a material that can be formed on the organic film at a low temperature. In some embodiments, a silicon nitride (SiN) film that can be formed by low temperature plasma chemical vapor deposition (CVD) may be used for the inorganic thin film layer ITF. SiN has the advantage that an undercut of an organic film can be created due to the difference in etching speed with respect to the organic film, and a T-shaped structure can be easily created. In another embodiment, other thin film materials that can be formed at low temperatures can also be used. The pattern of inorganic thin film layers oriented as described above can also be disposed on portions of the pixels 503 to avoid contact between the anode electrode AE and the lower conductive layer.

[0074] Also, the OLED device 500 is formed with an organic layer OL consisting of an organic material and the second electrode, or the cathode electrode CE, on top of the anode electrode AE, the pixel definition layer PDL and the inorganic thin film layer ITF. The organic layer OL may include a hole injection layer, a hole transfer layer, an emission layer, an electron transfer layer, and an electron injection layer. A material consisting of MgAg alloy can be used for the cathode electrode CE. For the emission layer, a metal complex such as quinolinol aluminum complex (Alq3) or a phosphorescent material such as Tris (2-phenylpyridinato) iridium (III) (Ir (ppy) 3) may be used. It should be noted that the order of deposition of the layers in the OLED device may be inverted.

[0075] FIG. 5 (b) illustrates a top view of a portion of the OLED device 500, and FIG. 5 (c) illustrates a cross-sectional layer structure of (b) . Here, the organic layer OL and the cathode electrode CE are omitted for convenience of description. The structure shown in these figures are merely an example. For example, R, G, and B pixels corresponding to the pixels 503 may have different sizes and may be arranged differently. Although the groove 501 is placed in the center between the anode electrode AE, it may also be placed in a shifted position as long as it does not overlap the anode electrode AE. The inorganic thin film ITF with the T-shaped structure is basically placed in the middle of the groove 501.

[0076] FIG. 6 illustrates an example of a pixel circuit of an OLED display apparatus configured using an OLED device according to the present embodiment. It should be noted that this circuit is the most basic configuration, and the pixel circuit to which the present disclosure is applied need not be limited to this example.

[0077] The OLED display apparatus includes a cover and the display panel. The display panel includes an OLED display substrate. In the OLED display apparatus, for example, the pixel circuits shown in FIG. 6 are arranged in a matrix form on the OLED display substrate. One pixel circuit shown in FIG. 6 includes a data line 605 and a gate line G that intersects the data line 605. The pixel circuit also includes an OLED light emitting device 602, a drive transistor M2, a switch transistor M1, and a capacitor Cst. The OLED light emitting device 602 includes an anode electrode AE and a cathode electrode CE to which a low potential power supply voltage ELVSS is applied. Therefore, the OLED display apparatus includes a plurality of anode electrodes AEs arranged in a matrix form on the OLED display substrate. The OLED display apparatus may be included in an electronic device such as a mobile phone, a smartphone, a personal digital assistant (PDA) , a tablet computer, a personal computer, a television and a wearable gadget. In other words, the electronic device may include a housing and the OLED display apparatus. The OLED light emitting device 602, the anode electrode AE, and the cathode electrode CE correspond to the OLED device according to the present embodiment. In the pixel circuit, a video signal Vdata is supplied from the data line 605, and emission is switched at the desired timing. The video signal Vdata is held in a capacitor Cst via the switch transistor M1.

[0078] The power line 601 or the cathode electrode CE to which the low-potential power supply voltage ELVSS is applied is commonly connected to each pixel. The drive transistor M2 includes the first electrode coupled to the line 604, a gate electrode coupled to a node A, and the second electrode coupled to the anode electrode AE. A pixel driving voltage ELVDD is applied to the line 604. The drive transistor M2 generates a current that drives an OLED light emitting device 602 in accordance with the gate-source voltage. The luminous intensity of the light 603 emitted from the OLED light emitting device 602 can be obtained by supplying pixel current by the drive transistor M2 to the OLED light emitting device 602 according to the video signal held in the capacitor Cst.

[0079] Next, a method for producing the OLED device shown in FIG. 5 will be described with reference to FIG. 7. The OLED device may be made using conventional techniques for producing a thin film transistor that drives an active matrix backplane. For example, the OLED device can employ conventional methods of producing a thin film transistor, an interlayer insulating film, a conductive layer organic planarization film, and an anode electrode, and the like.

[0080] In step (701) , a planarization film PLN is disposed on an OLED display substrate SUB. Then, an anode electrode AE is disposed on the planarization film PLN. Between the anode electrodes AEs, a pixel definition layer PDL of the organic material is patterned. A pattern of the inorganic thin film layer ITF made of SiN is formed on the pixel definition layer PDL.

[0081] In step (702) , a pattern of photoresists PRs made of the organic material are formed on the anode electrodes AEs and at the ends of the pixel definition layer PDL. At this time, the photoresists PR are formed such that the pixel definition layer PDL around the inorganic thin film layer ITF is exposed. The pixel definition layer PDL is then etched by dry etching. Dry etching is performed using photoresists PRs as a mask. Here, the etching rate is set such that the etching rate of the organic material used for the pixel definition layer PDL is higher than that of the material of the inorganic thin film layer ITF. In this way, a pattern with an undercut is formed at the ends of the inorganic thin film layer ITF. At this time, the photoresists PRs used as the mask are adjusted to have an etching rate that is approximately the same as that of the lower layers made of the organic material so as to have a normal taper angle.

[0082] Then, in step (703) , the photoresists PRs are peeled off after dry etching. According to this method, a valley-shaped groove and a T-shaped insulating structure can be created in the pixel definition layer PDL between adjacent anode electrodes AEs. The top of the T-shaped insulation structure and the top of the pixel definition layer PDL can also be controlled to be at approximately the same height.

[0083] In step (704) , the organic layer OL and the cathode electrode CE are formed over the anode electrode AE, the etched pixel definition layer PDL, and the inorganic thin film layer ITF. In this way, the organic layer OL and the cathode electrode CE are divided by the central T-shaped insulating structure.

[0084] FIG. 8 is a diagram illustrating a cross-sectional layer structure of a portion of an OLED device in accordance with another embodiment of the present disclosure. In the OLED device 800, an anode electrode AE is formed on top of the planarization film PLN. On the planarization film PLN and on the end of the anode electrode AE, a pixel definition layer PDL is formed between two pixels 803. A groove 801 is formed in the center of the pixel definition layer PDL, and the depth of the groove 801extends to the planarization film PLN. An insulating structure 802 made of the same material as the planarization film PLN is formed in the central portion of the groove 801. The insulating structure 802 is composed of the same inorganic material as the planarization film PLN, and is integrally formed with the planarization film PLN. Also, the height of the insulating structure 802 is the same as the top surface of the planarization film PLN.

[0085] An inorganic thin film layer ITF is formed on the insulating structure 802. The structure of the OLED device 800 is partial, and an organic layer and a cathode electrode are formed on top of this structure. However, they are omitted for the sake of simplicity of description. According to this structure, since the height of the insulating structure 802 is lower than the top surface of the pixel defining layer PDL, the mechanical stability of the insulating structure is improved.

[0086] FIG. 9 is a diagram illustrating a cross-sectional layer structure of a portion of an OLED device in accordance with another embodiment of the present disclosure. Unlike the structure shown in FIG. 8, an OLED device 900 has an additional inorganic thin film layer ITF2 formed between the planarization film PLN and the anode electrode AE at a position corresponding to each pixel 903. The additional inorganic thin film layer ITF2 is made of the same inorganic material as the inorganic thin film layer ITF. An anode electrode AE is formed on the additional inorganic thin film layer ITF2 at the position corresponding to each pixel.

[0087] Next, referring to FIG. 10, a procedure for forming the OLED device shown in FIG. 9 will be described. In step (10) , the planarization film PLN is prepared to form the inorganic thin film layer ITF between two pixels, and at the same time, the additional inorganic thin film layer ITF2 is formed at a position corresponding to each pixel. In this case, the inorganic thin film layer ITF and the additional inorganic thin film layer ITF2 may be formed by patterning the same film. The anode electrode AE is then patterned on the additional inorganic thin film layer ITF2. In step (11) , between the two pixels, a pattern of the pixel definition layer PDL is formed to cover the ends of the inorganic thin film layer ITF and the anode electrodes AEs.

[0088] In step (12) , a pattern of photoresists PRs made of organic material are formed on the anode electrodes AEs and at the ends of the pixel definition layer PDL. At this time, the photoresists PR are formed such that the pixel definition layer PDL around the inorganic thin film layer ITF is exposed. The pixel definition layer PDL is then etched by dry etching. Dry etching is performed using photoresists PRs as a mask. Here, the etching rate is set such that the etching rate of the organic material used for the planarization film PLN under the material of the inorganic thin film layer ITF is higher than that of the material of the inorganic thin film layer ITF. In this way, an insulating structure with an undercut is formed at the bottom of the inorganic thin film layer ITF (step (12) ) . At this time, the photoresists PRs used as the mask are adjusted to have an etching rate that is approximately the same as the etching rate of the lower layers made of organic material so as to have a normal taper angle. After dry etching, the photoresists PRs are peeled off.

[0089] In step (13) , the organic layer OL and the cathode electrode CE are formed on the top of the anode electrode AE, the etched pixel definition layer PDL, the planarization film PLN and the inorganic thin film layer ITF. In this way, the two pixels are separated by the central T-shaped insulating structure. According to this method, a groove and a T-shaped insulating structure can be created in the planarization film PLN between adjacent anode electrodes AEs. The top of the T-shaped insulating structure can be controlled to be lower than the height of the pixel definition layer PDL.

[0090] It should be noted that the OLED device 800 shown in FIG. 8 can also be manufactured in a similar way to the method shown in FIG. 10. That is, the method of producing the OLED device 800 is similar to the method shown in FIG. 10, except that the process of forming the inorganic thin film layer ITF2 is not performed on the portion corresponding to the pixel.

[0091] FIG. 11 is a diagram illustrating a cross-sectional layer structure of a portion of an OLED device in accordance with another embodiment of the present disclosure. Although the OLED device 1100 has almost the same structure as the OLED device 900 shown in FIG. 9, it differs in the following respects. That is, the additional inorganic thin film layer ITF2 provided on the pixel is longer than the anode electrode AE formed thereon. In addition, the planarization film PLN and the pixel definition layer PDL are made of the same material, and these two layers are integrally formed.

[0092] Next, the procedure for forming the OLED device shown in FIG. 11 will be described with reference to FIG. 12. In step (1201) , on top of the planarization film PLN, the inorganic thin film layer ITF consisting of SiN and the additional inorganic thin film layer ITF2 are patterned by photolithography and dry etching. The anode electrode AE is then formed at a position corresponding to the pixel above the inorganic thin film layer ITF. According to this process, the additional inorganic thin film layer ITF2 is formed on top of the planarization film PLN at the position corresponding to the central inorganic thin film layer ITF and the pixel as shown in step (1201) . Also, in the position of the pixel, the additional inorganic thin film layer ITF2 is formed to be longer than the anode electrode AE.

[0093] Typically, etching the inorganic thin film layer ITF made of SiN damages the surface of the PLN layer and also affects the flat surface of the anode electrode. However, according to this method, since an additional inorganic thin film layer ITF2 longer than the anode electrode AE is provided under the anode electrode AE, damage to the plane of the PLN layer is avoided. It is also possible to keep the surface of the anode electrode flat.

[0094] In step (1202) , photoresists PRs made of organic material are patterned so as to cover the anode electrodes AEs and such that the ends of the additional inorganic thin film layer ITF2s are exposed. The groove 801 is then formed by applying dry etching. At this time, an insulating structure having an undercut is formed at the bottom of the central inorganic thin film layers ITF and ITF2.

[0095] In step (1203) , the photoresists PRs are peeled off and the pixel definition layer PDL is patterned. A photosensitive material is used for the pixel definition layer PDL, and the pattern is formed in the same manner as the photoresist PR. The pixel definition layers PDL are also formed to cover the ends of the inorganic thin film layers ITF2 and the anode electrodes AE. The undercut of ITF2 is covered by PDL so as to realize the same structure as in FIG. 9.

[0096] In step (1204) , the organic layer OL and a cathode electrode CE are formed on top of the structure shown in step (1203) .

[0097] The process of dry etching the formed pixel definition layer PDL required in the OLED device shown in FIG. 10 can be omitted by producing the OLED device in this way.

[0098] FIG. 13 is a diagram illustrating a cross-sectional layer structure of a portion of an OLED device in accordance with another embodiment of the present disclosure. The OLED device 1300 is almost the same as the OLED device 800 shown in FIG. 8, except that an inorganic thin film layer AE2 made of the same material as the anode electrode AE is formed on top of the insulating structure 802 instead of the inorganic thin film layer ITF made of SiN. In this case, the inorganic thin film layer AE2 can be patterned when the anode electrode AE is patterned, which has the advantage of simplifying the producing process. Also, the step of forming an inorganic thin film layer of SiN can be omitted, and it is possible to avoid damage to the layer of lower organic material due to etching SiN.

[0099] FIG. 14 is a diagram illustrating a cross-sectional layer structure of a portion of an OLED device in accordance with another embodiment of the present disclosure. The OLED device 1400 differs from the OLED device 1300 in that an additional insulating structure PDL2 made of the same material as the pixel definition layer PDL is formed on top of the inorganic thin film layer AE2 made of the same material as the anode electrode AE, and an additional inorganic thin film layer ITF is formed on top of the additional insulating structure PDL2.

[0100] Next, a procedure for the producing method of the OLED device shown in FIG. 14 will be described with reference to FIG. 15. In step (1501) , the anode electrode AE is formed at a position corresponding to each pixel on the planarization film PLN. At this time, the inorganic thin film layer AE2 made of the same material as the anode electrode AE is patterned on the center. In step (1502) , a pattern of the pixel definition layer PDL is formed so as to cover the end of the anode electrodes AEs and the inorganic thin film layer AE2. The additional inorganic thin film layer ITF is then formed on the pixel definition layer PDL.

[0101] In step (1503) , a pattern of the photoresists PRs made of the organic material is formed on the anode electrode AE and at the end of the pixel definition layer PDL. At this time, the photoresists are formed such that the pixel definition layer PDL around the additional inorganic thin film layer ITF is exposed. The pixel definition layer PDL is then etched by dry etching. Dry etching is performed using photoresists PRs as a mask. Here, the etching rate is set such that the etching rate of the organic material used for the pixel definition layer PDL and the planarization film PLN under the additional inorganic thin film layer ITF is higher than that of the material of the inorganic thin film layer AE2 and the additional inorganic thin film layer ITF. In this way, a pattern with an undercut at the end of the inorganic thin film layer AE2 and the additional inorganic thin film layer ITF is formed. At this time, the photoresists PRs used as the mask are adjusted to have an etching rate that is approximately the same as that of the lower layers made of the organic material so as to have a normal taper angle. In step (1504) , the photoresists PRs are peeled off after dry etching.

[0102] Furthermore, in step (1505) , the organic layer OL and the cathode electrode CE are formed on top of the structure shown in step (1504) . In this way, the organic layer OL and the cathode electrode CE are separated by the central T-shaped insulating structure. According to this method, a structure in which the T-shaped insulating structures are stacked can be created. Thus, the insulating structure becomes longer and the performance of separating the pixels can be increased. Also, since the upper part of the T-shaped structure and the upper part of the pixel definition layer PDL can be approximately the same height, the mechanical stability of the insulating structure can be enhanced.

[0103] The foregoing descriptions are merely specific implementation manners of the present invention, but are not intended to limit the protection scope of the present invention. Any variation or replacement readily figured out by a person skilled in the art within the technical scope disclosed shall fall within the protection scope of the present invention. Therefore, the protection scope of the present invention shall be subject to the protection scope of the claims.

Claims

1.A display panel, comprising:a planarization film;a plurality of first electrodes disposed on the planarization film;an organic layer disposed on the plurality of first electrodes; anda second electrode disposed on the organic layer,wherein the display panel further comprises a pixel definition layer between the plurality of first electrodes, wherein the pixel definition layer has a groove on an upper surface positioned between the first electrodes and an insulating structure in the middle of the groove, wherein the insulating structure is integrally formed with the planarization film or the pixel definition layer and wherein the insulating structure has a height that is less than or equal to a height of a top surface of the pixel definition layer.2.The display panel according to claim 1, wherein the insulating structure comprises the same material as the pixel definition layer.3.The display panel according to claim 1 or 2, further comprising an inorganic thin film layer on top of the insulating structure.4.The display panel according to claim 3, wherein the inorganic thin film layer comprises silicon nitride.5.The display panel according to claim 3 or 4, wherein the inorganic thin film layer comprises the same material as the first electrode.6.The display panel according to any one of claims 3-5, wherein the inorganic thin film layer is wider than the insulating structure.7.The display panel according to any one of claims 3-6, wherein the inorganic thin film layer is further disposed between the planarization film and the plurality of first electrodes.8.The display panel according to any one of claims 1-7, wherein the depth of the groove extends to the planarization film.9.The display panel according to any one of claims 1-8, wherein the insulating structure has the same height as the planarization film.10.The display panel according to any one of claims 1-9, wherein the planarization film and the pixel definition layer comprise the same material.11.The display panel according to any one of claims 1-10, wherein the inorganic thin film layer further comprises an additional insulating structure which is on the inorganic thin film layer.12.The display panel according to claim 11, wherein the additional insulating structure comprises the same material as the pixel definition layer.13.The display panel according to claim 11, wherein the additional insulating structure further comprises an additional inorganic thin film layer, wherein the additional inorganic thin film layer is disposed on the additional insulating structure.14.The display panel according to claim 13, wherein the additional inorganic thin film layer comprises silicon nitride.15.The display panel device according to claim 13, wherein the additional inorganic thin film layer is wider than the additional insulating structure.16.The display panel device according to any one of claims 1-15, wherein the display panel further comprises a display substrate, and the plurality of first electrodes are arranged in a matrix form in the display substrate.17.A display apparatus, comprising a cover and the display panel according to any one of claims 1 to 16.18.An electronic device, comprising a housing and a display apparatus according to claim 17.19.A method of producing a display device, the method comprising:forming a planarization film;forming a plurality of first electrodes on the planarization film;forming a pixel definition layer between the plurality of first electrodes;forming an organic layer on the plurality of first electrodes; andforming a second electrode on the organic layer,wherein the forming the pixel definition layer comprises forming a groove in the center of the pixel definition layer having an insulating structure in the center, wherein the insulating structure is integrally formed with the planarization film or the pixel definition layer and wherein the insulating structure has a height that is less than or equal to a height of a top surface of the pixel definition layer.20.The method of claim 19, further comprising forming an inorganic thin film layer on the pixel definition layer, wherein the forming the groove comprises:etching the pixel definition layer around the inorganic thin film layer.21.The method of claim 19, further comprising forming an inorganic thin film layer on the planarization film and between the plurality of first electrodes, wherein the forming the groove comprises:etching across the pixel definition layer around the inorganic thin film layer and the planarization film.22.The method according to claim 21, wherein the forming the inorganic thin film layer forms an additional inorganic thin film layer on the planarization film and at a position corresponding to the plurality of first electrodes, andwherein the forming the plurality of first electrodes forms the first electrode on the additional inorganic thin film layer.23.The method according to claim 21, further comprising forming an additional inorganic thin film layer on the pixel definition layer at a position corresponding to the inorganic thin film layer, wherein the forming the groove comprises:etching across the pixel definition layer and the planarization film around the additional inorganic thin film layer.

Images