Light-emitting element
Patent Information
- Authority / Receiving Office
- JP · JP
- Patent Type
- Applications
- Current Assignee / Owner
- SEMICON ENERGY LAB CO LTD
- Filing Date
- 2026-03-03
- Publication Date
- 2026-06-09
AI Technical Summary
【0021】 本発明の一態様により、蛍光材料を有する発光素子において、発光効率が高い発光素子を 提供することができる。または、本発明の一態様により、発光成分のうちTTAによる遅 延蛍光成分の割合が高い発光素子を提供することができる。または、本発明の一態様によ り、発光効率が高く、消費電力が低減された、新規な発光装置を提供することができる。 または、本発明の一態様により、新規な表示装置を提供することができる。
Smart Images

Figure 2026094326000001_ABST
Abstract
Claims
[Claim 1] It has an anode, a cathode, and an EL layer sandwiched between the anode and the cathode, The EL layer comprises an emissive layer and an electron transport layer in contact with the emissive layer. The light-emitting layer has a host material, The electron transport layer has a first material, The LUMO level of the first material is lower than the LUMO level of the host material. A light-emitting element in which the EL layer exhibits light emission in which the delayed fluorescence component due to triplet-triplet annihilation accounts for 10% or more of the total.