Array substrate and display apparatus

Abstract

An array substrate is provided. The array substrate includes a first dam structure and a second dam structure in a peripheral area of the array substrate; a first groove between the first dam structure and a display area of the array substrate; and a second groove between the first dam structure and the second dam structure. Along a plane perpendicular to a surface of a base substrate and intersecting the first dam structure, the second dam structure, the first groove, and the second groove, the first groove has a first average width, and the second groove has a second average width. The first dam structure has a first thickness. The second dam structure has a second thickness. The first thickness and the second thickness are different from each other.

Description

ARRAY SUBSTRATE AND DISPLAY APPARATUSTECHNICAL FIELD

[0001] The present invention relates to display technology, more particularly, to an array substrate and a display apparatus.BACKGROUND

[0002] Organic light emitting diode (OLED) display apparatuses are self-emissive devices, and do not require backlights. OLED display apparatuses also provide more vivid colors and a larger color gamut as compared to the conventional liquid crystal display (LCD) apparatuses. Further, OLED display apparatuses can be made more flexible, thinner, and lighter than a typical LCD apparatus. An OLED display apparatus typically includes an anode, an organic layer including a light emitting layer, and a cathode. OLEDs can be either a bottom-emission type OLED or a top-emission type OLED.SUMMARY

[0003] In one aspect, the present disclosure provides an array substrate, comprising a first dam structure and a second dam structure in a peripheral area of the array substrate; a first groove between the first dam structure and a display area of the array substrate; and a second groove between the first dam structure and the second dam structure; wherein, along a plane perpendicular to a surface of a base substrate and intersecting the first dam structure, the second dam structure, the first groove, and the second groove, the first groove has a first average width, and the second groove has a second average width; the first dam structure has a first thickness; the second dam structure has a second thickness; and the first thickness and the second thickness are different from each other.

[0004] Optionally, a ratio of the second average width to the first average width is in a range of 1.25: 1 to 1.75: 1.

[0005] Optionally, a difference between the first thickness and the second thickness is in a range of 0 to 15 μm.

[0006] Optionally, a total number of insulating layers in a stacked structure of the second dam structure minus a total number of insulating layers in a stacked structure of the first dam structure is no greater than 2.

[0007] Optionally, the first dam structure comprises a first signal line layer on the base substrate, a second signal line layer on a side of the first signal line layer away from the base substrate, a first planarization layer on a side of the second signal line layer away from the base substrate, a second planarization layer on a side of the first planarization layer away  from the base substrate, an anode material layer on a side of the second planarization layer away from the base substrate, a pixel definition layer on a side of the anode material layer away from the base substrate, and a spacer layer on a side of the pixel definition layer away from the base substrate; and the second dam structure comprises a first signal line layer on the base substrate, a passivation layer on a side of the first signal line layer away from the base substrate, a first planarization layer on a side of the passivation layer away from the base substrate, a second planarization layer on a side of the first planarization layer away from the base substrate, an anode material layer on a side of the second planarization layer away from the base substrate, a pixel definition layer on a side of the anode material layer away from the base substrate, and a spacer layer on a side of the pixel definition layer away from the base substrate.

[0008] Optionally, an orthographic projection of the second signal line layer in the first dam structure on the base substrate substantially covers an orthographic projection of the first planarization layer in the first dam structure on the base substrate; an orthographic projection of the first planarization layer in the second dam structure on the base substrate partially overlaps with an orthographic projection of the second signal line layer in the second dam structure on the base substrate, and is partially non-overlapping with the orthographic projection of the second signal line layer in the second dam structure on the base substrate; an orthographic projection of the anode material layer in the first dam structure on the base substrate substantially covers an orthographic projection of the first planarization layer in the first dam structure on the base substrate; and an orthographic projection of the first planarization layer in the second dam structure on the base substrate partially overlaps with an orthographic projection of the anode material layer in the second dam structure on the base substrate, and is partially non-overlapping with the orthographic projection of the anode material layer in the second dam structure on the base substrate.

[0009] Optionally, the first dam structure comprises a first signal line layer on the base substrate, a passivation layer on a side of the first signal line layer away from the base substrate, a second planarization layer on a side of the passivation layer away from the base substrate, and a pixel definition layer on a side of the second planarization layer away from the base substrate; and the second dam structure comprises a first signal line layer on the base substrate, a passivation layer on a side of the first signal line layer away from the base substrate, a first planarization layer on a side of the passivation layer away from the base substrate, a second planarization layer on a side of the first planarization layer away from the base substrate, and a pixel definition layer on a side of the second planarization layer away from the base substrate.

[0010] Optionally, an orthographic projection of the first signal line layer in the first dam structure on the base substrate substantially covers an orthographic projection of the second  planarization layer in the first dam structure on the base substrate, and substantially covers an orthographic projection of the pixel definition layer in the first dam structure on the base substrate; an orthographic projection of the first planarization layer in the second dam structure on the base substrate partially overlaps with an orthographic projection of the first signal line layer in the second dam structure on the base substrate, and is partially non-overlapping with the orthographic projection of the first signal line layer in the second dam structure on the base substrate; and an orthographic projection of the second planarization layer in the second dam structure on the base substrate partially overlaps with an orthographic projection of the first signal line layer in the second dam structure on the base substrate, and is partially non-overlapping with the orthographic projection of the first signal line layer in the second dam structure on the base substrate.

[0011] Optionally, in a region comprising the first dam structure, the second dam structure, and the second groove; and a first area where an orthographic projection of the passivation layer on the base substrate and an orthographic projection of the first signal line layer on the base substrate overlap with each other is greater than a second area where the orthographic projection of the passivation layer on the base substrate and an orthographic projection of the second dam structure on the base substrate overlap with each other, and is less than a sum of the second area, and a third area where the orthographic projection of the passivation layer on the base substrate and an orthographic projection of the first dam structure on the base substrate overlap with each other.

[0012] Optionally, the second dam structure comprises a first signal line layer on the base substrate, a passivation layer on a side of the first signal line layer away from the base substrate, a third planarization layer on a side of the passivation layer away from the base substrate, and a pixel definition layer on a side of the third planarization layer away from the base substrate; and the first dam structure comprises a first signal line layer on the base substrate, a passivation layer on a side of the first signal line layer away from the base substrate, a third planarization layer on a side of the passivation layer away from the base substrate, and a pixel definition layer on a side of the third planarization layer away from the base substrate.

[0013] Optionally, an orthographic projection of the third planarization layer in the second dam structure on the base substrate partially overlaps with an orthographic projection of the first signal line layer in the second dam structure on the base substrate, and is partially non-overlapping with the orthographic projection of the first signal line layer in the second dam structure on the base substrate; and an orthographic projection of the first signal line layer in the first dam structure on the base substrate substantially covers an orthographic projection of the third planarization layer in the first dam structure on the base substrate.

[0014] Optionally, in a region comprising the first dam structure, the second dam structure, and the second groove; and a first area where an orthographic projection of the passivation layer on the base substrate and an orthographic projection of the first signal line layer on the base substrate overlap with each other is greater than a third area where the orthographic projection of the passivation layer on the base substrate and an orthographic projection of the first dam structure on the base substrate overlap with each other, and is less than a sum of the third area, and a second area where the orthographic projection of the passivation layer on the base substrate and an orthographic projection of the second dam structure on the base substrate overlap with each other.

[0015] Optionally, the first dam structure comprises a first signal line layer on the base substrate, a passivation layer on a side of the first signal line layer away from the base substrate, a second planarization layer on a side of the passivation layer away from the base substrate, a third planarization layer on a side of the second planarization layer away from the base substrate, a pixel definition layer on a side of the third planarization layer away from the base substrate, and a spacer layer on a side of the pixel definition layer away from the base substrate; and the second dam structure comprises a first signal line layer on the base substrate, a passivation layer on a side of the first signal line layer away from the base substrate, a second planarization layer on a side of the passivation layer away from the base substrate, a third planarization layer on a side of the second planarization layer away from the base substrate, a pixel definition layer on a side of the third planarization layer away from the base substrate, and a spacer layer on a side of the pixel definition layer away from the base substrate.

[0016] Optionally, an orthographic projection of the first signal line layer in the first dam structure on the base substrate substantially covers an orthographic projection of the second planarization layer in the first dam structure on the base substrate; and an orthographic projection of the second planarization layer in the second dam structure on the base substrate partially overlaps with an orthographic projection of the first signal line layer in the second dam structure on the base substrate, and is partially non-overlapping with the orthographic projection of the first signal line layer in the second dam structure on the base substrate.

[0017] Optionally, in a region comprising the first dam structure, the second dam structure, and the second groove; and a first area where an orthographic projection of the passivation layer on the base substrate and an orthographic projection of the first signal line layer on the base substrate overlap with each other is greater than a second area where the orthographic projection of the passivation layer on the base substrate and an orthographic projection of the second dam structure on the base substrate overlap with each other, and is less than a sum of the second area, and a third area where the orthographic projection of the passivation layer on  the base substrate and an orthographic projection of the first dam structure on the base substrate overlap with each other.

[0018] Optionally, the second dam structure comprises a first signal line layer on the base substrate, a passivation layer on a side of the first signal line layer away from the base substrate, a second signal line layer on a side of the passivation layer away from the base substrate, a second planarization layer on a side of the second signal line layer away from the base substrate, a third signal line layer on a side of the second planarization layer away from the base substrate, a third planarization layer on a side of the third signal line layer away from the base substrate, an anode material layer on a side of the third planarization layer away from the base substrate, a pixel definition layer on a side of the anode material layer away from the base substrate, and a spacer layer on a side of the pixel definition layer away from the base substrate; and the first dam structure comprises a first signal line layer on the base substrate, a second signal line layer on a side of the first signal line layer away from the base substrate, a third signal line layer on a side of the second signal line layer away from the base substrate, a third planarization layer on a side of the third signal line layer away from the base substrate, an anode material layer on a side of the third planarization layer away from the base substrate, a pixel definition layer on a side of the anode material layer away from the base substrate, and a spacer layer on a side of the pixel definition layer away from the base substrate.

[0019] Optionally, an orthographic projection of the third planarization layer in the second dam structure on the base substrate partially overlaps with an orthographic projection of the first signal line layer in the second dam structure on the base substrate, and is partially non-overlapping with the orthographic projection of the first signal line layer in the second dam structure on the base substrate; an orthographic projection of the third planarization layer in the second dam structure on the base substrate partially overlaps with an orthographic projection of the second signal line layer in the second dam structure on the base substrate, and is partially non-overlapping with the orthographic projection of the second signal line layer in the second dam structure on the base substrate; an orthographic projection of the third planarization layer in the second dam structure on the base substrate partially overlaps with an orthographic projection of the third signal line layer in the second dam structure on the base substrate, and is partially non-overlapping with the orthographic projection of the third signal line layer in the second dam structure on the base substrate; an orthographic projection of the first signal line layer in the first dam structure on the base substrate substantially covers an orthographic projection of the third planarization layer in the first dam structure on the base substrate; an orthographic projection of the second signal line layer in the first dam structure on the base substrate substantially covers an orthographic projection of the third planarization layer in the first dam structure on the base substrate; and an  orthographic projection of the third signal line layer in the first dam structure on the base substrate substantially covers an orthographic projection of the third planarization layer in the first dam structure on the base substrate.

[0020] Optionally, the second dam structure comprises a first signal line layer on the base substrate, a passivation layer on a side of the first signal line layer away from the base substrate, a second signal line layer on a side of the passivation layer away from the base substrate, a first planarization layer on a side of the second signal line layer away from the base substrate, a third signal line layer on a side of the first planarization layer away from the base substrate, a second planarization layer on a side of the third signal line layer away from the base substrate, an anode material layer on a side of the second planarization layer away from the base substrate, a pixel definition layer on a side of the anode material layer away from the base substrate, and a spacer layer on a side of the pixel definition layer away from the base substrate; and the first dam structure comprises a first signal line layer on the base substrate, a second signal line layer on a side of the first signal line layer away from the base substrate, a third signal line layer on a side of the second signal line layer away from the base substrate, a second planarization layer on a side of the third signal line layer away from the base substrate, an anode material layer on a side of the second planarization layer away from the base substrate, a pixel definition layer on a side of the anode material layer away from the base substrate, and a spacer layer on a side of the pixel definition layer away from the base substrate.

[0021] Optionally, an orthographic projection of the second planarization layer in the second dam structure on the base substrate partially overlaps with an orthographic projection of the first signal line layer in the second dam structure on the base substrate, and is partially non-overlapping with the orthographic projection of the first signal line layer in the second dam structure on the base substrate; an orthographic projection of the second planarization layer in the second dam structure on the base substrate partially overlaps with an orthographic projection of the second signal line layer in the second dam structure on the base substrate, and is partially non-overlapping with the orthographic projection of the second signal line layer in the second dam structure on the base substrate; an orthographic projection of the second planarization layer in the second dam structure on the base substrate partially overlaps with an orthographic projection of the third signal line layer in the second dam structure on the base substrate, and is partially non-overlapping with the orthographic projection of the third signal line layer in the second dam structure on the base substrate; an orthographic projection of the first signal line layer in the first dam structure on the base substrate substantially covers an orthographic projection of the second planarization layer in the first dam structure on the base substrate; an orthographic projection of the second signal line layer in the first dam structure on the base substrate substantially covers an orthographic projection  of the second planarization layer in the first dam structure on the base substrate; and an orthographic projection of the third signal line layer in the first dam structure on the base substrate substantially covers an orthographic projection of the second planarization layer in the first dam structure on the base substrate.

[0022] In another aspect, the present disclosure provides a display apparatus, comprising the array substrate described herein, and one or more integrated circuits connected to the array substrate.

[0023] BRIEF DESCRIPTION OF THE FIGURES

[0024] The following drawings are merely examples for illustrative purposes according to various disclosed embodiments and are not intended to limit the scope of the present invention.

[0025] FIG. 1 illustrates a detailed structure in a display area in a display apparatus in some embodiments according to the present disclosure.

[0026] FIG. 2 illustrates a detailed structure in a display area in a display apparatus in some embodiments according to the present disclosure.

[0027] FIG. 3 is a plan view of an array substrate in some embodiments according to the present disclosure.

[0028] FIG. 4 is a zoom-in view of a first zoom-in region in the array substrate depicted in FIG. 3.

[0029] FIG. 5 is a zoom-in view of a second zoom-in region in the array substrate depicted in FIG. 3.

[0030] FIG. 6 is a plan view of a first dam structure and a second dam structure in an array substrate in some embodiments according to the present disclosure.

[0031] FIG. 7 is a cross-sectional view of an array substrate in some embodiments according to the present disclosure.

[0032] FIG. 8A is a cross-sectional view of an array substrate in some embodiments according to the present disclosure.

[0033] FIG. 8B shows an image of monitoring ink position in a related array substrate.

[0034] FIG. 8C shows an image of monitoring ink position in an array substrate according to the present disclosure.

[0035] FIG. 9 is a cross-sectional view of an array substrate in some embodiments according to the present disclosure.

[0036] FIG. 10 is a cross-sectional view of an array substrate in some embodiments according to the present disclosure.

[0037] FIG. 11 is a cross-sectional view of an array substrate in some embodiments according to the present disclosure.

[0038] FIG. 12 is a cross-sectional view of an array substrate in some embodiments according to the present disclosure.

[0039] FIG. 13 is a cross-sectional view of an array substrate in some embodiments according to the present disclosure.DETAILED DESCRIPTION

[0040] The disclosure will now be described more specifically with reference to the following embodiments. It is to be noted that the following descriptions of some embodiments are presented herein for purpose of illustration and description only. It is not intended to be exhaustive or to be limited to the precise form disclosed.

[0041] The present disclosure provides, inter alia, an array substrate and a display apparatus that substantially obviate one or more of the problems due to limitations and disadvantages of the related art. In one aspect, the present disclosure provides an array substrate. In some embodiments, the array substrate includes a first dam structure and a second dam structure in a peripheral area of the array substrate; a first groove between the first dam structure and a display area of the array substrate; and a second groove between the first dam structure and the second dam structure. Optionally, along a plane perpendicular to a surface of a base substrate and intersecting the first dam structure, the second dam structure, the first groove, and the second groove, the first groove has a first average width, and the second groove has a second average width. Optionally, a ratio of the second average width to the first average width is in a range of 1.25: 1 to 1.75: 1.

[0042] FIG. 1 illustrates a detailed structure in a display area in a display apparatus in some embodiments according to the present disclosure. Referring to FIG. 1, the display apparatus in the display area in some embodiments includes a base substrate BS (e.g., a flexible base substrate) ; an active layer ACT of a respective one of a plurality of thin film transistors TFT on the base substrate BS; a gate insulating layer GI on a side of the active layer ACT away from the base substrate BS; a gate electrode G and a first capacitor electrode Ce1 (both are parts of a first gate metal layer) on a side of the gate insulating layer GI away from the base substrate BS; an insulating layer IN on a side of the gate electrode G and the first capacitor electrode Ce1 away from the gate insulating layer GI; a second capacitor electrode Ce2 (a part of a second gate metal layer) on a side of the insulating layer IN away from the gate insulating layer GI; an inter-layer dielectric layer ILD on a side of the second capacitor  electrode Ce2 away from the gate insulating layer GI; a source electrode S and a drain electrode D (parts of a first SD metal layer) on a side of the inter-layer dielectric layer ILD away from the gate insulating layer GI; a passivation layer PVX on a side of the source electrode S and the drain electrode D away from the inter-layer dielectric layer ILD; a first planarization layer PLN1 on a side of the passivation layer PVX away from the inter-layer dielectric layer ILD; a relay electrode RE (part of a second SD metal layer) on a side of the first planarization layer PLN1 away from the passivation layer PVX; a second planarization layer PLN2 on a side of the relay electrode RE away from the first planarization layer PLN1; a pixel definition layer PDL defining a subpixel aperture and on a side of the second planarization layer PLN2 away from the base substrate BS; and a light emitting element LE in the subpixel aperture. The light emitting element LE includes an anode AD on a side of the second planarization layer PLN2 away from the first planarization layer PLN1; a light emitting layer EL on a side of the anode AD away from the second planarization layer PLN2; and a cathode layer CD on a side of the light emitting layer EL away from the anode AD. The display apparatus in the display area further includes an encapsulating layer EN encapsulating the dummy light emitting element DLE, and on a side of the cathode layer CD away from the base substrate BS. The encapsulating layer EN in some embodiments includes a first inorganic encapsulating sub-layer CVD1 on a side of the cathode layer CD away from the base substrate BS, an organic encapsulating sub-layer IJP on a side of the first inorganic encapsulating sub-layer CVD1 away from the base substrate BS, and a second inorganic encapsulating sub-layer CVD2 on a side of the organic encapsulating sub-layer IJP away from the first inorganic encapsulating sub-layer CVD1. The display apparatus in the display area further includes a buffer layer BUF on a side of the encapsulating layer EN away from the base substrate BS; a plurality of second electrode bridges BR2 on a side of the buffer layer BUF away from the encapsulating layer EN; a touch insulating layer TI on a side of the plurality of second electrode bridges BR2 away from the buffer layer BUF; a plurality of first touch electrodes TE1 on a side of the touch insulating layer TI away from the buffer layer BUF; and an overcoat layer OC on a side of the plurality of first touch electrodes TE1 away from the touch insulating layer TI. Optionally, the display apparatus in the display area does not include the passivation layer PVX, e.g., the inter-layer dielectric layer ILD is in direct contact with the first planarization layer PLN1.

[0043] Referring to FIG. 1, the display apparatus includes a semiconductor material layer SML, a first gate metal layer Gate1, a second gate metal layer Gate2, a first signal line layer SLL1, and a second signal line layer SLL2. The display apparatus further includes an insulating layer IN between the first gate metal layer Gate1 and the second gate metal layer Gate2; an inter-layer dielectric layer ILD between the second gate metal layer Gate2 and the first signal line layer SLL1; and at least a passivation layer PVX or a planarization layer PLN between the first signal line layer SLL1 and the second signal line layer SLL2. Optionally,  the plurality of second electrode bridges BR2 are in a first touch metal layer ML1, and the plurality of first touch electrodes TE1 are in a second touch metal layer ML2.

[0044] FIG. 2 illustrates a detailed structure in a display area in a display apparatus in some embodiments according to the present disclosure. Referring to FIG. 2, the display apparatus in the display area in some embodiments includes a base substrate BS (e.g., a flexible base substrate) ; an active layer ACT of a respective one of a plurality of thin film transistors TFT on the base substrate BS; a gate insulating layer GI on a side of the active layer ACT away from the base substrate BS; a gate electrode G and a first capacitor electrode Ce1 (both are parts of a first gate metal layer) on a side of the gate insulating layer GI away from the base substrate BS; an insulating layer IN on a side of the gate electrode G and the first capacitor electrode Ce1 away from the gate insulating layer GI; a second capacitor electrode Ce2 (a part of a second gate metal layer) on a side of the insulating layer IN away from the gate insulating layer GI; an inter-layer dielectric layer ILD on a side of the second capacitor electrode Ce2 away from the gate insulating layer GI; a source electrode S and a drain electrode D (parts of a first SD metal layer) on a side of the inter-layer dielectric layer ILD away from the gate insulating layer GI; a passivation layer PVX on a side of the source electrode S and the drain electrode D away from the inter-layer dielectric layer ILD; a first planarization layer PLN1 on a side of the passivation layer PVX away from the inter-layer dielectric layer ILD; a first relay electrode RE1 (part of a second SD metal layer) on a side of the first planarization layer PLN1 away from the passivation layer PVX; a second planarization layer PLN2 on a side of the first relay electrode RE1 away from the first planarization layer PLN1; a second relay electrode RE2 on a side of the second planarization layer PLN2 away from the first planarization layer PLN1; a third planarization layer PLN3 on a side of the second relay electrode RE2 away from the second planarization layer PLN2; a pixel definition layer PDL defining a subpixel aperture and on a side of the third planarization layer PLN3 away from the base substrate BS; and a light emitting element LE in the subpixel aperture. The light emitting element LE includes an anode AD on a side of the second planarization layer PLN2 away from the first planarization layer PLN1; a light emitting layer EL on a side of the anode AD away from the second planarization layer PLN2; and a cathode layer CD on a side of the light emitting layer EL away from the anode AD. The display apparatus in the display area further includes an encapsulating layer EN encapsulating the dummy light emitting element DLE, and on a side of the cathode layer CD away from the base substrate BS. The encapsulating layer EN in some embodiments includes a first inorganic encapsulating sub-layer CVD1 on a side of the cathode layer CD away from the base substrate BS, an organic encapsulating sub-layer IJP on a side of the first inorganic encapsulating sub-layer CVD1 away from the base substrate BS, and a second inorganic encapsulating sub-layer CVD2 on a side of the organic encapsulating sub-layer IJP away from the first inorganic encapsulating sub-layer CVD1. The display apparatus in the display  area further includes a buffer layer BUF on a side of the encapsulating layer EN away from the base substrate BS; a plurality of second electrode bridges BR2 on a side of the buffer layer BUF away from the encapsulating layer EN; a touch insulating layer TI on a side of the plurality of second electrode bridges BR2 away from the buffer layer BUF; a plurality of first touch electrodes TE1 on a side of the touch insulating layer TI away from the buffer layer BUF; and an overcoat layer OC on a side of the plurality of first touch electrodes TE1 away from the touch insulating layer TI. Optionally, the display apparatus in the display area does not include the passivation layer PVX, e.g., the inter-layer dielectric layer ILD is in direct contact with the first planarization layer PLN1.

[0045] Referring to FIG. 2, the display apparatus includes a semiconductor material layer SML, a first gate metal layer Gate1, a second gate metal layer Gate2, a first signal line layer SLL1, a second signal line layer SLL2, and a third signal line layer SLL3. The display apparatus further includes an insulating layer IN between the first gate metal layer Gate1 and the second gate metal layer Gate2; an inter-layer dielectric layer ILD between the second gate metal layer Gate2 and the first signal line layer SLL1; at least a passivation layer PVX or a first planarization layer PLN1 between the first signal line layer SLL1 and the second signal line layer SLL2; and a second planarization layer PLN2 between the second signal line layer SLL2 and the third signal line layer SLL3. Optionally, the plurality of second electrode bridges BR2 are in a first touch metal layer ML1, and the plurality of first touch electrodes TE1 are in a second touch metal layer ML2.

[0046] FIG. 3 is a plan view of an array substrate in some embodiments according to the present disclosure. Referring to FIG. 3, the array substrate in some embodiments includes a display area DA and a peripheral area PA. As used herein, the term “display area” refers to an area of an array substrate in a display panel where image is actually displayed. Optionally, the display area may include both a subpixel region and an inter-subpixel region. A subpixel region refers to a light emission region of a subpixel, such as a region corresponding to a pixel electrode in a liquid crystal display or a region corresponding to a light emissive layer in an organic light emitting diode display panel. An inter-subpixel region refers to a region between adjacent subpixel regions, such as a region corresponding to a black matrix in a liquid crystal display or a region corresponding a pixel definition layer in an organic light emitting diode display panel. Optionally, the inter-subpixel region is a region between adjacent subpixel regions in a same pixel. Optionally, the inter-subpixel region is a region between two adjacent subpixel regions from two adjacent pixels. As used herein the term “peripheral area” refers to an area of an array substrate in a display panel where various circuits and wires are provided to transmit signals to the display substrate. To increase the transparency of the display apparatus, non-transparent or opaque components of the display  apparatus (e.g., battery, printed circuit board, metal frame) , can be disposed in the peripheral area rather than in the display areas.

[0047] FIG. 4 is a zoom-in view of a first zoom-in region in the array substrate depicted in FIG. 3. FIG. 5 is a zoom-in view of a second zoom-in region in the array substrate depicted in FIG. 3. Referring to FIG. 4 and FIG. 5, the array substrate in some embodiments includes a first dam structure DS1 in the peripheral area PA. In some embodiments, the array substrate further includes a first groove GV1 between the first dam structure DS1 and the display area DA. In some embodiments, the array substrate further includes a second dam structure DS2, and a second groove GV2 between the second dam structure DS2 and the first dam structure DS1.

[0048] FIG. 6 is a plan view of a first dam structure and a second dam structure in an array substrate in some embodiments according to the present disclosure. Referring to FIG. 6, in some embodiments, the first groove GV1 substantially (e.g., at least 50%, at least 55%, at least 60%, at least 65%, at least 70%, at least 75%, at least 80%, at least 85%, at least 90%, at least 95%, at least 99%, or 100%) surrounds the display area DA. In some embodiments, the first dam structure DS1 substantially (e.g., at least 50%, at least 55%, at least 60%, at least 65%, at least 70%, at least 75%, at least 80%, at least 85%, at least 90%, at least 95%, at least 99%, or 100%) surrounds the first groove GV1. In some embodiments, the second groove GV2 substantially (e.g., at least 50%, at least 55%, at least 60%, at least 65%, at least 70%, at least 75%, at least 80%, at least 85%, at least 90%, at least 95%, at least 99%, or 100%) surrounds the first dam structure DS1. In some embodiments, the second dam structure DS2 substantially (e.g., at least 50%, at least 55%, at least 60%, at least 65%, at least 70%, at least 75%, at least 80%, at least 85%, at least 90%, at least 95%, at least 99%, or 100%) the second groove GV2.

[0049] FIG. 7 is a cross-sectional view of an array substrate in some embodiments according to the present disclosure. Referring to FIG. 7, the array substrate in some embodiments includes a first dam structure DS1 and a second dam structure DS2 in the peripheral area PA. The array substrate further includes a first groove GV1 between the first dam structure DS1 and the display area DA, and a second groove GV2 between the first dam structure DS1 and the second dam structure DS2.

[0050] In the display area DA, the array substrate in some embodiments includes a base substrate BS, a first signal line layer SLL1 on the base substrate BS, a first planarization layer PLN1 on a side of the first signal line layer SLL1 away from the base substrate BS, a second signal line layer SLL2 on a side of the first planarization layer PLN1 away from the base substrate BS, a second planarization layer PLN2 on a side of the second signal line layer  SLL2 away from the base substrate BS, and an anode material layer ADL on a side of the second planarization layer PLN2 away from the base substrate BS.

[0051] In some embodiments, the first dam structure DS1 includes a base substrate BS, a first signal line layer SLL1 on the base substrate BS, a second signal line layer SLL2 on a side of the first signal line layer SLL1 away from the base substrate BS, a second planarization layer PLN2 on a side of the second signal line layer SLL2 away from the base substrate BS, an anode material layer ADL on a side of the second planarization layer PLN2 away from the base substrate BS, and a pixel definition layer PDL on a side of the anode material layer ADL away from the base substrate BS.

[0052] In some embodiments, the second dam structure DS2 includes a base substrate BS, a first signal line layer SLL1 on the base substrate BS, a passivation layer PVX on a side of the first signal line layer SLL1 away from the base substrate BS, a first planarization layer PLN1 on a side of the passivation layer PVX away from the base substrate BS, a second signal line layer SLL2 on a side of the first planarization layer PLN1 away from the base substrate BS, a second planarization layer PLN2 on a side of the second signal line layer SLL2 away from the base substrate BS, an anode material layer ADL on a side of the second planarization layer PLN2 away from the base substrate BS, a pixel definition layer PDL on a side of the anode material layer ADL away from the base substrate BS, and a spacer layer PS on a side of the pixel definition layer PDL away from the base substrate BS.

[0053] The inventors of the present disclosure discover that, in a display panel having a narrow bezel, the first groove GV1 often has to be made narrow. At the same time, an organic encapsulating layer used for encapsulating the array substrate is often made with a reduced thickness, thus the leveling performance of the organic encapsulating layer is increased. In the related display panel, the first dam structure DS1 includes a stacked structure having only a planarization layer and a pixel definition layer. The related display panel further includes a barrier structure comprising a stacked structure having two planarization layers in the display area DA. In the related display panel with a narrow bezel, a distance between the first dam structure DS1 and the barrier structure is further reduced. The inventors of the present disclosure discover that, due to a relatively small height of the first dam structure DS1 and the reduced distance to the barrier structure, the array substrate is prone to overflow risk in which the organic encapsulating layer flows over the first dam structure DS1. When overflow occurs, it is difficult to accurately determine the ink position because the dam structure is covered by the organic encapsulating layer. The inventors of the present disclosure discover that an intricate structure of the array substrate according to the present disclosure obviates these issues.

[0054] FIG. 8A is a cross-sectional view of an array substrate in some embodiments according to the present disclosure. FIG. 8A may be a cross-sectional view along, for example, an A-A’ or a B-B line in FIG. 3. Referring to FIG. 8A, the array substrate in some embodiments includes a first dam structure DS1 and a second dam structure DS2 in the peripheral area PA. The array substrate further includes a first groove GV1 between the first dam structure DS1 and the display area DA, and a second groove GV2 between the first dam structure DS1 and the second dam structure DS2.

[0055] In the display area DA, the array substrate in some embodiments includes a base substrate BS, a first signal line layer SLL1 on the base substrate BS, a first planarization layer PLN1 on a side of the first signal line layer SLL1 away from the base substrate BS, a second signal line layer SLL2 on a side of the first planarization layer PLN1 away from the base substrate BS, a second planarization layer PLN2 on a side of the second signal line layer SLL2 away from the base substrate BS, and an anode material layer ADL on a side of the second planarization layer PLN2 away from the base substrate BS.

[0056] In some embodiments, the first dam structure DS1 includes a base substrate BS, a first signal line layer SLL1 on the base substrate BS, a second signal line layer SLL2 on a side of the first signal line layer SLL1 away from the base substrate BS, a first planarization layer PLN1 on a side of the second signal line layer SLL2 away from the base substrate BS, a second planarization layer PLN2 on a side of the first planarization layer PLN1 away from the base substrate BS, an anode material layer ADL on a side of the second planarization layer PLN2 away from the base substrate BS, a pixel definition layer PDL on a side of the anode material layer ADL away from the base substrate BS, and a spacer layer PS on a side of the pixel definition layer PDL away from the base substrate BS.

[0057] In some embodiments, an orthographic projection of the second planarization layer PLN2 in the first dam structure DS1 on the base substrate BS substantially (e.g., at least 80%, at least 85%, at least 90%, at least 95%, at least 99%, or 100%) covers an orthographic projection of the first planarization layer PLN1 in the first dam structure DS1 on the base substrate BS. The inventors of the present disclosure discover that, by having the intricated structure according to the present disclosure, the first dam structure can have an enhanced height, and a difference between thicknesses of the first dam structure and the second dam structure can be reduced. As described above, the first dam structure in some embodiments includes the first planarization layer PLN1, the second planarization layer PLN2, the pixel definition layer PDL, and the spacer layer PS, achieving an enhanced thickness, and a reduced thickness difference as compared to the second dam structure. The intricate structure of the array substrate according to the present disclosure prevents overflow of organic encapsulating layer over the first dam structure, and is conducive to better monitoring the ink position.

[0058] In some embodiments, an orthographic projection of the anode material layer ADL in the first dam structure DS1 on the base substrate BS substantially (e.g., at least 80%, at least 85%, at least 90%, at least 95%, at least 99%, or 100%) covers an orthographic projection of the second planarization layer PLN2 in the first dam structure DS1 on the base substrate BS, and substantially (e.g., at least 80%, at least 85%, at least 90%, at least 95%, at least 99%, or 100%) covers an orthographic projection of the first planarization layer PLN1 in the first dam structure DS1 on the base substrate BS. The inventors of the present disclosure discover that, by having the intricated structure according to the present disclosure, the first dam structure can have an enhanced height, and a difference between thicknesses of the first dam structure and the second dam structure can be reduced. As described above, the first dam structure in some embodiments includes the first planarization layer PLN1, the second planarization layer PLN2, the pixel definition layer PDL, and the spacer layer PS, achieving an enhanced thickness, and a reduced thickness difference as compared to the second dam structure. The intricate structure of the array substrate according to the present disclosure prevents overflow of organic encapsulating layer over the first dam structure, and is conducive to better monitoring the ink position.

[0059] In some embodiments, an orthographic projection of the pixel definition layer PDL in the first dam structure DS1 on the base substrate BS substantially (e.g., at least 80%, at least 85%, at least 90%, at least 95%, at least 99%, or 100%) covers an orthographic projection of the anode material layer ADL in the first dam structure DS1 on the base substrate BS, substantially (e.g., at least 80%, at least 85%, at least 90%, at least 95%, at least 99%, or 100%) covers an orthographic projection of the second planarization layer PLN2 in the first dam structure DS1 on the base substrate BS, and substantially (e.g., at least 80%, at least 85%, at least 90%, at least 95%, at least 99%, or 100%) covers an orthographic projection of the first planarization layer PLN1 in the first dam structure DS1 on the base substrate BS. The inventors of the present disclosure discover that, by having the intricated structure according to the present disclosure, the first dam structure can have an enhanced height, and a difference between thicknesses of the first dam structure and the second dam structure can be reduced. As described above, the first dam structure in some embodiments includes the first planarization layer PLN1, the second planarization layer PLN2, the pixel definition layer PDL, and the spacer layer PS, achieving an enhanced thickness, and a reduced thickness difference as compared to the second dam structure. The intricate structure of the array substrate according to the present disclosure prevents overflow of organic encapsulating layer over the first dam structure, and is conducive to better monitoring the ink position.

[0060] In some embodiments, an orthographic projection of the pixel definition layer PDL in the first dam structure DS1 on the base substrate BS substantially (e.g., at least 80%, at  least 85%, at least 90%, at least 95%, at least 99%, or 100%) covers an orthographic projection of the spacer layer PS in the first dam structure DS1 on the base substrate BS. The inventors of the present disclosure discover that, by having the intricated structure according to the present disclosure, the first dam structure can have an enhanced height, and a difference between thicknesses of the first dam structure and the second dam structure can be reduced. As described above, the first dam structure in some embodiments includes the first planarization layer PLN1, the second planarization layer PLN2, the pixel definition layer PDL, and the spacer layer PS, achieving an enhanced thickness, and a reduced thickness difference as compared to the second dam structure. The intricate structure of the array substrate according to the present disclosure prevents overflow of organic encapsulating layer over the first dam structure, and is conducive to better monitoring the ink position.

[0061] In some embodiments, the second dam structure DS2 includes a base substrate BS, a first signal line layer SLL1 on the base substrate BS, a passivation layer PVX on a side of the first signal line layer SLL1 away from the base substrate BS, a first planarization layer PLN1 on a side of the passivation layer PVX away from the base substrate BS, a second planarization layer PLN2 on a side of the first planarization layer PLN1 away from the base substrate BS, an anode material layer ADL on a side of the second planarization layer PLN2 away from the base substrate BS, a pixel definition layer PDL on a side of the anode material layer ADL away from the base substrate BS, and a spacer layer PS on a side of the pixel definition layer PDL away from the base substrate BS. The inventors of the present disclosure discover that, by having the intricated structure according to the present disclosure, the first dam structure can have an enhanced height, and a difference between thicknesses of the first dam structure and the second dam structure can be reduced. As described above, the first dam structure in some embodiments includes the first planarization layer PLN1, the second planarization layer PLN2, the pixel definition layer PDL, and the spacer layer PS, achieving an enhanced thickness, and a reduced thickness difference as compared to the second dam structure. The intricate structure of the array substrate according to the present disclosure prevents overflow of organic encapsulating layer over the first dam structure, and is conducive to better monitoring the ink position.

[0062] In some embodiments, an orthographic projection of the second planarization layer PLN2 in the second dam structure DS2 on the base substrate BS substantially (e.g., at least 80%, at least 85%, at least 90%, at least 95%, at least 99%, or 100%) covers an orthographic projection of the first planarization layer PLN1 in the second dam structure DS2 on the base substrate BS. The inventors of the present disclosure discover that, by having the intricated structure according to the present disclosure, the first dam structure can have an enhanced height, and a difference between thicknesses of the first dam structure and the second dam structure can be reduced. As described above, the first dam structure in some embodiments  includes the first planarization layer PLN1, the second planarization layer PLN2, the pixel definition layer PDL, and the spacer layer PS, achieving an enhanced thickness, and a reduced thickness difference as compared to the second dam structure. The intricate structure of the array substrate according to the present disclosure prevents overflow of organic encapsulating layer over the first dam structure, and is conducive to better monitoring the ink position.

[0063] In some embodiments, an orthographic projection of the pixel definition layer PDL in the second dam structure DS2 on the base substrate BS substantially (e.g., at least 80%, at least 85%, at least 90%, at least 95%, at least 99%, or 100%) covers an orthographic projection of the second planarization layer PLN2 in the second dam structure DS2 on the base substrate BS, and substantially (e.g., at least 80%, at least 85%, at least 90%, at least 95%, at least 99%, or 100%) covers an orthographic projection of the first planarization layer PLN1 in the second dam structure DS2 on the base substrate BS. The inventors of the present disclosure discover that, by having the intricated structure according to the present disclosure, the first dam structure can have an enhanced height, and a difference between thicknesses of the first dam structure and the second dam structure can be reduced. As described above, the first dam structure in some embodiments includes the first planarization layer PLN1, the second planarization layer PLN2, the pixel definition layer PDL, and the spacer layer PS, achieving an enhanced thickness, and a reduced thickness difference as compared to the second dam structure. The intricate structure of the array substrate according to the present disclosure prevents overflow of organic encapsulating layer over the first dam structure, and is conducive to better monitoring the ink position.

[0064] In some embodiments, an orthographic projection of the pixel definition layer PDL in the second dam structure DS2 on the base substrate BS substantially (e.g., at least 80%, at least 85%, at least 90%, at least 95%, at least 99%, or 100%) covers an orthographic projection of the spacer layer PS in the second dam structure DS2 on the base substrate BS. The inventors of the present disclosure discover that, by having the intricated structure according to the present disclosure, the first dam structure can have an enhanced height, and a difference between thicknesses of the first dam structure and the second dam structure can be reduced. As described above, the first dam structure in some embodiments includes the first planarization layer PLN1, the second planarization layer PLN2, the pixel definition layer PDL, and the spacer layer PS, achieving an enhanced thickness, and a reduced thickness difference as compared to the second dam structure. The intricate structure of the array substrate according to the present disclosure prevents overflow of organic encapsulating layer over the first dam structure, and is conducive to better monitoring the ink position.

[0065] In some embodiments, an orthographic projection of the pixel definition layer PDL in the second dam structure DS2 on the base substrate BS substantially (e.g., at least 80%, at  least 85%, at least 90%, at least 95%, at least 99%, or 100%) covers an orthographic projection of the second signal line layer SLL2 in the second dam structure DS2 on the base substrate BS, and substantially (e.g., at least 80%, at least 85%, at least 90%, at least 95%, at least 99%, or 100%) covers an orthographic projection of the anode material layer ADL in the second dam structure DS2 on the base substrate BS. The inventors of the present disclosure discover that, by having the intricated structure according to the present disclosure, the first dam structure can have an enhanced height, and a difference between thicknesses of the first dam structure and the second dam structure can be reduced. As described above, the first dam structure in some embodiments includes the first planarization layer PLN1, the second planarization layer PLN2, the pixel definition layer PDL, and the spacer layer PS, achieving an enhanced thickness, and a reduced thickness difference as compared to the second dam structure. The intricate structure of the array substrate according to the present disclosure prevents overflow of organic encapsulating layer over the first dam structure, and is conducive to better monitoring the ink position.

[0066] In some embodiments, an orthographic projection of the first planarization layer PLN1 in the second dam structure DS2 on the base substrate BS partially overlaps with an orthographic projection of the second signal line layer SLL2 in the second dam structure DS2 on the base substrate BS, and is partially non-overlapping with the orthographic projection of the second signal line layer SLL2 in the second dam structure DS2 on the base substrate BS. The inventors of the present disclosure discover that, by having the intricated structure according to the present disclosure, the first dam structure can have an enhanced height, and a difference between thicknesses of the first dam structure and the second dam structure can be reduced. As described above, the first dam structure in some embodiments includes the first planarization layer PLN1, the second planarization layer PLN2, the pixel definition layer PDL, and the spacer layer PS, achieving an enhanced thickness, and a reduced thickness difference as compared to the second dam structure. The intricate structure of the array substrate according to the present disclosure prevents overflow of organic encapsulating layer over the first dam structure, and is conducive to better monitoring the ink position.

[0067] In some embodiments, an orthographic projection of the second planarization layer PLN2 in the second dam structure DS2 on the base substrate BS partially overlaps with an orthographic projection of the second signal line layer SLL2 in the second dam structure DS2 on the base substrate BS, and is partially non-overlapping with the orthographic projection of the second signal line layer SLL2 in the second dam structure DS2 on the base substrate BS. The inventors of the present disclosure discover that, by having the intricated structure according to the present disclosure, the first dam structure can have an enhanced height, and a difference between thicknesses of the first dam structure and the second dam structure can be reduced. As described above, the first dam structure in some embodiments includes the first  planarization layer PLN1, the second planarization layer PLN2, the pixel definition layer PDL, and the spacer layer PS, achieving an enhanced thickness, and a reduced thickness difference as compared to the second dam structure. The intricate structure of the array substrate according to the present disclosure prevents overflow of organic encapsulating layer over the first dam structure, and is conducive to better monitoring the ink position.

[0068] In some embodiments, an orthographic projection of the pixel definition layer PDL in the second dam structure DS2 on the base substrate BS partially overlaps with an orthographic projection of the second signal line layer SLL2 in the second dam structure DS2 on the base substrate BS, and is partially non-overlapping with the orthographic projection of the second signal line layer SLL2 in the second dam structure DS2 on the base substrate BS. The inventors of the present disclosure discover that, by having the intricated structure according to the present disclosure, the first dam structure can have an enhanced height, and a difference between thicknesses of the first dam structure and the second dam structure can be reduced. As described above, the first dam structure in some embodiments includes the first planarization layer PLN1, the second planarization layer PLN2, the pixel definition layer PDL, and the spacer layer PS, achieving an enhanced thickness, and a reduced thickness difference as compared to the second dam structure. The intricate structure of the array substrate according to the present disclosure prevents overflow of organic encapsulating layer over the first dam structure, and is conducive to better monitoring the ink position.

[0069] In some embodiments, an orthographic projection of the first planarization layer PLN1 in the second dam structure DS2 on the base substrate BS partially overlaps with an orthographic projection of the anode material layer ADL in the second dam structure DS2 on the base substrate BS, and is partially non-overlapping with the orthographic projection of the anode material layer ADL in the second dam structure DS2 on the base substrate BS. The inventors of the present disclosure discover that, by having the intricated structure according to the present disclosure, the first dam structure can have an enhanced height, and a difference between thicknesses of the first dam structure and the second dam structure can be reduced. As described above, the first dam structure in some embodiments includes the first planarization layer PLN1, the second planarization layer PLN2, the pixel definition layer PDL, and the spacer layer PS, achieving an enhanced thickness, and a reduced thickness difference as compared to the second dam structure. The intricate structure of the array substrate according to the present disclosure prevents overflow of organic encapsulating layer over the first dam structure, and is conducive to better monitoring the ink position.

[0070] In some embodiments, an orthographic projection of the second planarization layer PLN2 in the second dam structure DS2 on the base substrate BS partially overlaps with an orthographic projection of the anode material layer ADL in the second dam structure DS2 on the base substrate BS, and is partially non-overlapping with the orthographic projection of the  anode material layer ADL in the second dam structure DS2 on the base substrate BS. The inventors of the present disclosure discover that, by having the intricated structure according to the present disclosure, the first dam structure can have an enhanced height, and a difference between thicknesses of the first dam structure and the second dam structure can be reduced. As described above, the first dam structure in some embodiments includes the first planarization layer PLN1, the second planarization layer PLN2, the pixel definition layer PDL, and the spacer layer PS, achieving an enhanced thickness, and a reduced thickness difference as compared to the second dam structure. The intricate structure of the array substrate according to the present disclosure prevents overflow of organic encapsulating layer over the first dam structure, and is conducive to better monitoring the ink position.

[0071] In some embodiments, an orthographic projection of the pixel definition layer PDL in the second dam structure DS2 on the base substrate BS partially overlaps with an orthographic projection of the anode material layer ADL in the second dam structure DS2 on the base substrate BS, and is partially non-overlapping with the orthographic projection of the anode material layer ADL in the second dam structure DS2 on the base substrate BS. The inventors of the present disclosure discover that, by having the intricated structure according to the present disclosure, the first dam structure can have an enhanced height, and a difference between thicknesses of the first dam structure and the second dam structure can be reduced. As described above, the first dam structure in some embodiments includes the first planarization layer PLN1, the second planarization layer PLN2, the pixel definition layer PDL, and the spacer layer PS, achieving an enhanced thickness, and a reduced thickness difference as compared to the second dam structure. The intricate structure of the array substrate according to the present disclosure prevents overflow of organic encapsulating layer over the first dam structure, and is conducive to better monitoring the ink position.

[0072] In some embodiments, an orthographic projection of the first planarization layer PLN1 in the second dam structure DS2 on the base substrate BS partially overlaps with an orthographic projection of the passivation layer PVX in the second dam structure DS2 on the base substrate BS, and is partially non-overlapping with the orthographic projection of the passivation layer PVX in the second dam structure DS2 on the base substrate BS. The inventors of the present disclosure discover that, by having the intricated structure according to the present disclosure, the first dam structure can have an enhanced height, and a difference between thicknesses of the first dam structure and the second dam structure can be reduced. As described above, the first dam structure in some embodiments includes the first planarization layer PLN1, the second planarization layer PLN2, the pixel definition layer PDL, and the spacer layer PS, achieving an enhanced thickness, and a reduced thickness difference as compared to the second dam structure. The intricate structure of the array  substrate according to the present disclosure prevents overflow of organic encapsulating layer over the first dam structure, and is conducive to better monitoring the ink position.

[0073] In some embodiments, an orthographic projection of the second planarization layer PLN2 in the second dam structure DS2 on the base substrate BS partially overlaps with an orthographic projection of the passivation layer PVX in the second dam structure DS2 on the base substrate BS, and is partially non-overlapping with the orthographic projection of the passivation layer PVX in the second dam structure DS2 on the base substrate BS. The inventors of the present disclosure discover that, by having the intricated structure according to the present disclosure, the first dam structure can have an enhanced height, and a difference between thicknesses of the first dam structure and the second dam structure can be reduced. As described above, the first dam structure in some embodiments includes the first planarization layer PLN1, the second planarization layer PLN2, the pixel definition layer PDL, and the spacer layer PS, achieving an enhanced thickness, and a reduced thickness difference as compared to the second dam structure. The intricate structure of the array substrate according to the present disclosure prevents overflow of organic encapsulating layer over the first dam structure, and is conducive to better monitoring the ink position.

[0074] In some embodiments, an orthographic projection of the pixel definition layer PDL in the second dam structure DS2 on the base substrate BS partially overlaps with an orthographic projection of the passivation layer PVX in the second dam structure DS2 on the base substrate BS, and is partially non-overlapping with the orthographic projection of the passivation layer PVX in the second dam structure DS2 on the base substrate BS. The inventors of the present disclosure discover that, by having the intricated structure according to the present disclosure, the first dam structure can have an enhanced height, and a difference between thicknesses of the first dam structure and the second dam structure can be reduced. As described above, the first dam structure in some embodiments includes the first planarization layer PLN1, the second planarization layer PLN2, the pixel definition layer PDL, and the spacer layer PS, achieving an enhanced thickness, and a reduced thickness difference as compared to the second dam structure. The intricate structure of the array substrate according to the present disclosure prevents overflow of organic encapsulating layer over the first dam structure, and is conducive to better monitoring the ink position.

[0075] In some embodiments, a first portion of the passivation layer PVX in the second dam structure DS2 is in direct contact with the first signal line layer SLL1 in the second dam structure DS2, and is in direct contact with the first planarization layer PLN1 in the second dam structure DS2; a second portion of the passivation layer PVX in the second dam structure DS2 is in direct contact with the first signal line layer SLL1 in the second dam structure DS2, and is in direct contact with the second planarization layer PLN2 in the second dam structure DS2; and a third portion of the passivation layer PVX in the second dam  structure DS2 is in direct contact with the first signal line layer SLL1 in the second dam structure DS2, and is in direct contact with the pixel definition layer PDL in the second dam structure DS2.

[0076] In some embodiments, the second signal line layer SLL2 in the second dam structure DS2 is in direct contact with the first planarization layer PLN1 in the second dam structure DS2, and is in direct contact with the second planarization layer PLN2 in the second dam structure DS2.

[0077] In some embodiments, the anode material layer ADL in the second dam structure DS2 is in direct contact with the second planarization layer PLN2 in the second dam structure DS2, and is in direct contact with the pixel definition layer PDL in the second dam structure DS2.

[0078] In some embodiments, the passivation layer PVX is absent in the first dam structure DS1. In some embodiments, an orthographic projection of the passivation layer PVX on the base substrate BS is non-overlapping with an orthographic projection of the first dam structure DS1 on the base substrate BS.

[0079] Referring to FIG. 8A, FIG. 4, and FIG. 5, along a plane perpendicular to a surface of the base substrate BS and intersecting the first dam structure DS1, the second dam structure DS2, the first groove GV1, and the second groove GV2, a first average width of the first groove GV1 is w1, a second average width of the second groove GV2 is w2. In some embodiments, a ratio of the second average width w2 to the first average width w1 is in a range of 1.25: 1 to 1.75: 1, e.g., 1.25: 1 to 1.30: 1, 1.30: 1 to 1.35: 1, 1.35: 1 to 1.40: 1, 1.40: 1 to 1.45: 1, 1.45: 1 to 1.50: 1, 1.50: 1 to 1.55: 1, 1.55: 1 to 1.60: 1, 1.60: 1 to 1.65: 1, 1.65: 1 to 1.70: 1, or 1.70: 1 to 1.75: 1. Optionally, the ratio of the second average width w2 to the first average width w1 is in a range of 1.65: 1 to 1.70: 1. In one example, the ratio of the second average width w2 to the first average width w1 is 5: 3. In another example, the first average width w1 is 24 μm, and the second average width w2 is 40 μm. The inventors of the present disclosure discover that, by having the intricated structure according to the present disclosure, the first dam structure can have an enhanced height, and a difference between thicknesses of the first dam structure and the second dam structure can be reduced. As described above, the first dam structure in some embodiments includes the first planarization layer PLN1, the second planarization layer PLN2, the pixel definition layer PDL, and the spacer layer PS, achieving an enhanced thickness, and a reduced thickness difference as compared to the second dam structure. The intricate structure of the array substrate according to the present disclosure prevents overflow of organic encapsulating layer over the first dam structure, and is conducive to better monitoring the ink position.

[0080] In some embodiments, the first dam structure DS1 has a first thickness t1, the second dam structure DS2 has a second thickness t2. In some embodiments, a difference between the first thickness t1 and the second thickness t2 is in a range of 0 to 15 μm, e.g., 0 to 1 μm, 1 μm to 2 μm, 2 μm to 3 μm, 3 μm to 4 μm, 4 μm to 5 μm, 5 μm to 6 μm, 6 μm to 7 μm, 7 μm to 8 μm, 8 μm to 9 μm, 9 μm to 10 μm, 10 μm to 11 μm, 11 μm to 12 μm, 12 μm to 13 μm, 13 μm to 14 μm, or 14 μm to 15 μm. The inventors of the present disclosure discover that, by having the intricated structure according to the present disclosure, the first dam structure can have an enhanced height, and a difference between thicknesses of the first dam structure and the second dam structure can be reduced. As described above, the first dam structure in some embodiments includes the first planarization layer PLN1, the second planarization layer PLN2, the pixel definition layer PDL, and the spacer layer PS, achieving an enhanced thickness, and a reduced thickness difference as compared to the second dam structure. The intricate structure of the array substrate according to the present disclosure prevents overflow of organic encapsulating layer over the first dam structure, and is conducive to better monitoring the ink position.

[0081] In some embodiments, along a plane perpendicular to a surface of the base substrate BS and intersecting the first dam structure DS1, the second dam structure DS2, the first groove GV1, and the second groove GV2, a first minimum distance d1 between a portion the first planarization layer PLN1 in the first dam structure DS1 and a portion the first planarization layer PLN1 in the second dam structure DS2 is greater than a second minimum distance d2 between a portion the second planarization layer PLN2 in the first dam structure DS1 and a portion the second planarization layer PLN2 in the second dam structure DS2.

[0082] FIG. 8B shows an image of monitoring ink position in a related array substrate. As shown in FIG. 8B, in the related display panel, it is difficult to accurately determine the ink position because the dam structure is covered by the organic encapsulating layer. FIG. 8C shows an image of monitoring ink position in an array substrate according to the present disclosure. As shown in FIG. 8C, in the array substrate according to the present disclosure, the first dam structure DS1 and the second dam structure DS2 are easily detectable. The ink position can be accurately determined in the array substrate according to the present disclosure.

[0083] FIG. 9 is a cross-sectional view of an array substrate in some embodiments according to the present disclosure. FIG. 9 may be a cross-sectional view along, for example, an A-A’ or a B-B line in FIG. 3. Referring to FIG. 9, the array substrate in some embodiments includes a first dam structure DS1 and a second dam structure DS2 in the peripheral area PA. The array substrate further includes a first groove GV1 between the first dam structure DS1 and the display area DA, and a second groove GV2 between the first dam structure DS1 and the second dam structure DS2.

[0084] In the display area DA, the array substrate in some embodiments includes a base substrate BS, a first signal line layer SLL1 on the base substrate BS, a passivation layer PVX on a side of the first signal line layer SLL1 away from the base substrate BS, a first planarization layer PLN1 on a side of the passivation layer PVX away from the base substrate BS, and a second planarization layer PLN2 on a side of the first planarization layer PLN1 away from the base substrate BS.

[0085] In some embodiments, the first dam structure DS1 includes a base substrate BS, a first signal line layer SLL1 on the base substrate BS, a passivation layer PVX on a side of the first signal line layer SLL1 away from the base substrate BS, a second planarization layer PLN2 on a side of the passivation layer PVX away from the base substrate BS, and a pixel definition layer PDL on a side of the second planarization layer PLN2 away from the base substrate BS.

[0086] In some embodiments, an orthographic projection of the pixel definition layer PDL in the first dam structure DS1 on the base substrate BS substantially (e.g., at least 80%, at least 85%, at least 90%, at least 95%, at least 99%, or 100%) covers an orthographic projection of the second planarization layer PLN2 in the first dam structure DS1 on the base substrate BS. The inventors of the present disclosure discover that, by having the intricated structure according to the present disclosure, the first dam structure can have an enhanced height, and a difference between thicknesses of the first dam structure and the second dam structure can be reduced. As described above, the first dam structure in some embodiments includes at least the passivation layer PVX, the second planarization layer PLN2, and the pixel definition layer PDL, achieving an enhanced thickness, and a reduced thickness difference as compared to the second dam structure. The intricate structure of the array substrate according to the present disclosure prevents overflow of organic encapsulating layer over the first dam structure, and is conducive to better monitoring the ink position.

[0087] In some embodiments, an orthographic projection of the passivation layer PVX in the first dam structure DS1 on the base substrate BS substantially (e.g., at least 80%, at least 85%, at least 90%, at least 95%, at least 99%, or 100%) covers an orthographic projection of the second planarization layer PLN2 in the first dam structure DS1 on the base substrate BS. The inventors of the present disclosure discover that, by having the intricated structure according to the present disclosure, the first dam structure can have an enhanced height, and a difference between thicknesses of the first dam structure and the second dam structure can be reduced. As described above, the first dam structure in some embodiments includes at least the passivation layer PVX, the second planarization layer PLN2, and the pixel definition layer PDL, achieving an enhanced thickness, and a reduced thickness difference as compared to the second dam structure. The intricate structure of the array substrate according to the  present disclosure prevents overflow of organic encapsulating layer over the first dam structure, and is conducive to better monitoring the ink position.

[0088] In some embodiments, an orthographic projection of the first signal line layer SLL1 in the first dam structure DS1 on the base substrate BS substantially (e.g., at least 80%, at least 85%, at least 90%, at least 95%, at least 99%, or 100%) covers an orthographic projection of the second planarization layer PLN2 in the first dam structure DS1 on the base substrate BS. The inventors of the present disclosure discover that, by having the intricated structure according to the present disclosure, the first dam structure can have an enhanced height, and a difference between thicknesses of the first dam structure and the second dam structure can be reduced. As described above, the first dam structure in some embodiments includes at least the passivation layer PVX, the second planarization layer PLN2, and the pixel definition layer PDL, achieving an enhanced thickness, and a reduced thickness difference as compared to the second dam structure. The intricate structure of the array substrate according to the present disclosure prevents overflow of organic encapsulating layer over the first dam structure, and is conducive to better monitoring the ink position.

[0089] In some embodiments, an orthographic projection of the first signal line layer SLL1 in the first dam structure DS1 on the base substrate BS substantially (e.g., at least 80%, at least 85%, at least 90%, at least 95%, at least 99%, or 100%) covers an orthographic projection of the pixel definition layer PDL in the first dam structure DS1 on the base substrate BS. The inventors of the present disclosure discover that, by having the intricated structure according to the present disclosure, the first dam structure can have an enhanced height, and a difference between thicknesses of the first dam structure and the second dam structure can be reduced. As described above, the first dam structure in some embodiments includes at least the passivation layer PVX, the second planarization layer PLN2, and the pixel definition layer PDL, achieving an enhanced thickness, and a reduced thickness difference as compared to the second dam structure. The intricate structure of the array substrate according to the present disclosure prevents overflow of organic encapsulating layer over the first dam structure, and is conducive to better monitoring the ink position.

[0090] In some embodiments, the second dam structure DS2 includes a base substrate BS, a first signal line layer SLL1 on the base substrate BS, a passivation layer PVX on a side of the first signal line layer SLL1 away from the base substrate BS, a first planarization layer PLN1 on a side of the passivation layer PVX away from the base substrate BS, a second planarization layer PLN2 on a side of the first planarization layer PLN1 away from the base substrate BS, and a pixel definition layer PDL on a side of the second planarization layer PLN2 away from the base substrate BS. The inventors of the present disclosure discover that, by having the intricated structure according to the present disclosure, the first dam structure can have an enhanced height, and a difference between thicknesses of the first dam  structure and the second dam structure can be reduced. As described above, the first dam structure in some embodiments includes at least the passivation layer PVX, the second planarization layer PLN2, and the pixel definition layer PDL, achieving an enhanced thickness, and a reduced thickness difference as compared to the second dam structure. The intricate structure of the array substrate according to the present disclosure prevents overflow of organic encapsulating layer over the first dam structure, and is conducive to better monitoring the ink position.

[0091] In some embodiments, an orthographic projection of the second planarization layer PLN2 in the second dam structure DS2 on the base substrate BS substantially (e.g., at least 80%, at least 85%, at least 90%, at least 95%, at least 99%, or 100%) covers an orthographic projection of the first planarization layer PLN1 in the second dam structure DS2 on the base substrate BS. The inventors of the present disclosure discover that, by having the intricated structure according to the present disclosure, the first dam structure can have an enhanced height, and a difference between thicknesses of the first dam structure and the second dam structure can be reduced. As described above, the first dam structure in some embodiments includes at least the passivation layer PVX, the second planarization layer PLN2, and the pixel definition layer PDL, achieving an enhanced thickness, and a reduced thickness difference as compared to the second dam structure. The intricate structure of the array substrate according to the present disclosure prevents overflow of organic encapsulating layer over the first dam structure, and is conducive to better monitoring the ink position.

[0092] In some embodiments, an orthographic projection of the pixel definition layer PDL in the second dam structure DS2 on the base substrate BS substantially (e.g., at least 80%, at least 85%, at least 90%, at least 95%, at least 99%, or 100%) covers an orthographic projection of the second planarization layer PLN2 in the second dam structure DS2 on the base substrate BS, and substantially (e.g., at least 80%, at least 85%, at least 90%, at least 95%, at least 99%, or 100%) covers an orthographic projection of the first planarization layer PLN1 in the second dam structure DS2 on the base substrate BS. The inventors of the present disclosure discover that, by having the intricated structure according to the present disclosure, the first dam structure can have an enhanced height, and a difference between thicknesses of the first dam structure and the second dam structure can be reduced. As described above, the first dam structure in some embodiments includes at least the passivation layer PVX, the second planarization layer PLN2, and the pixel definition layer PDL, achieving an enhanced thickness, and a reduced thickness difference as compared to the second dam structure. The intricate structure of the array substrate according to the present disclosure prevents overflow of organic encapsulating layer over the first dam structure, and is conducive to better monitoring the ink position.

[0093] In some embodiments, an orthographic projection of the passivation layer PVX in the second dam structure DS2 on the base substrate BS substantially (e.g., at least 80%, at least 85%, at least 90%, at least 95%, at least 99%, or 100%) covers an orthographic projection of the second planarization layer PLN2 in the second dam structure DS2 on the base substrate BS, and substantially (e.g., at least 80%, at least 85%, at least 90%, at least 95%, at least 99%, or 100%) covers an orthographic projection of the first planarization layer PLN1 in the second dam structure DS2 on the base substrate BS. The inventors of the present disclosure discover that, by having the intricated structure according to the present disclosure, the first dam structure can have an enhanced height, and a difference between thicknesses of the first dam structure and the second dam structure can be reduced. As described above, the first dam structure in some embodiments includes at least the passivation layer PVX, the second planarization layer PLN2, and the pixel definition layer PDL, achieving an enhanced thickness, and a reduced thickness difference as compared to the second dam structure. The intricate structure of the array substrate according to the present disclosure prevents overflow of organic encapsulating layer over the first dam structure, and is conducive to better monitoring the ink position.

[0094] In some embodiments, an orthographic projection of the first planarization layer PLN1 in the second dam structure DS2 on the base substrate BS partially overlaps with an orthographic projection of the first signal line layer SLL1 in the second dam structure DS2 on the base substrate BS, and is partially non-overlapping with the orthographic projection of the first signal line layer SLL1 in the second dam structure DS2 on the base substrate BS. The inventors of the present disclosure discover that, by having the intricated structure according to the present disclosure, the first dam structure can have an enhanced height, and a difference between thicknesses of the first dam structure and the second dam structure can be reduced. As described above, the first dam structure in some embodiments includes at least the passivation layer PVX, the second planarization layer PLN2, and the pixel definition layer PDL, achieving an enhanced thickness, and a reduced thickness difference as compared to the second dam structure. The intricate structure of the array substrate according to the present disclosure prevents overflow of organic encapsulating layer over the first dam structure, and is conducive to better monitoring the ink position.

[0095] In some embodiments, an orthographic projection of the second planarization layer PLN2 in the second dam structure DS2 on the base substrate BS partially overlaps with an orthographic projection of the first signal line layer SLL1 in the second dam structure DS2 on the base substrate BS, and is partially non-overlapping with the orthographic projection of the first signal line layer SLL1 in the second dam structure DS2 on the base substrate BS. The inventors of the present disclosure discover that, by having the intricated structure according to the present disclosure, the first dam structure can have an enhanced height, and a  difference between thicknesses of the first dam structure and the second dam structure can be reduced. As described above, the first dam structure in some embodiments includes at least the passivation layer PVX, the second planarization layer PLN2, and the pixel definition layer PDL, achieving an enhanced thickness, and a reduced thickness difference as compared to the second dam structure. The intricate structure of the array substrate according to the present disclosure prevents overflow of organic encapsulating layer over the first dam structure, and is conducive to better monitoring the ink position.

[0096] In some embodiments, an orthographic projection of the pixel definition layer PDL in the second dam structure DS2 on the base substrate BS partially overlaps with an orthographic projection of the first signal line layer SLL1 in the second dam structure DS2 on the base substrate BS, and is partially non-overlapping with the orthographic projection of the first signal line layer SLL1 in the second dam structure DS2 on the base substrate BS. The inventors of the present disclosure discover that, by having the intricated structure according to the present disclosure, the first dam structure can have an enhanced height, and a difference between thicknesses of the first dam structure and the second dam structure can be reduced. As described above, the first dam structure in some embodiments includes at least the passivation layer PVX, the second planarization layer PLN2, and the pixel definition layer PDL, achieving an enhanced thickness, and a reduced thickness difference as compared to the second dam structure. The intricate structure of the array substrate according to the present disclosure prevents overflow of organic encapsulating layer over the first dam structure, and is conducive to better monitoring the ink position.

[0097] In some embodiments, an orthographic projection of the passivation layer PVX in the second dam structure DS2 on the base substrate BS partially overlaps with an orthographic projection of the first signal line layer SLL1 in the second dam structure DS2 on the base substrate BS, and is partially non-overlapping with the orthographic projection of the first signal line layer SLL1 in the second dam structure DS2 on the base substrate BS. The inventors of the present disclosure discover that, by having the intricated structure according to the present disclosure, the first dam structure can have an enhanced height, and a difference between thicknesses of the first dam structure and the second dam structure can be reduced. As described above, the first dam structure in some embodiments includes at least the passivation layer PVX, the second planarization layer PLN2, and the pixel definition layer PDL, achieving an enhanced thickness, and a reduced thickness difference as compared to the second dam structure. The intricate structure of the array substrate according to the present disclosure prevents overflow of organic encapsulating layer over the first dam structure, and is conducive to better monitoring the ink position.

[0098] In some embodiments, in a region comprising the first dam structure DS1, the second dam structure DS2, and the second groove GV2, a first area where an orthographic  projection of the passivation layer PVX on the base substrate BS and an orthographic projection of the first signal line layer SLL1 on the base substrate BS overlap with each other is greater than a second area where the orthographic projection of the passivation layer PVX on the base substrate BS and an orthographic projection of the second dam structure DS2 on the base substrate BS overlap with each other, and is less than a sum of the second area, and a third area where the orthographic projection of the passivation layer PVX on the base substrate BS and an orthographic projection of the first dam structure DS1 on the base substrate BS overlap with each other.

[0099] Referring to FIG. 9, FIG. 4, and FIG. 5, along a plane perpendicular to a surface of the base substrate BS and intersecting the first dam structure DS1, the second dam structure DS2, the first groove GV1, and the second groove GV2, a first average width of the first groove GV1 is w1, a second average width of the second groove GV2 is w2. In some embodiments, a ratio of the second average width w2 to the first average width w1 is in a range of 1.25: 1 to 1.75: 1, e.g., 1.25: 1 to 1.30: 1, 1.30: 1 to 1.35: 1, 1.35: 1 to 1.40: 1, 1.40: 1 to 1.45: 1, 1.45: 1 to 1.50: 1, 1.50: 1 to 1.55: 1, 1.55: 1 to 1.60: 1, 1.60: 1 to 1.65: 1, 1.65: 1 to 1.70: 1, or 1.70: 1 to 1.75: 1. Optionally, the ratio of the second average width w2 to the first average width w1 is in a range of 1.65: 1 to 1.70: 1. In one example, the ratio of the second average width w2 to the first average width w1 is 5: 3. In another example, the first average width w1 is 24 μm, and the second average width w2 is 40 μm. The inventors of the present disclosure discover that, by having the intricated structure according to the present disclosure, the first dam structure can have an enhanced height, and a difference between thicknesses of the first dam structure and the second dam structure can be reduced. As described above, the first dam structure in some embodiments includes at least the passivation layer PVX, the second planarization layer PLN2, and the pixel definition layer PDL, achieving an enhanced thickness, and a reduced thickness difference as compared to the second dam structure. The intricate structure of the array substrate according to the present disclosure prevents overflow of organic encapsulating layer over the first dam structure, and is conducive to better monitoring the ink position.

[0100] In some embodiments, the first dam structure DS1 has a first thickness t1, the second dam structure DS2 has a second thickness t2. In some embodiments, a difference between the first thickness t1 and the second thickness t2 is in a range of 0 to 15 μm, e.g., 0 to 1 μm, 1 μm to 2 μm, 2 μm to 3 μm, 3 μm to 4 μm, 4 μm to 5 μm, 5 μm to 6 μm, 6 μm to 7 μm, 7 μm to 8 μm, 8 μm to 9 μm, 9 μm to 10 μm, 10 μm to 11 μm, 11 μm to 12 μm, 12 μm to 13 μm, 13 μm to 14 μm, or 14 μm to 15 μm. The first thickness t1 is slightly less than the second thickness t2 due to the enhancement contributed by the passivation layer PVX in the first dam structure DS1. The inventors of the present disclosure discover that, by having the intricated structure according to the present disclosure, the first dam structure can have an  enhanced height, and a difference between thicknesses of the first dam structure and the second dam structure can be reduced. As described above, the first dam structure in some embodiments includes at least the passivation layer PVX, the second planarization layer PLN2, and the pixel definition layer PDL, achieving an enhanced thickness, and a reduced thickness difference as compared to the second dam structure. The intricate structure of the array substrate according to the present disclosure prevents overflow of organic encapsulating layer over the first dam structure, and is conducive to better monitoring the ink position.

[0101] FIG. 10 is a cross-sectional view of an array substrate in some embodiments according to the present disclosure. FIG. 10 may be a cross-sectional view along, for example, an A-A’ or a B-B line in FIG. 3. Referring to FIG. 10, the array substrate in some embodiments includes a first dam structure DS1 and a second dam structure DS2 in the peripheral area PA. The array substrate further includes a first groove GV1 between the first dam structure DS1 and the display area DA, and a second groove GV2 between the first dam structure DS1 and the second dam structure DS2.

[0102] In the display area DA, the array substrate in some embodiments includes a base substrate BS, a first signal line layer SLL1 on the base substrate BS, a passivation layer PVX on a side of the first signal line layer SLL1 away from the base substrate BS, a first planarization layer PLN1 on a side of the passivation layer PVX away from the base substrate BS, and a second planarization layer PLN2 on a side of the first planarization layer PLN1 away from the base substrate BS.

[0103] In some embodiments, the first dam structure DS1 includes a base substrate BS, a first signal line layer SLL1 on the base substrate BS, a passivation layer PVX on a side of the first signal line layer SLL1 away from the base substrate BS, a third planarization layer PLN3 on a side of the passivation layer PVX away from the base substrate BS, and a pixel definition layer PDL on a side of the third planarization layer PLN3 away from the base substrate BS.

[0104] In some embodiments, an orthographic projection of the pixel definition layer PDL in the first dam structure DS1 on the base substrate BS substantially (e.g., at least 80%, at least 85%, at least 90%, at least 95%, at least 99%, or 100%) covers an orthographic projection of the third planarization layer PLN3 in the first dam structure DS1 on the base substrate BS. The inventors of the present disclosure discover that, by having the intricated structure according to the present disclosure, the first dam structure can have an enhanced height, and a difference between thicknesses of the first dam structure and the second dam structure can be reduced. As described above, the first dam structure in some embodiments includes at least the passivation layer PVX, the third planarization layer PLN3, and the pixel definition layer PDL, achieving an enhanced thickness, and a reduced thickness difference as  compared to the second dam structure. The intricate structure of the array substrate according to the present disclosure prevents overflow of organic encapsulating layer over the first dam structure, and is conducive to better monitoring the ink position.

[0105] In some embodiments, an orthographic projection of the passivation layer PVX in the first dam structure DS1 on the base substrate BS substantially (e.g., at least 80%, at least 85%, at least 90%, at least 95%, at least 99%, or 100%) covers an orthographic projection of the third planarization layer PLN3 in the first dam structure DS1 on the base substrate BS. The inventors of the present disclosure discover that, by having the intricated structure according to the present disclosure, the first dam structure can have an enhanced height, and a difference between thicknesses of the first dam structure and the second dam structure can be reduced. As described above, the first dam structure in some embodiments includes at least the passivation layer PVX, the third planarization layer PLN3, and the pixel definition layer PDL, achieving an enhanced thickness, and a reduced thickness difference as compared to the second dam structure. The intricate structure of the array substrate according to the present disclosure prevents overflow of organic encapsulating layer over the first dam structure, and is conducive to better monitoring the ink position.

[0106] In some embodiments, an orthographic projection of the first signal line layer SLL1 in the first dam structure DS1 on the base substrate BS substantially (e.g., at least 80%, at least 85%, at least 90%, at least 95%, at least 99%, or 100%) covers an orthographic projection of the third planarization layer PLN3 in the first dam structure DS1 on the base substrate BS. The inventors of the present disclosure discover that, by having the intricated structure according to the present disclosure, the first dam structure can have an enhanced height, and a difference between thicknesses of the first dam structure and the second dam structure can be reduced. As described above, the first dam structure in some embodiments includes at least the passivation layer PVX, the third planarization layer PLN3, and the pixel definition layer PDL, achieving an enhanced thickness, and a reduced thickness difference as compared to the second dam structure. The intricate structure of the array substrate according to the present disclosure prevents overflow of organic encapsulating layer over the first dam structure, and is conducive to better monitoring the ink position.

[0107] In some embodiments, the second dam structure DS2 includes a base substrate BS, a first signal line layer SLL1 on the base substrate BS, a passivation layer PVX on a side of the first signal line layer SLL1 away from the base substrate BS, a third planarization layer PLN3 on a side of the passivation layer PVX away from the base substrate BS, and a pixel definition layer PDL on a side of the third planarization layer PLN3 away from the base substrate BS. The inventors of the present disclosure discover that, by having the intricated structure according to the present disclosure, the first dam structure can have an enhanced height, and a difference between thicknesses of the first dam structure and the second dam  structure can be reduced. As described above, the first dam structure in some embodiments includes at least the passivation layer PVX, the third planarization layer PLN3, and the pixel definition layer PDL, achieving an enhanced thickness, and a reduced thickness difference as compared to the second dam structure. The intricate structure of the array substrate according to the present disclosure prevents overflow of organic encapsulating layer over the first dam structure, and is conducive to better monitoring the ink position.

[0108] In some embodiments, an orthographic projection of the pixel definition layer PDL in the second dam structure DS2 on the base substrate BS substantially (e.g., at least 80%, at least 85%, at least 90%, at least 95%, at least 99%, or 100%) covers an orthographic projection of the third planarization layer PLN3 in the second dam structure DS2 on the base substrate BS. The inventors of the present disclosure discover that, by having the intricated structure according to the present disclosure, the first dam structure can have an enhanced height, and a difference between thicknesses of the first dam structure and the second dam structure can be reduced. As described above, the first dam structure in some embodiments includes at least the passivation layer PVX, the third planarization layer PLN3, and the pixel definition layer PDL, achieving an enhanced thickness, and a reduced thickness difference as compared to the second dam structure. The intricate structure of the array substrate according to the present disclosure prevents overflow of organic encapsulating layer over the first dam structure, and is conducive to better monitoring the ink position.

[0109] In some embodiments, an orthographic projection of the passivation layer PVX in the second dam structure DS2 on the base substrate BS substantially (e.g., at least 80%, at least 85%, at least 90%, at least 95%, at least 99%, or 100%) covers an orthographic projection of the third planarization layer PLN3 in the second dam structure DS2 on the base substrate BS. The inventors of the present disclosure discover that, by having the intricated structure according to the present disclosure, the first dam structure can have an enhanced height, and a difference between thicknesses of the first dam structure and the second dam structure can be reduced. As described above, the first dam structure in some embodiments includes at least the passivation layer PVX, the third planarization layer PLN3, and the pixel definition layer PDL, achieving an enhanced thickness, and a reduced thickness difference as compared to the second dam structure. The intricate structure of the array substrate according to the present disclosure prevents overflow of organic encapsulating layer over the first dam structure, and is conducive to better monitoring the ink position.

[0110] In some embodiments, an orthographic projection of the passivation layer PVX in the second dam structure DS2 on the base substrate BS partially overlaps with an orthographic projection of the first signal line layer SLL1 in the second dam structure DS2 on the base substrate BS, and is partially non-overlapping with the orthographic projection of the first signal line layer SLL1 in the second dam structure DS2 on the base substrate BS. The  inventors of the present disclosure discover that, by having the intricated structure according to the present disclosure, the first dam structure can have an enhanced height, and a difference between thicknesses of the first dam structure and the second dam structure can be reduced. As described above, the first dam structure in some embodiments includes at least the passivation layer PVX, the third planarization layer PLN3, and the pixel definition layer PDL, achieving an enhanced thickness, and a reduced thickness difference as compared to the second dam structure. The intricate structure of the array substrate according to the present disclosure prevents overflow of organic encapsulating layer over the first dam structure, and is conducive to better monitoring the ink position.

[0111] In some embodiments, an orthographic projection of the third planarization layer PLN3 in the second dam structure DS2 on the base substrate BS partially overlaps with an orthographic projection of the first signal line layer SLL1 in the second dam structure DS2 on the base substrate BS, and is partially non-overlapping with the orthographic projection of the first signal line layer SLL1 in the second dam structure DS2 on the base substrate BS. The inventors of the present disclosure discover that, by having the intricated structure according to the present disclosure, the first dam structure can have an enhanced height, and a difference between thicknesses of the first dam structure and the second dam structure can be reduced. As described above, the first dam structure in some embodiments includes at least the passivation layer PVX, the third planarization layer PLN3, and the pixel definition layer PDL, achieving an enhanced thickness, and a reduced thickness difference as compared to the second dam structure. The intricate structure of the array substrate according to the present disclosure prevents overflow of organic encapsulating layer over the first dam structure, and is conducive to better monitoring the ink position.

[0112] In some embodiments, an orthographic projection of the pixel definition layer PDL in the second dam structure DS2 on the base substrate BS partially overlaps with an orthographic projection of the first signal line layer SLL1 in the second dam structure DS2 on the base substrate BS, and is partially non-overlapping with the orthographic projection of the first signal line layer SLL1 in the second dam structure DS2 on the base substrate BS. The inventors of the present disclosure discover that, by having the intricated structure according to the present disclosure, the first dam structure can have an enhanced height, and a difference between thicknesses of the first dam structure and the second dam structure can be reduced. As described above, the first dam structure in some embodiments includes at least the passivation layer PVX, the third planarization layer PLN3, and the pixel definition layer PDL, achieving an enhanced thickness, and a reduced thickness difference as compared to the second dam structure. The intricate structure of the array substrate according to the present disclosure prevents overflow of organic encapsulating layer over the first dam structure, and is conducive to better monitoring the ink position.

[0113] In some embodiments, in a region comprising the first dam structure DS1, the second dam structure DS2, and the second groove GV2, a first area where an orthographic projection of the passivation layer PVX on the base substrate BS and an orthographic projection of the first signal line layer SLL1 on the base substrate BS overlap with each other is greater than a third area where the orthographic projection of the passivation layer PVX on the base substrate BS and an orthographic projection of the first dam structure DS1 on the base substrate BS overlap with each other, and is less than a sum of the third area, and a second area where the orthographic projection of the passivation layer PVX on the base substrate BS and an orthographic projection of the second dam structure DS2 on the base substrate BS overlap with each other.

[0114] Referring to FIG. 10, FIG. 4, and FIG. 5, along a plane perpendicular to a surface of the base substrate BS and intersecting the first dam structure DS1, the second dam structure DS2, the first groove GV1, and the second groove GV2, a first average width of the first groove GV1 is w1, a second average width of the second groove GV2 is w2. In some embodiments, a ratio of the second average width w2 to the first average width w1 is in a range of 1.25: 1 to 1.75: 1, e.g., 1.25: 1 to 1.30: 1, 1.30: 1 to 1.35: 1, 1.35: 1 to 1.40: 1, 1.40: 1 to 1.45: 1, 1.45: 1 to 1.50: 1, 1.50: 1 to 1.55: 1, 1.55: 1 to 1.60: 1, 1.60: 1 to 1.65: 1, 1.65: 1 to 1.70: 1, or 1.70: 1 to 1.75: 1. Optionally, the ratio of the second average width w2 to the first average width w1 is in a range of 1.65: 1 to 1.70: 1. In one example, the ratio of the second average width w2 to the first average width w1 is 5: 3. In another example, the first average width w1 is 24 μm, and the second average width w2 is 40 μm. The inventors of the present disclosure discover that, by having the intricated structure according to the present disclosure, the first dam structure can have an enhanced height, and a difference between thicknesses of the first dam structure and the second dam structure can be reduced. As described above, the first dam structure in some embodiments includes at least the passivation layer PVX, the third planarization layer PLN3, and the pixel definition layer PDL, achieving an enhanced thickness, and a reduced thickness difference as compared to the second dam structure. The intricate structure of the array substrate according to the present disclosure prevents overflow of organic encapsulating layer over the first dam structure, and is conducive to better monitoring the ink position.

[0115] In some embodiments, the first dam structure DS1 has a first thickness t1, the second dam structure DS2 has a second thickness t2. In some embodiments, a difference between the first thickness t1 and the second thickness t2 is in a range of 0 to 15 μm, e.g., 0 to 1 μm, 1 μm to 2 μm, 2 μm to 3 μm, 3 μm to 4 μm, 4 μm to 5 μm, 5 μm to 6 μm, 6 μm to 7 μm, 7 μm to 8 μm, 8 μm to 9 μm, 9 μm to 10 μm, 10 μm to 11 μm, 11 μm to 12 μm, 12 μm to 13 μm, 13 μm to 14 μm, or 14 μm to 15 μm. The inventors of the present disclosure discover that, by having the intricated structure according to the present disclosure, the first  dam structure can have an enhanced height, and a difference between thicknesses of the first dam structure and the second dam structure can be reduced. As described above, the first dam structure in some embodiments includes at least the passivation layer PVX, the third planarization layer PLN3, and the pixel definition layer PDL, achieving an enhanced thickness, and a reduced thickness difference as compared to the second dam structure. The intricate structure of the array substrate according to the present disclosure prevents overflow of organic encapsulating layer over the first dam structure, and is conducive to better monitoring the ink position.

[0116] FIG. 11 is a cross-sectional view of an array substrate in some embodiments according to the present disclosure. FIG. 11 may be a cross-sectional view along, for example, an A-A’ or a B-B line in FIG. 3. Referring to FIG. 11, the array substrate in some embodiments includes a first dam structure DS1 and a second dam structure DS2 in the peripheral area PA. The array substrate further includes a first groove GV1 between the first dam structure DS1 and the display area DA, and a second groove GV2 between the first dam structure DS1 and the second dam structure DS2.

[0117] In the display area DA, the array substrate in some embodiments includes a base substrate BS, a first signal line layer SLL1 on the base substrate BS, a passivation layer PVX on a side of the first signal line layer SLL1 away from the base substrate BS, a first planarization layer PLN1 on a side of the passivation layer PVX away from the base substrate BS, and a second planarization layer PLN2 on a side of the first planarization layer PLN1 away from the base substrate BS.

[0118] In some embodiments, the first dam structure DS1 includes a base substrate BS, a first signal line layer SLL1 on the base substrate BS, a passivation layer PVX on a side of the first signal line layer SLL1 away from the base substrate BS, a second planarization layer PLN2 on a side of the passivation layer PVX away from the base substrate BS, a third planarization layer PLN3 on a side of the second planarization layer PLN2 away from the base substrate BS, a pixel definition layer PDL on a side of the third planarization layer PLN3 away from the base substrate BS, and a spacer layer PS on a side of the pixel definition layer PDL away from the base substrate BS.

[0119] In some embodiments, an orthographic projection of the third planarization layer PLN3 in the first dam structure DS1 on the base substrate BS substantially (e.g., at least 80%, at least 85%, at least 90%, at least 95%, at least 99%, or 100%) covers an orthographic projection of the second planarization layer PLN2 in the first dam structure DS1 on the base substrate BS. The inventors of the present disclosure discover that, by having the intricated structure according to the present disclosure, the first dam structure can have an enhanced height, and a difference between thicknesses of the first dam structure and the second dam  structure can be reduced. As described above, the first dam structure in some embodiments includes at least the passivation layer PVX, the second planarization layer PLN2, the third planarization layer PLN3, the pixel definition layer PDL, and the spacer layer PS, achieving an enhanced thickness, and a reduced thickness difference as compared to the second dam structure. The intricate structure of the array substrate according to the present disclosure prevents overflow of organic encapsulating layer over the first dam structure, and is conducive to better monitoring the ink position.

[0120] In some embodiments, an orthographic projection of the pixel definition layer PDL in the first dam structure DS1 on the base substrate BS substantially (e.g., at least 80%, at least 85%, at least 90%, at least 95%, at least 99%, or 100%) covers an orthographic projection of the third planarization layer PLN3 in the first dam structure DS1 on the base substrate BS, and substantially (e.g., at least 80%, at least 85%, at least 90%, at least 95%, at least 99%, or 100%) covers an orthographic projection of the second planarization layer PLN2 in the first dam structure DS1 on the base substrate BS. The inventors of the present disclosure discover that, by having the intricated structure according to the present disclosure, the first dam structure can have an enhanced height, and a difference between thicknesses of the first dam structure and the second dam structure can be reduced. As described above, the first dam structure in some embodiments includes at least the passivation layer PVX, the second planarization layer PLN2, the third planarization layer PLN3, the pixel definition layer PDL, and the spacer layer PS, achieving an enhanced thickness, and a reduced thickness difference as compared to the second dam structure. The intricate structure of the array substrate according to the present disclosure prevents overflow of organic encapsulating layer over the first dam structure, and is conducive to better monitoring the ink position.

[0121] In some embodiments, an orthographic projection of the first signal line layer SLL1 in the first dam structure DS1 on the base substrate BS substantially (e.g., at least 80%, at least 85%, at least 90%, at least 95%, at least 99%, or 100%) covers an orthographic projection of the third planarization layer PLN3 in the first dam structure DS1 on the base substrate BS, and substantially (e.g., at least 80%, at least 85%, at least 90%, at least 95%, at least 99%, or 100%) covers an orthographic projection of the second planarization layer PLN2 in the first dam structure DS1 on the base substrate BS. The inventors of the present disclosure discover that, by having the intricated structure according to the present disclosure, the first dam structure can have an enhanced height, and a difference between thicknesses of the first dam structure and the second dam structure can be reduced. As described above, the first dam structure in some embodiments includes at least the passivation layer PVX, the second planarization layer PLN2, the third planarization layer PLN3, the pixel definition layer PDL, and the spacer layer PS, achieving an enhanced thickness, and a reduced thickness difference as compared to the second dam structure. The intricate structure of the array  substrate according to the present disclosure prevents overflow of organic encapsulating layer over the first dam structure, and is conducive to better monitoring the ink position.

[0122] In some embodiments, the second dam structure DS2 includes a base substrate BS, a first signal line layer SLL1 on the base substrate BS, a passivation layer PVX on a side of the first signal line layer SLL1 away from the base substrate BS, a second planarization layer PLN2 on a side of the passivation layer PVX away from the base substrate BS, a third planarization layer PLN3 on a side of the second planarization layer PLN2 away from the base substrate BS, a pixel definition layer PDL on a side of the third planarization layer PLN3 away from the base substrate BS, and a spacer layer PS on a side of the pixel definition layer PDL away from the base substrate BS. The inventors of the present disclosure discover that, by having the intricated structure according to the present disclosure, the first dam structure can have an enhanced height, and a difference between thicknesses of the first dam structure and the second dam structure can be reduced. As described above, the first dam structure in some embodiments includes at least the passivation layer PVX, the second planarization layer PLN2, the third planarization layer PLN3, the pixel definition layer PDL, and the spacer layer PS, achieving an enhanced thickness, and a reduced thickness difference as compared to the second dam structure. The intricate structure of the array substrate according to the present disclosure prevents overflow of organic encapsulating layer over the first dam structure, and is conducive to better monitoring the ink position.

[0123] In some embodiments, an orthographic projection of the third planarization layer PLN3 in the second dam structure DS2 on the base substrate BS substantially (e.g., at least 80%, at least 85%, at least 90%, at least 95%, at least 99%, or 100%) covers an orthographic projection of the second planarization layer PLN2 in the second dam structure DS2 on the base substrate BS. The inventors of the present disclosure discover that, by having the intricated structure according to the present disclosure, the first dam structure can have an enhanced height, and a difference between thicknesses of the first dam structure and the second dam structure can be reduced. As described above, the first dam structure in some embodiments includes at least the passivation layer PVX, the second planarization layer PLN2, the third planarization layer PLN3, the pixel definition layer PDL, and the spacer layer PS, achieving an enhanced thickness, and a reduced thickness difference as compared to the second dam structure. The intricate structure of the array substrate according to the present disclosure prevents overflow of organic encapsulating layer over the first dam structure, and is conducive to better monitoring the ink position.

[0124] In some embodiments, an orthographic projection of the pixel definition layer PDL in the second dam structure DS2 on the base substrate BS substantially (e.g., at least 80%, at least 85%, at least 90%, at least 95%, at least 99%, or 100%) covers an orthographic projection of the third planarization layer PLN3 in the second dam structure DS2 on the base  substrate BS, and substantially (e.g., at least 80%, at least 85%, at least 90%, at least 95%, at least 99%, or 100%) covers an orthographic projection of the second planarization layer PLN2 in the second dam structure DS2 on the base substrate BS. The inventors of the present disclosure discover that, by having the intricated structure according to the present disclosure, the first dam structure can have an enhanced height, and a difference between thicknesses of the first dam structure and the second dam structure can be reduced. As described above, the first dam structure in some embodiments includes at least the passivation layer PVX, the second planarization layer PLN2, the third planarization layer PLN3, the pixel definition layer PDL, and the spacer layer PS, achieving an enhanced thickness, and a reduced thickness difference as compared to the second dam structure. The intricate structure of the array substrate according to the present disclosure prevents overflow of organic encapsulating layer over the first dam structure, and is conducive to better monitoring the ink position.

[0125] In some embodiments, an orthographic projection of the second planarization layer PLN2 in the second dam structure DS2 on the base substrate BS partially overlaps with an orthographic projection of the first signal line layer SLL1 in the second dam structure DS2 on the base substrate BS, and is partially non-overlapping with the orthographic projection of the first signal line layer SLL1 in the second dam structure DS2 on the base substrate BS. The inventors of the present disclosure discover that, by having the intricated structure according to the present disclosure, the first dam structure can have an enhanced height, and a difference between thicknesses of the first dam structure and the second dam structure can be reduced. As described above, the first dam structure in some embodiments includes at least the passivation layer PVX, the second planarization layer PLN2, the third planarization layer PLN3, the pixel definition layer PDL, and the spacer layer PS, achieving an enhanced thickness, and a reduced thickness difference as compared to the second dam structure. The intricate structure of the array substrate according to the present disclosure prevents overflow of organic encapsulating layer over the first dam structure, and is conducive to better monitoring the ink position.

[0126] In some embodiments, an orthographic projection of the third planarization layer PLN3 in the second dam structure DS2 on the base substrate BS partially overlaps with an orthographic projection of the first signal line layer SLL1 in the second dam structure DS2 on the base substrate BS, and is partially non-overlapping with the orthographic projection of the first signal line layer SLL1 in the second dam structure DS2 on the base substrate BS. The inventors of the present disclosure discover that, by having the intricated structure according to the present disclosure, the first dam structure can have an enhanced height, and a difference between thicknesses of the first dam structure and the second dam structure can be reduced. As described above, the first dam structure in some embodiments includes at least  the passivation layer PVX, the second planarization layer PLN2, the third planarization layer PLN3, the pixel definition layer PDL, and the spacer layer PS, achieving an enhanced thickness, and a reduced thickness difference as compared to the second dam structure. The intricate structure of the array substrate according to the present disclosure prevents overflow of organic encapsulating layer over the first dam structure, and is conducive to better monitoring the ink position.

[0127] In some embodiments, an orthographic projection of the pixel definition layer PDL in the second dam structure DS2 on the base substrate BS partially overlaps with an orthographic projection of the first signal line layer SLL1 in the second dam structure DS2 on the base substrate BS, and is partially non-overlapping with the orthographic projection of the first signal line layer SLL1 in the second dam structure DS2 on the base substrate BS. The inventors of the present disclosure discover that, by having the intricated structure according to the present disclosure, the first dam structure can have an enhanced height, and a difference between thicknesses of the first dam structure and the second dam structure can be reduced. As described above, the first dam structure in some embodiments includes at least the passivation layer PVX, the second planarization layer PLN2, the third planarization layer PLN3, the pixel definition layer PDL, and the spacer layer PS, achieving an enhanced thickness, and a reduced thickness difference as compared to the second dam structure. The intricate structure of the array substrate according to the present disclosure prevents overflow of organic encapsulating layer over the first dam structure, and is conducive to better monitoring the ink position.

[0128] In some embodiments, in a region comprising the first dam structure DS1, the second dam structure DS2, and the second groove GV2, a first area where an orthographic projection of the passivation layer PVX on the base substrate BS and an orthographic projection of the first signal line layer SLL1 on the base substrate BS overlap with each other is greater than a second area where the orthographic projection of the passivation layer PVX on the base substrate BS and an orthographic projection of the second dam structure DS2 on the base substrate BS overlap with each other, and is less than a sum of the second area, and a third area where the orthographic projection of the passivation layer PVX on the base substrate BS and an orthographic projection of the first dam structure DS1 on the base substrate BS overlap with each other.

[0129] Referring to FIG. 11, FIG. 4, and FIG. 5, along a plane perpendicular to a surface of the base substrate BS and intersecting the first dam structure DS1, the second dam structure DS2, the first groove GV1, and the second groove GV2, a first average width of the first groove GV1 is w1, a second average width of the second groove GV2 is w2. In some embodiments, a ratio of the second average width w2 to the first average width w1 is in a range of 1.25: 1 to 1.75: 1, e.g., 1.25: 1 to 1.30: 1, 1.30: 1 to 1.35: 1, 1.35: 1 to 1.40: 1, 1.40: 1 to  1.45: 1, 1.45: 1 to 1.50: 1, 1.50: 1 to 1.55: 1, 1.55: 1 to 1.60: 1, 1.60: 1 to 1.65: 1, 1.65: 1 to 1.70: 1, or 1.70: 1 to 1.75: 1. Optionally, the ratio of the second average width w2 to the first average width w1 is in a range of 1.65: 1 to 1.70: 1. In one example, the ratio of the second average width w2 to the first average width w1 is 5: 3. In another example, the first average width w1 is 24 μm, and the second average width w2 is 40 μm. The inventors of the present disclosure discover that, by having the intricated structure according to the present disclosure, the first dam structure can have an enhanced height, and a difference between thicknesses of the first dam structure and the second dam structure can be reduced. As described above, the first dam structure in some embodiments includes at least the passivation layer PVX, the second planarization layer PLN2, the third planarization layer PLN3, the pixel definition layer PDL, and the spacer layer PS, achieving an enhanced thickness, and a reduced thickness difference as compared to the second dam structure. The intricate structure of the array substrate according to the present disclosure prevents overflow of organic encapsulating layer over the first dam structure, and is conducive to better monitoring the ink position.

[0130] In some embodiments, the first dam structure DS1 has a first thickness t1, the second dam structure DS2 has a second thickness t2. In some embodiments, a difference between the first thickness t1 and the second thickness t2 is in a range of 0 to 15 μm, e.g., 0 to 1 μm, 1 μm to 2 μm, 2 μm to 3 μm, 3 μm to 4 μm, 4 μm to 5 μm, 5 μm to 6 μm, 6 μm to 7 μm, 7 μm to 8 μm, 8 μm to 9 μm, 9 μm to 10 μm, 10 μm to 11 μm, 11 μm to 12 μm, 12 μm to 13 μm, 13 μm to 14 μm, or 14 μm to 15 μm. The inventors of the present disclosure discover that, by having the intricated structure according to the present disclosure, the first dam structure can have an enhanced height, and a difference between thicknesses of the first dam structure and the second dam structure can be reduced. As described above, the first dam structure in some embodiments includes at least the passivation layer PVX, the second planarization layer PLN2, the third planarization layer PLN3, the pixel definition layer PDL, and the spacer layer PS, achieving an enhanced thickness, and a reduced thickness difference as compared to the second dam structure. The intricate structure of the array substrate according to the present disclosure prevents overflow of organic encapsulating layer over the first dam structure, and is conducive to better monitoring the ink position.

[0131] FIG. 12 is a cross-sectional view of an array substrate in some embodiments according to the present disclosure. FIG. 12 may be a cross-sectional view along, for example, an A-A’ or a B-B line in FIG. 3. Referring to FIG. 12, the array substrate in some embodiments includes a first dam structure DS1 and a second dam structure DS2 in the peripheral area PA. The array substrate further includes a first groove GV1 between the first dam structure DS1 and the display area DA, and a second groove GV2 between the first dam structure DS1 and the second dam structure DS2.

[0132] In the display area DA, the array substrate in some embodiments includes a base substrate BS, a first signal line layer SLL1 on the base substrate BS, a passivation layer PVX on a side of the first signal line layer SLL1 away from the base substrate BS, a second signal line layer SLL2 on a side of the passivation layer PVX away from the base substrate BS, a second planarization layer PLN2 on a side of the second signal line layer SLL2 away from the base substrate BS, a third signal line layer SLL3 on a side of the second planarization layer PLN2 away from the base substrate BS, a third planarization layer PLN3 on a side of the third signal line layer SLL3 away from the base substrate BS, an anode material layer ADL on a side of the third planarization layer PLN3 away from the base substrate BS, a pixel definition layer PDL on a side of the anode material layer ADL away from the base substrate BS, and a spacer layer PS on a side of the pixel definition layer PDL away from the base substrate BS.

[0133] In some embodiments, the first dam structure DS1 includes a base substrate BS, a first signal line layer SLL1 on the base substrate BS, a second signal line layer SLL2 on a side of the first signal line layer SLL1 away from the base substrate BS, a third signal line layer SLL3 on a side of the second signal line layer SLL2 away from the base substrate BS, a third planarization layer PLN3 on a side of the third signal line layer SLL3 away from the base substrate BS, an anode material layer ADL on a side of the third planarization layer PLN3 away from the base substrate BS, a pixel definition layer PDL on a side of the anode material layer ADL away from the base substrate BS, and a spacer layer PS on a side of the pixel definition layer PDL away from the base substrate BS.

[0134] In some embodiments, an orthographic projection of the pixel definition layer PDL in the first dam structure DS1 on the base substrate BS substantially (e.g., at least 80%, at least 85%, at least 90%, at least 95%, at least 99%, or 100%) covers an orthographic projection of the third planarization layer PLN3 in the first dam structure DS1 on the base substrate BS. The inventors of the present disclosure discover that, by having the intricated structure according to the present disclosure, the first dam structure can have an enhanced height, and a difference between thicknesses of the first dam structure and the second dam structure can be reduced. As described above, the first dam structure in some embodiments includes at least the third planarization layer PLN3, the pixel definition layer PDL, and the spacer layer PS, achieving an enhanced thickness, and a reduced thickness difference as compared to the second dam structure. The intricate structure of the array substrate according to the present disclosure prevents overflow of organic encapsulating layer over the first dam structure, and is conducive to better monitoring the ink position.

[0135] In some embodiments, an orthographic projection of the first signal line layer SLL1 in the first dam structure DS1 on the base substrate BS substantially (e.g., at least 80%, at least 85%, at least 90%, at least 95%, at least 99%, or 100%) covers an orthographic  projection of the third planarization layer PLN3 in the first dam structure DS1 on the base substrate BS. The inventors of the present disclosure discover that, by having the intricated structure according to the present disclosure, the first dam structure can have an enhanced height, and a difference between thicknesses of the first dam structure and the second dam structure can be reduced. As described above, the first dam structure in some embodiments includes at least the third planarization layer PLN3, the pixel definition layer PDL, and the spacer layer PS, achieving an enhanced thickness, and a reduced thickness difference as compared to the second dam structure. The intricate structure of the array substrate according to the present disclosure prevents overflow of organic encapsulating layer over the first dam structure, and is conducive to better monitoring the ink position.

[0136] In some embodiments, an orthographic projection of the second signal line layer SLL2 in the first dam structure DS1 on the base substrate BS substantially (e.g., at least 80%, at least 85%, at least 90%, at least 95%, at least 99%, or 100%) covers an orthographic projection of the third planarization layer PLN3 in the first dam structure DS1 on the base substrate BS. The inventors of the present disclosure discover that, by having the intricated structure according to the present disclosure, the first dam structure can have an enhanced height, and a difference between thicknesses of the first dam structure and the second dam structure can be reduced. As described above, the first dam structure in some embodiments includes at least the third planarization layer PLN3, the pixel definition layer PDL, and the spacer layer PS, achieving an enhanced thickness, and a reduced thickness difference as compared to the second dam structure. The intricate structure of the array substrate according to the present disclosure prevents overflow of organic encapsulating layer over the first dam structure, and is conducive to better monitoring the ink position.

[0137] In some embodiments, an orthographic projection of the third signal line layer SLL3 in the first dam structure DS1 on the base substrate BS substantially (e.g., at least 80%, at least 85%, at least 90%, at least 95%, at least 99%, or 100%) covers an orthographic projection of the third planarization layer PLN3 in the first dam structure DS1 on the base substrate BS. The inventors of the present disclosure discover that, by having the intricated structure according to the present disclosure, the first dam structure can have an enhanced height, and a difference between thicknesses of the first dam structure and the second dam structure can be reduced. As described above, the first dam structure in some embodiments includes at least the third planarization layer PLN3, the pixel definition layer PDL, and the spacer layer PS, achieving an enhanced thickness, and a reduced thickness difference as compared to the second dam structure. The intricate structure of the array substrate according to the present disclosure prevents overflow of organic encapsulating layer over the first dam structure, and is conducive to better monitoring the ink position.

[0138] In some embodiments, the second dam structure CS2 includes a base substrate BS, a first signal line layer SLL1 on the base substrate BS, a passivation layer PVX on a side of the first signal line layer SLL1 away from the base substrate BS, a second signal line layer SLL2 on a side of the passivation layer PVX away from the base substrate BS, a second planarization layer PLN2 on a side of the second signal line layer SLL2 away from the base substrate BS, a third signal line layer SLL3 on a side of the second planarization layer PLN2 away from the base substrate BS, a third planarization layer PLN3 on a side of the third signal line layer SLL3 away from the base substrate BS, an anode material layer ADL on a side of the third planarization layer PLN3 away from the base substrate BS, a pixel definition layer PDL on a side of the anode material layer ADL away from the base substrate BS, and a spacer layer PS on a side of the pixel definition layer PDL away from the base substrate BS.

[0139] In some embodiments, an orthographic projection of the third planarization layer PLN3 in the second dam structure CS2 on the base substrate BS substantially (e.g., at least 80%, at least 85%, at least 90%, at least 95%, at least 99%, or 100%) covers an orthographic projection of the second planarization layer PLN2 in the second dam structure CS2 on the base substrate BS. The inventors of the present disclosure discover that, by having the intricated structure according to the present disclosure, the first dam structure can have an enhanced height, and a difference between thicknesses of the first dam structure and the second dam structure can be reduced. As described above, the first dam structure in some embodiments includes at least the third planarization layer PLN3, the pixel definition layer PDL, and the spacer layer PS, achieving an enhanced thickness, and a reduced thickness difference as compared to the second dam structure. The intricate structure of the array substrate according to the present disclosure prevents overflow of organic encapsulating layer over the first dam structure, and is conducive to better monitoring the ink position.

[0140] In some embodiments, an orthographic projection of the pixel definition layer PDL in the second dam structure CS2 on the base substrate BS substantially (e.g., at least 80%, at least 85%, at least 90%, at least 95%, at least 99%, or 100%) covers an orthographic projection of the third planarization layer PLN3 in the second dam structure CS2 on the base substrate BS, and substantially (e.g., at least 80%, at least 85%, at least 90%, at least 95%, at least 99%, or 100%) covers an orthographic projection of the second planarization layer PLN2 in the second dam structure CS2 on the base substrate BS. The inventors of the present disclosure discover that, by having the intricated structure according to the present disclosure, the first dam structure can have an enhanced height, and a difference between thicknesses of the first dam structure and the second dam structure can be reduced. As described above, the first dam structure in some embodiments includes at least the third planarization layer PLN3, the pixel definition layer PDL, and the spacer layer PS, achieving an enhanced thickness, and a reduced thickness difference as compared to the second dam structure. The intricate  structure of the array substrate according to the present disclosure prevents overflow of organic encapsulating layer over the first dam structure, and is conducive to better monitoring the ink position.

[0141] In some embodiments, an orthographic projection of the passivation layer PVX in the second dam structure CS2 on the base substrate BS partially overlaps with an orthographic projection of the first signal line layer SLL1 in the second dam structure CS2 on the base substrate BS, and is partially non-overlapping with the orthographic projection of the first signal line layer SLL1 in the second dam structure CS2 on the base substrate BS. The inventors of the present disclosure discover that, by having the intricated structure according to the present disclosure, the first dam structure can have an enhanced height, and a difference between thicknesses of the first dam structure and the second dam structure can be reduced. As described above, the first dam structure in some embodiments includes at least the third planarization layer PLN3, the pixel definition layer PDL, and the spacer layer PS, achieving an enhanced thickness, and a reduced thickness difference as compared to the second dam structure. The intricate structure of the array substrate according to the present disclosure prevents overflow of organic encapsulating layer over the first dam structure, and is conducive to better monitoring the ink position.

[0142] In some embodiments, an orthographic projection of the second planarization layer PLN2 in the second dam structure CS2 on the base substrate BS partially overlaps with an orthographic projection of the first signal line layer SLL1 in the second dam structure CS2 on the base substrate BS, and is partially non-overlapping with the orthographic projection of the first signal line layer SLL1 in the second dam structure CS2 on the base substrate BS. The inventors of the present disclosure discover that, by having the intricated structure according to the present disclosure, the first dam structure can have an enhanced height, and a difference between thicknesses of the first dam structure and the second dam structure can be reduced. As described above, the first dam structure in some embodiments includes at least the third planarization layer PLN3, the pixel definition layer PDL, and the spacer layer PS, achieving an enhanced thickness, and a reduced thickness difference as compared to the second dam structure. The intricate structure of the array substrate according to the present disclosure prevents overflow of organic encapsulating layer over the first dam structure, and is conducive to better monitoring the ink position.

[0143] In some embodiments, an orthographic projection of the third planarization layer PLN3 in the second dam structure CS2 on the base substrate BS partially overlaps with an orthographic projection of the first signal line layer SLL1 in the second dam structure CS2 on the base substrate BS, and is partially non-overlapping with the orthographic projection of the first signal line layer SLL1 in the second dam structure CS2 on the base substrate BS. The inventors of the present disclosure discover that, by having the intricated structure according  to the present disclosure, the first dam structure can have an enhanced height, and a difference between thicknesses of the first dam structure and the second dam structure can be reduced. As described above, the first dam structure in some embodiments includes at least the third planarization layer PLN3, the pixel definition layer PDL, and the spacer layer PS, achieving an enhanced thickness, and a reduced thickness difference as compared to the second dam structure. The intricate structure of the array substrate according to the present disclosure prevents overflow of organic encapsulating layer over the first dam structure, and is conducive to better monitoring the ink position.

[0144] In some embodiments, an orthographic projection of the pixel definition layer PDL in the second dam structure CS2 on the base substrate BS partially overlaps with an orthographic projection of the first signal line layer SLL1 in the second dam structure CS2 on the base substrate BS, and is partially non-overlapping with the orthographic projection of the first signal line layer SLL1 in the second dam structure CS2 on the base substrate BS. The inventors of the present disclosure discover that, by having the intricated structure according to the present disclosure, the first dam structure can have an enhanced height, and a difference between thicknesses of the first dam structure and the second dam structure can be reduced. As described above, the first dam structure in some embodiments includes at least the third planarization layer PLN3, the pixel definition layer PDL, and the spacer layer PS, achieving an enhanced thickness, and a reduced thickness difference as compared to the second dam structure. The intricate structure of the array substrate according to the present disclosure prevents overflow of organic encapsulating layer over the first dam structure, and is conducive to better monitoring the ink position.

[0145] In some embodiments, an orthographic projection of the passivation layer PVX in the second dam structure CS2 on the base substrate BS partially overlaps with an orthographic projection of the second signal line layer SLL2 in the second dam structure CS2 on the base substrate BS, and is partially non-overlapping with the orthographic projection of the second signal line layer SLL2 in the second dam structure CS2 on the base substrate BS. The inventors of the present disclosure discover that, by having the intricated structure according to the present disclosure, the first dam structure can have an enhanced height, and a difference between thicknesses of the first dam structure and the second dam structure can be reduced. As described above, the first dam structure in some embodiments includes at least the third planarization layer PLN3, the pixel definition layer PDL, and the spacer layer PS, achieving an enhanced thickness, and a reduced thickness difference as compared to the second dam structure. The intricate structure of the array substrate according to the present disclosure prevents overflow of organic encapsulating layer over the first dam structure, and is conducive to better monitoring the ink position.

[0146] In some embodiments, an orthographic projection of the second planarization layer PLN2 in the second dam structure CS2 on the base substrate BS partially overlaps with an orthographic projection of the second signal line layer SLL2 in the second dam structure CS2 on the base substrate BS, and is partially non-overlapping with the orthographic projection of the second signal line layer SLL2 in the second dam structure CS2 on the base substrate BS. The inventors of the present disclosure discover that, by having the intricated structure according to the present disclosure, the first dam structure can have an enhanced height, and a difference between thicknesses of the first dam structure and the second dam structure can be reduced. As described above, the first dam structure in some embodiments includes at least the third planarization layer PLN3, the pixel definition layer PDL, and the spacer layer PS, achieving an enhanced thickness, and a reduced thickness difference as compared to the second dam structure. The intricate structure of the array substrate according to the present disclosure prevents overflow of organic encapsulating layer over the first dam structure, and is conducive to better monitoring the ink position.

[0147] In some embodiments, an orthographic projection of the third planarization layer PLN3 in the second dam structure CS2 on the base substrate BS partially overlaps with an orthographic projection of the second signal line layer SLL2 in the second dam structure CS2 on the base substrate BS, and is partially non-overlapping with the orthographic projection of the second signal line layer SLL2 in the second dam structure CS2 on the base substrate BS. The inventors of the present disclosure discover that, by having the intricated structure according to the present disclosure, the first dam structure can have an enhanced height, and a difference between thicknesses of the first dam structure and the second dam structure can be reduced. As described above, the first dam structure in some embodiments includes at least the third planarization layer PLN3, the pixel definition layer PDL, and the spacer layer PS, achieving an enhanced thickness, and a reduced thickness difference as compared to the second dam structure. The intricate structure of the array substrate according to the present disclosure prevents overflow of organic encapsulating layer over the first dam structure, and is conducive to better monitoring the ink position.

[0148] In some embodiments, an orthographic projection of the pixel definition layer PDL in the second dam structure CS2 on the base substrate BS partially overlaps with an orthographic projection of the second signal line layer SLL2 in the second dam structure CS2 on the base substrate BS, and is partially non-overlapping with the orthographic projection of the second signal line layer SLL2 in the second dam structure CS2 on the base substrate BS. The inventors of the present disclosure discover that, by having the intricated structure according to the present disclosure, the first dam structure can have an enhanced height, and a difference between thicknesses of the first dam structure and the second dam structure can be reduced. As described above, the first dam structure in some embodiments includes at least  the third planarization layer PLN3, the pixel definition layer PDL, and the spacer layer PS, achieving an enhanced thickness, and a reduced thickness difference as compared to the second dam structure. The intricate structure of the array substrate according to the present disclosure prevents overflow of organic encapsulating layer over the first dam structure, and is conducive to better monitoring the ink position.

[0149] In some embodiments, an orthographic projection of the passivation layer PVX in the second dam structure CS2 on the base substrate BS partially overlaps with an orthographic projection of the third signal line layer SLL3 in the second dam structure CS2 on the base substrate BS, and is partially non-overlapping with the orthographic projection of the third signal line layer SLL3 in the second dam structure CS2 on the base substrate BS. The inventors of the present disclosure discover that, by having the intricated structure according to the present disclosure, the first dam structure can have an enhanced height, and a difference between thicknesses of the first dam structure and the second dam structure can be reduced. As described above, the first dam structure in some embodiments includes at least the third planarization layer PLN3, the pixel definition layer PDL, and the spacer layer PS, achieving an enhanced thickness, and a reduced thickness difference as compared to the second dam structure. The intricate structure of the array substrate according to the present disclosure prevents overflow of organic encapsulating layer over the first dam structure, and is conducive to better monitoring the ink position.

[0150] In some embodiments, an orthographic projection of the second planarization layer PLN2 in the second dam structure CS2 on the base substrate BS partially overlaps with an orthographic projection of the third signal line layer SLL3 in the second dam structure CS2 on the base substrate BS, and is partially non-overlapping with the orthographic projection of the third signal line layer SLL3 in the second dam structure CS2 on the base substrate BS. The inventors of the present disclosure discover that, by having the intricated structure according to the present disclosure, the first dam structure can have an enhanced height, and a difference between thicknesses of the first dam structure and the second dam structure can be reduced. As described above, the first dam structure in some embodiments includes at least the third planarization layer PLN3, the pixel definition layer PDL, and the spacer layer PS, achieving an enhanced thickness, and a reduced thickness difference as compared to the second dam structure. The intricate structure of the array substrate according to the present disclosure prevents overflow of organic encapsulating layer over the first dam structure, and is conducive to better monitoring the ink position.

[0151] In some embodiments, an orthographic projection of the third planarization layer PLN3 in the second dam structure CS2 on the base substrate BS partially overlaps with an orthographic projection of the third signal line layer SLL3 in the second dam structure CS2 on the base substrate BS, and is partially non-overlapping with the orthographic projection of  the third signal line layer SLL3 in the second dam structure CS2 on the base substrate BS. The inventors of the present disclosure discover that, by having the intricated structure according to the present disclosure, the first dam structure can have an enhanced height, and a difference between thicknesses of the first dam structure and the second dam structure can be reduced. As described above, the first dam structure in some embodiments includes at least the third planarization layer PLN3, the pixel definition layer PDL, and the spacer layer PS, achieving an enhanced thickness, and a reduced thickness difference as compared to the second dam structure. The intricate structure of the array substrate according to the present disclosure prevents overflow of organic encapsulating layer over the first dam structure, and is conducive to better monitoring the ink position.

[0152] In some embodiments, an orthographic projection of the pixel definition layer PDL in the second dam structure CS2 on the base substrate BS partially overlaps with an orthographic projection of the third signal line layer SLL3 in the second dam structure CS2 on the base substrate BS, and is partially non-overlapping with the orthographic projection of the third signal line layer SLL3 in the second dam structure CS2 on the base substrate BS. The inventors of the present disclosure discover that, by having the intricated structure according to the present disclosure, the first dam structure can have an enhanced height, and a difference between thicknesses of the first dam structure and the second dam structure can be reduced. As described above, the first dam structure in some embodiments includes at least the third planarization layer PLN3, the pixel definition layer PDL, and the spacer layer PS, achieving an enhanced thickness, and a reduced thickness difference as compared to the second dam structure. The intricate structure of the array substrate according to the present disclosure prevents overflow of organic encapsulating layer over the first dam structure, and is conducive to better monitoring the ink position.

[0153] In some embodiments, an orthographic projection of the third planarization layer PLN3 in the second dam structure CS2 on the base substrate BS partially overlaps with an orthographic projection of the anode material layer ADL in the second dam structure CS2 on the base substrate BS, and is partially non-overlapping with the orthographic projection of the anode material layer ADL in the second dam structure CS2 on the base substrate BS. The inventors of the present disclosure discover that, by having the intricated structure according to the present disclosure, the first dam structure can have an enhanced height, and a difference between thicknesses of the first dam structure and the second dam structure can be reduced. As described above, the first dam structure in some embodiments includes at least the third planarization layer PLN3, the pixel definition layer PDL, and the spacer layer PS, achieving an enhanced thickness, and a reduced thickness difference as compared to the second dam structure. The intricate structure of the array substrate according to the present  disclosure prevents overflow of organic encapsulating layer over the first dam structure, and is conducive to better monitoring the ink position.

[0154] In some embodiments, an orthographic projection of the pixel definition layer PDL in the second dam structure CS2 on the base substrate BS partially overlaps with an orthographic projection of the anode material layer ADL in the second dam structure CS2 on the base substrate BS, and is partially non-overlapping with the orthographic projection of the anode material layer ADL in the second dam structure CS2 on the base substrate BS. The inventors of the present disclosure discover that, by having the intricated structure according to the present disclosure, the first dam structure can have an enhanced height, and a difference between thicknesses of the first dam structure and the second dam structure can be reduced. As described above, the first dam structure in some embodiments includes at least the third planarization layer PLN3, the pixel definition layer PDL, and the spacer layer PS, achieving an enhanced thickness, and a reduced thickness difference as compared to the second dam structure. The intricate structure of the array substrate according to the present disclosure prevents overflow of organic encapsulating layer over the first dam structure, and is conducive to better monitoring the ink position.

[0155] Referring to FIG. 12, FIG. 4, and FIG. 5, along a plane perpendicular to a surface of the base substrate BS and intersecting the first dam structure DS1, the second dam structure DS2, the first groove GV1, and the second groove GV2, a first average width of the first groove GV1 is w1, a second average width of the second groove GV2 is w2. In some embodiments, a ratio of the second average width w2 to the first average width w1 is in a range of 1.25: 1 to 1.75: 1, e.g., 1.25: 1 to 1.30: 1, 1.30: 1 to 1.35: 1, 1.35: 1 to 1.40: 1, 1.40: 1 to 1.45: 1, 1.45: 1 to 1.50: 1, 1.50: 1 to 1.55: 1, 1.55: 1 to 1.60: 1, 1.60: 1 to 1.65: 1, 1.65: 1 to 1.70: 1, or 1.70: 1 to 1.75: 1. Optionally, the ratio of the second average width w2 to the first average width w1 is in a range of 1.65: 1 to 1.70: 1. In one example, the ratio of the second average width w2 to the first average width w1 is 5: 3. In another example, the first average width w1 is 24 μm, and the second average width w2 is 40 μm. The inventors of the present disclosure discover that, by having the intricated structure according to the present disclosure, the first dam structure can have an enhanced height, and a difference between thicknesses of the first dam structure and the second dam structure can be reduced. As described above, the first dam structure in some embodiments includes at least the third planarization layer PLN3, the pixel definition layer PDL, and the spacer layer PS, achieving an enhanced thickness, and a reduced thickness difference as compared to the second dam structure. The intricate structure of the array substrate according to the present disclosure prevents overflow of organic encapsulating layer over the first dam structure, and is conducive to better monitoring the ink position.

[0156] In some embodiments, the first dam structure DS1 has a first thickness t1, the second dam structure DS2 has a second thickness t2. In some embodiments, a difference between the first thickness t1 and the second thickness t2 is in a range of 0 to 15 μm, e.g., 0 to 1 μm, 1 μm to 2 μm, 2 μm to 3 μm, 3 μm to 4 μm, 4 μm to 5 μm, 5 μm to 6 μm, 6 μm to 7 μm, 7 μm to 8 μm, 8 μm to 9 μm, 9 μm to 10 μm, 10 μm to 11 μm, 11 μm to 12 μm, 12 μm to 13 μm, 13 μm to 14 μm, or 14 μm to 15 μm. The inventors of the present disclosure discover that, by having the intricated structure according to the present disclosure, the first dam structure can have an enhanced height, and a difference between thicknesses of the first dam structure and the second dam structure can be reduced. As described above, the first dam structure in some embodiments includes at least the third planarization layer PLN3, the pixel definition layer PDL, and the spacer layer PS, achieving an enhanced thickness, and a reduced thickness difference as compared to the second dam structure. The intricate structure of the array substrate according to the present disclosure prevents overflow of organic encapsulating layer over the first dam structure, and is conducive to better monitoring the ink position.

[0157] FIG. 13 is a cross-sectional view of an array substrate in some embodiments according to the present disclosure. FIG. 13 may be a cross-sectional view along, for example, an A-A’ or a B-B line in FIG. 3. Referring to FIG. 13, the array substrate in some embodiments includes a first dam structure DS1 and a second dam structure DS2 in the peripheral area PA. The array substrate further includes a first groove GV1 between the first dam structure DS1 and the display area DA, and a second groove GV2 between the first dam structure DS1 and the second dam structure DS2.

[0158] In the display area DA, the array substrate in some embodiments includes a base substrate BS, a first signal line layer SLL1 on the base substrate BS, a passivation layer PVX on a side of the first signal line layer SLL1 away from the base substrate BS, a second signal line layer SLL2 on a side of the passivation layer PVX away from the base substrate BS, a second planarization layer PLN2 on a side of the second signal line layer SLL2 away from the base substrate BS, a third signal line layer SLL3 on a side of the second planarization layer PLN2 away from the base substrate BS, a third planarization layer PLN3 on a side of the third signal line layer SLL3 away from the base substrate BS, an anode material layer ADL on a side of the third planarization layer PLN3 away from the base substrate BS, a pixel definition layer PDL on a side of the anode material layer ADL away from the base substrate BS, and a spacer layer PS on a side of the pixel definition layer PDL away from the base substrate BS.

[0159] In some embodiments, the first dam structure DS1 includes a base substrate BS, a first signal line layer SLL1 on the base substrate BS, a second signal line layer SLL2 on a side of the first signal line layer SLL1 away from the base substrate BS, a third signal line  layer SLL3 on a side of the second signal line layer SLL2 away from the base substrate BS, a second planarization layer PLN2 on a side of the third signal line layer SLL3 away from the base substrate BS, an anode material layer ADL on a side of the second planarization layer PLN2 away from the base substrate BS, a pixel definition layer PDL on a side of the anode material layer ADL away from the base substrate BS, and a spacer layer PS on a side of the pixel definition layer PDL away from the base substrate BS.

[0160] In some embodiments, an orthographic projection of the pixel definition layer PDL in the first dam structure DS1 on the base substrate BS substantially (e.g., at least 80%, at least 85%, at least 90%, at least 95%, at least 99%, or 100%) covers an orthographic projection of the second planarization layer PLN2 in the first dam structure DS1 on the base substrate BS. The inventors of the present disclosure discover that, by having the intricated structure according to the present disclosure, the first dam structure can have an enhanced height, and a difference between thicknesses of the first dam structure and the second dam structure can be reduced. As described above, the first dam structure in some embodiments includes at least the second planarization layer PLN2, the pixel definition layer PDL, and the spacer layer PS, achieving an enhanced thickness, and a reduced thickness difference as compared to the second dam structure. The intricate structure of the array substrate according to the present disclosure prevents overflow of organic encapsulating layer over the first dam structure, and is conducive to better monitoring the ink position.

[0161] In some embodiments, an orthographic projection of the first signal line layer SLL1 in the first dam structure DS1 on the base substrate BS substantially (e.g., at least 80%, at least 85%, at least 90%, at least 95%, at least 99%, or 100%) covers an orthographic projection of the second planarization layer PLN2 in the first dam structure DS1 on the base substrate BS. The inventors of the present disclosure discover that, by having the intricated structure according to the present disclosure, the first dam structure can have an enhanced height, and a difference between thicknesses of the first dam structure and the second dam structure can be reduced. As described above, the first dam structure in some embodiments includes at least the second planarization layer PLN2, the pixel definition layer PDL, and the spacer layer PS, achieving an enhanced thickness, and a reduced thickness difference as compared to the second dam structure. The intricate structure of the array substrate according to the present disclosure prevents overflow of organic encapsulating layer over the first dam structure, and is conducive to better monitoring the ink position.

[0162] In some embodiments, an orthographic projection of the second signal line layer SLL2 in the first dam structure DS1 on the base substrate BS substantially (e.g., at least 80%, at least 85%, at least 90%, at least 95%, at least 99%, or 100%) covers an orthographic projection of the second planarization layer PLN2 in the first dam structure DS1 on the base substrate BS. The inventors of the present disclosure discover that, by having the intricated  structure according to the present disclosure, the first dam structure can have an enhanced height, and a difference between thicknesses of the first dam structure and the second dam structure can be reduced. As described above, the first dam structure in some embodiments includes at least the second planarization layer PLN2, the pixel definition layer PDL, and the spacer layer PS, achieving an enhanced thickness, and a reduced thickness difference as compared to the second dam structure. The intricate structure of the array substrate according to the present disclosure prevents overflow of organic encapsulating layer over the first dam structure, and is conducive to better monitoring the ink position.

[0163] In some embodiments, an orthographic projection of the third signal line layer SLL3 in the first dam structure DS1 on the base substrate BS substantially (e.g., at least 80%, at least 85%, at least 90%, at least 95%, at least 99%, or 100%) covers an orthographic projection of the second planarization layer PLN2 in the first dam structure DS1 on the base substrate BS. The inventors of the present disclosure discover that, by having the intricated structure according to the present disclosure, the first dam structure can have an enhanced height, and a difference between thicknesses of the first dam structure and the second dam structure can be reduced. As described above, the first dam structure in some embodiments includes at least the second planarization layer PLN2, the pixel definition layer PDL, and the spacer layer PS, achieving an enhanced thickness, and a reduced thickness difference as compared to the second dam structure. The intricate structure of the array substrate according to the present disclosure prevents overflow of organic encapsulating layer over the first dam structure, and is conducive to better monitoring the ink position.

[0164] In some embodiments, the second dam structure DS2 includes a base substrate BS, a first signal line layer SLL1 on the base substrate BS, a passivation layer PVX on a side of the first signal line layer SLL1 away from the base substrate BS, a second signal line layer SLL2 on a side of the passivation layer PVX away from the base substrate BS, a first planarization layer PLN1 on a side of the second signal line layer SLL2 away from the base substrate BS, a third signal line layer SLL3 on a side of the first planarization layer PLN1 away from the base substrate BS, a second planarization layer PLN2 on a side of the third signal line layer SLL3 away from the base substrate BS, an anode material layer ADL on a side of the second planarization layer PLN2 away from the base substrate BS, a pixel definition layer PDL on a side of the anode material layer ADL away from the base substrate BS, and a spacer layer PS on a side of the pixel definition layer PDL away from the base substrate BS.

[0165] In some embodiments, an orthographic projection of the second planarization layer PLN2 in the second dam structure DS2 on the base substrate BS substantially (e.g., at least 80%, at least 85%, at least 90%, at least 95%, at least 99%, or 100%) covers an orthographic projection of the first planarization layer PLN1 in the second dam structure DS2 on the base substrate BS. The inventors of the present disclosure discover that, by having the intricated  structure according to the present disclosure, the first dam structure can have an enhanced height, and a difference between thicknesses of the first dam structure and the second dam structure can be reduced. As described above, the first dam structure in some embodiments includes at least the second planarization layer PLN2, the pixel definition layer PDL, and the spacer layer PS, achieving an enhanced thickness, and a reduced thickness difference as compared to the second dam structure. The intricate structure of the array substrate according to the present disclosure prevents overflow of organic encapsulating layer over the first dam structure, and is conducive to better monitoring the ink position.

[0166] In some embodiments, an orthographic projection of the pixel definition layer PDL in the second dam structure DS2 on the base substrate BS substantially (e.g., at least 80%, at least 85%, at least 90%, at least 95%, at least 99%, or 100%) covers an orthographic projection of the second planarization layer PLN2 in the second dam structure DS2 on the base substrate BS, and substantially (e.g., at least 80%, at least 85%, at least 90%, at least 95%, at least 99%, or 100%) covers an orthographic projection of the first planarization layer PLN1 in the second dam structure DS2 on the base substrate BS. The inventors of the present disclosure discover that, by having the intricated structure according to the present disclosure, the first dam structure can have an enhanced height, and a difference between thicknesses of the first dam structure and the second dam structure can be reduced. As described above, the first dam structure in some embodiments includes at least the second planarization layer PLN2, the pixel definition layer PDL, and the spacer layer PS, achieving an enhanced thickness, and a reduced thickness difference as compared to the second dam structure. The intricate structure of the array substrate according to the present disclosure prevents overflow of organic encapsulating layer over the first dam structure, and is conducive to better monitoring the ink position.

[0167] In some embodiments, an orthographic projection of the passivation layer PVX in the second dam structure DS2 on the base substrate BS partially overlaps with an orthographic projection of the first signal line layer SLL1 in the second dam structure DS2 on the base substrate BS, and is partially non-overlapping with the orthographic projection of the first signal line layer SLL1 in the second dam structure DS2 on the base substrate BS. The inventors of the present disclosure discover that, by having the intricated structure according to the present disclosure, the first dam structure can have an enhanced height, and a difference between thicknesses of the first dam structure and the second dam structure can be reduced. As described above, the first dam structure in some embodiments includes at least the second planarization layer PLN2, the pixel definition layer PDL, and the spacer layer PS, achieving an enhanced thickness, and a reduced thickness difference as compared to the second dam structure. The intricate structure of the array substrate according to the present  disclosure prevents overflow of organic encapsulating layer over the first dam structure, and is conducive to better monitoring the ink position.

[0168] In some embodiments, an orthographic projection of the first planarization layer PLN1 in the second dam structure DS2 on the base substrate BS partially overlaps with an orthographic projection of the first signal line layer SLL1 in the second dam structure DS2 on the base substrate BS, and is partially non-overlapping with the orthographic projection of the first signal line layer SLL1 in the second dam structure DS2 on the base substrate BS. The inventors of the present disclosure discover that, by having the intricated structure according to the present disclosure, the first dam structure can have an enhanced height, and a difference between thicknesses of the first dam structure and the second dam structure can be reduced. As described above, the first dam structure in some embodiments includes at least the second planarization layer PLN2, the pixel definition layer PDL, and the spacer layer PS, achieving an enhanced thickness, and a reduced thickness difference as compared to the second dam structure. The intricate structure of the array substrate according to the present disclosure prevents overflow of organic encapsulating layer over the first dam structure, and is conducive to better monitoring the ink position.

[0169] In some embodiments, an orthographic projection of the second planarization layer PLN2 in the second dam structure DS2 on the base substrate BS partially overlaps with an orthographic projection of the first signal line layer SLL1 in the second dam structure DS2 on the base substrate BS, and is partially non-overlapping with the orthographic projection of the first signal line layer SLL1 in the second dam structure DS2 on the base substrate BS. The inventors of the present disclosure discover that, by having the intricated structure according to the present disclosure, the first dam structure can have an enhanced height, and a difference between thicknesses of the first dam structure and the second dam structure can be reduced. As described above, the first dam structure in some embodiments includes at least the second planarization layer PLN2, the pixel definition layer PDL, and the spacer layer PS, achieving an enhanced thickness, and a reduced thickness difference as compared to the second dam structure. The intricate structure of the array substrate according to the present disclosure prevents overflow of organic encapsulating layer over the first dam structure, and is conducive to better monitoring the ink position.

[0170] In some embodiments, an orthographic projection of the pixel definition layer PDL in the second dam structure DS2 on the base substrate BS partially overlaps with an orthographic projection of the first signal line layer SLL1 in the second dam structure DS2 on the base substrate BS, and is partially non-overlapping with the orthographic projection of the first signal line layer SLL1 in the second dam structure DS2 on the base substrate BS. The inventors of the present disclosure discover that, by having the intricated structure according to the present disclosure, the first dam structure can have an enhanced height, and a  difference between thicknesses of the first dam structure and the second dam structure can be reduced. As described above, the first dam structure in some embodiments includes at least the second planarization layer PLN2, the pixel definition layer PDL, and the spacer layer PS, achieving an enhanced thickness, and a reduced thickness difference as compared to the second dam structure. The intricate structure of the array substrate according to the present disclosure prevents overflow of organic encapsulating layer over the first dam structure, and is conducive to better monitoring the ink position.

[0171] In some embodiments, an orthographic projection of the passivation layer PVX in the second dam structure DS2 on the base substrate BS partially overlaps with an orthographic projection of the second signal line layer SLL2 in the second dam structure DS2 on the base substrate BS, and is partially non-overlapping with the orthographic projection of the second signal line layer SLL2 in the second dam structure DS2 on the base substrate BS. The inventors of the present disclosure discover that, by having the intricated structure according to the present disclosure, the first dam structure can have an enhanced height, and a difference between thicknesses of the first dam structure and the second dam structure can be reduced. As described above, the first dam structure in some embodiments includes at least the second planarization layer PLN2, the pixel definition layer PDL, and the spacer layer PS, achieving an enhanced thickness, and a reduced thickness difference as compared to the second dam structure. The intricate structure of the array substrate according to the present disclosure prevents overflow of organic encapsulating layer over the first dam structure, and is conducive to better monitoring the ink position.

[0172] In some embodiments, an orthographic projection of the first planarization layer PLN1 in the second dam structure DS2 on the base substrate BS partially overlaps with an orthographic projection of the second signal line layer SLL2 in the second dam structure DS2 on the base substrate BS, and is partially non-overlapping with the orthographic projection of the second signal line layer SLL2 in the second dam structure DS2 on the base substrate BS. The inventors of the present disclosure discover that, by having the intricated structure according to the present disclosure, the first dam structure can have an enhanced height, and a difference between thicknesses of the first dam structure and the second dam structure can be reduced. As described above, the first dam structure in some embodiments includes at least the second planarization layer PLN2, the pixel definition layer PDL, and the spacer layer PS, achieving an enhanced thickness, and a reduced thickness difference as compared to the second dam structure. The intricate structure of the array substrate according to the present disclosure prevents overflow of organic encapsulating layer over the first dam structure, and is conducive to better monitoring the ink position.

[0173] In some embodiments, an orthographic projection of the second planarization layer PLN2 in the second dam structure DS2 on the base substrate BS partially overlaps with an  orthographic projection of the second signal line layer SLL2 in the second dam structure DS2 on the base substrate BS, and is partially non-overlapping with the orthographic projection of the second signal line layer SLL2 in the second dam structure DS2 on the base substrate BS. The inventors of the present disclosure discover that, by having the intricated structure according to the present disclosure, the first dam structure can have an enhanced height, and a difference between thicknesses of the first dam structure and the second dam structure can be reduced. As described above, the first dam structure in some embodiments includes at least the second planarization layer PLN2, the pixel definition layer PDL, and the spacer layer PS, achieving an enhanced thickness, and a reduced thickness difference as compared to the second dam structure. The intricate structure of the array substrate according to the present disclosure prevents overflow of organic encapsulating layer over the first dam structure, and is conducive to better monitoring the ink position.

[0174] In some embodiments, an orthographic projection of the pixel definition layer PDL in the second dam structure DS2 on the base substrate BS partially overlaps with an orthographic projection of the second signal line layer SLL2 in the second dam structure DS2 on the base substrate BS, and is partially non-overlapping with the orthographic projection of the second signal line layer SLL2 in the second dam structure DS2 on the base substrate BS. The inventors of the present disclosure discover that, by having the intricated structure according to the present disclosure, the first dam structure can have an enhanced height, and a difference between thicknesses of the first dam structure and the second dam structure can be reduced. As described above, the first dam structure in some embodiments includes at least the second planarization layer PLN2, the pixel definition layer PDL, and the spacer layer PS, achieving an enhanced thickness, and a reduced thickness difference as compared to the second dam structure. The intricate structure of the array substrate according to the present disclosure prevents overflow of organic encapsulating layer over the first dam structure, and is conducive to better monitoring the ink position.

[0175] In some embodiments, an orthographic projection of the passivation layer PVX in the second dam structure DS2 on the base substrate BS partially overlaps with an orthographic projection of the third signal line layer SLL3 in the second dam structure DS2 on the base substrate BS, and is partially non-overlapping with the orthographic projection of the third signal line layer SLL3 in the second dam structure DS2 on the base substrate BS. The inventors of the present disclosure discover that, by having the intricated structure according to the present disclosure, the first dam structure can have an enhanced height, and a difference between thicknesses of the first dam structure and the second dam structure can be reduced. As described above, the first dam structure in some embodiments includes at least the second planarization layer PLN2, the pixel definition layer PDL, and the spacer layer PS, achieving an enhanced thickness, and a reduced thickness difference as compared to the  second dam structure. The intricate structure of the array substrate according to the present disclosure prevents overflow of organic encapsulating layer over the first dam structure, and is conducive to better monitoring the ink position.

[0176] In some embodiments, an orthographic projection of the first planarization layer PLN1 in the second dam structure DS2 on the base substrate BS partially overlaps with an orthographic projection of the third signal line layer SLL3 in the second dam structure DS2 on the base substrate BS, and is partially non-overlapping with the orthographic projection of the third signal line layer SLL3 in the second dam structure DS2 on the base substrate BS. The inventors of the present disclosure discover that, by having the intricated structure according to the present disclosure, the first dam structure can have an enhanced height, and a difference between thicknesses of the first dam structure and the second dam structure can be reduced. As described above, the first dam structure in some embodiments includes at least the second planarization layer PLN2, the pixel definition layer PDL, and the spacer layer PS, achieving an enhanced thickness, and a reduced thickness difference as compared to the second dam structure. The intricate structure of the array substrate according to the present disclosure prevents overflow of organic encapsulating layer over the first dam structure, and is conducive to better monitoring the ink position.

[0177] In some embodiments, an orthographic projection of the second planarization layer PLN2 in the second dam structure DS2 on the base substrate BS partially overlaps with an orthographic projection of the third signal line layer SLL3 in the second dam structure DS2 on the base substrate BS, and is partially non-overlapping with the orthographic projection of the third signal line layer SLL3 in the second dam structure DS2 on the base substrate BS. The inventors of the present disclosure discover that, by having the intricated structure according to the present disclosure, the first dam structure can have an enhanced height, and a difference between thicknesses of the first dam structure and the second dam structure can be reduced. As described above, the first dam structure in some embodiments includes at least the second planarization layer PLN2, the pixel definition layer PDL, and the spacer layer PS, achieving an enhanced thickness, and a reduced thickness difference as compared to the second dam structure. The intricate structure of the array substrate according to the present disclosure prevents overflow of organic encapsulating layer over the first dam structure, and is conducive to better monitoring the ink position.

[0178] In some embodiments, an orthographic projection of the pixel definition layer PDL in the second dam structure DS2 on the base substrate BS partially overlaps with an orthographic projection of the third signal line layer SLL3 in the second dam structure DS2 on the base substrate BS, and is partially non-overlapping with the orthographic projection of the third signal line layer SLL3 in the second dam structure DS2 on the base substrate BS. The inventors of the present disclosure discover that, by having the intricated structure  according to the present disclosure, the first dam structure can have an enhanced height, and a difference between thicknesses of the first dam structure and the second dam structure can be reduced. As described above, the first dam structure in some embodiments includes at least the second planarization layer PLN2, the pixel definition layer PDL, and the spacer layer PS, achieving an enhanced thickness, and a reduced thickness difference as compared to the second dam structure. The intricate structure of the array substrate according to the present disclosure prevents overflow of organic encapsulating layer over the first dam structure, and is conducive to better monitoring the ink position.

[0179] In some embodiments, an orthographic projection of the second planarization layer PLN2 in the second dam structure DS2 on the base substrate BS partially overlaps with an orthographic projection of the anode material layer ADL in the second dam structure DS2 on the base substrate BS, and is partially non-overlapping with the orthographic projection of the anode material layer ADL in the second dam structure DS2 on the base substrate BS. The inventors of the present disclosure discover that, by having the intricated structure according to the present disclosure, the first dam structure can have an enhanced height, and a difference between thicknesses of the first dam structure and the second dam structure can be reduced. As described above, the first dam structure in some embodiments includes at least the second planarization layer PLN2, the pixel definition layer PDL, and the spacer layer PS, achieving an enhanced thickness, and a reduced thickness difference as compared to the second dam structure. The intricate structure of the array substrate according to the present disclosure prevents overflow of organic encapsulating layer over the first dam structure, and is conducive to better monitoring the ink position.

[0180] In some embodiments, an orthographic projection of the pixel definition layer PDL in the second dam structure DS2 on the base substrate BS partially overlaps with an orthographic projection of the anode material layer ADL in the second dam structure DS2 on the base substrate BS, and is partially non-overlapping with the orthographic projection of the anode material layer ADL in the second dam structure DS2 on the base substrate BS. The inventors of the present disclosure discover that, by having the intricated structure according to the present disclosure, the first dam structure can have an enhanced height, and a difference between thicknesses of the first dam structure and the second dam structure can be reduced. As described above, the first dam structure in some embodiments includes at least the second planarization layer PLN2, the pixel definition layer PDL, and the spacer layer PS, achieving an enhanced thickness, and a reduced thickness difference as compared to the second dam structure. The intricate structure of the array substrate according to the present disclosure prevents overflow of organic encapsulating layer over the first dam structure, and is conducive to better monitoring the ink position.

[0181] Referring to FIG. 13, FIG. 4, and FIG. 5, along a plane perpendicular to a surface of the base substrate BS and intersecting the first dam structure DS1, the second dam structure DS2, the first groove GV1, and the second groove GV2, a first average width of the first groove GV1 is w1, a second average width of the second groove GV2 is w2. In some embodiments, a ratio of the second average width w2 to the first average width w1 is in a range of 1.25: 1 to 1.75: 1, e.g., 1.25: 1 to 1.30: 1, 1.30: 1 to 1.35: 1, 1.35: 1 to 1.40: 1, 1.40: 1 to 1.45: 1, 1.45: 1 to 1.50: 1, 1.50: 1 to 1.55: 1, 1.55: 1 to 1.60: 1, 1.60: 1 to 1.65: 1, 1.65: 1 to 1.70: 1, or 1.70: 1 to 1.75: 1. Optionally, the ratio of the second average width w2 to the first average width w1 is in a range of 1.65: 1 to 1.70: 1. In one example, the ratio of the second average width w2 to the first average width w1 is 5: 3. In another example, the first average width w1 is 24 μm, and the second average width w2 is 40 μm. The inventors of the present disclosure discover that, by having the intricated structure according to the present disclosure, the first dam structure can have an enhanced height, and a difference between thicknesses of the first dam structure and the second dam structure can be reduced. As described above, the first dam structure in some embodiments includes at least the second planarization layer PLN2, the pixel definition layer PDL, and the spacer layer PS, achieving an enhanced thickness, and a reduced thickness difference as compared to the second dam structure. The intricate structure of the array substrate according to the present disclosure prevents overflow of organic encapsulating layer over the first dam structure, and is conducive to better monitoring the ink position.

[0182] In some embodiments, the first dam structure DS1 has a first thickness t1, the second dam structure DS2 has a second thickness t2. In some embodiments, a difference between the first thickness t1 and the second thickness t2 is in a range of 0 to 15 μm, e.g., 0 to 1 μm, 1 μm to 2 μm, 2 μm to 3 μm, 3 μm to 4 μm, 4 μm to 5 μm, 5 μm to 6 μm, 6 μm to 7 μm, 7 μm to 8 μm, 8 μm to 9 μm, 9 μm to 10 μm, 10 μm to 11 μm, 11 μm to 12 μm, 12 μm to 13 μm, 13 μm to 14 μm, or 14 μm to 15 μm. The inventors of the present disclosure discover that, by having the intricated structure according to the present disclosure, the first dam structure can have an enhanced height, and a difference between thicknesses of the first dam structure and the second dam structure can be reduced. As described above, the first dam structure in some embodiments includes at least the second planarization layer PLN2, the pixel definition layer PDL, and the spacer layer PS, achieving an enhanced thickness, and a reduced thickness difference as compared to the second dam structure. The intricate structure of the array substrate according to the present disclosure prevents overflow of organic encapsulating layer over the first dam structure, and is conducive to better monitoring the ink position.

[0183] In another aspect, the present invention provides a display apparatus, including the array substrate described herein or fabricated by a method described herein, and one or more integrated circuits connected to the array substrate.

[0184] Examples of appropriate display apparatuses include, but are not limited to, an electronic paper, a mobile phone, a tablet computer, a television, a monitor, a notebook computer, a digital album, a GPS, etc. Optionally, the display apparatus is an organic light emitting diode display apparatus. Optionally, the display apparatus is a liquid crystal display apparatus.

[0185] In another aspect, the present invention provides a method of fabricating an array substrate. In some embodiments, the method includes forming a first dam structure and a second dam structure in a peripheral area of the array substrate; forming a first groove between the first dam structure and a display area of the array substrate; and forming a second groove between the first dam structure and the second dam structure. Optionally, along a plane perpendicular to a surface of a base substrate and intersecting the first dam structure, the second dam structure, the first groove, and the second groove, the first groove has a first average width, and the second groove has a second average width. Optionally, a ratio of the second average width to the first average width is in a range of 1.25: 1 to 1.75: 1.

[0186] The foregoing description of the embodiments of the invention has been presented for purposes of illustration and description. It is not intended to be exhaustive or to limit the invention to the precise form or to exemplary embodiments disclosed. Accordingly, the foregoing description should be regarded as illustrative rather than restrictive. Obviously, many modifications and variations will be apparent to practitioners skilled in this art. The embodiments are chosen and described in order to explain the principles of the invention and its best mode practical application, thereby to enable persons skilled in the art to understand the invention for various embodiments and with various modifications as are suited to the particular use or implementation contemplated. It is intended that the scope of the invention be defined by the claims appended hereto and their equivalents in which all terms are meant in their broadest reasonable sense unless otherwise indicated. Therefore, the term “the invention” , “the present invention” or the like does not necessarily limit the claim scope to a specific embodiment, and the reference to exemplary embodiments of the invention does not imply a limitation on the invention, and no such limitation is to be inferred. The invention is limited only by the spirit and scope of the appended claims. Moreover, these claims may refer to use “first” , “second” , etc. following with noun or element. Such terms should be understood as a nomenclature and should not be construed as giving the limitation on the number of the elements modified by such nomenclature unless specific number has been given. Any advantages and benefits described may not apply to all embodiments of the invention. It should be appreciated that variations may be made in the embodiments  described by persons skilled in the art without departing from the scope of the present invention as defined by the following claims. Moreover, no element and component in the present disclosure is intended to be dedicated to the public regardless of whether the element or component is explicitly recited in the following claims.

Claims

1.An array substrate, comprising:a first dam structure and a second dam structure in a peripheral area of the array substrate;a first groove between the first dam structure and a display area of the array substrate; anda second groove between the first dam structure and the second dam structure;wherein, along a plane perpendicular to a surface of a base substrate and intersecting the first dam structure, the second dam structure, the first groove, and the second groove, the first groove has a first average width, and the second groove has a second average width;the first dam structure has a first thickness;the second dam structure has a second thickness; andthe first thickness and the second thickness are different from each other.2.The array substrate of claim 1, wherein a ratio of the second average width to the first average width is in a range of 1.25: 1 to 1.75: 1.3.The array substrate of claim 1, wherein a difference between the first thickness and the second thickness is in a range of 0 to 15 μm.4.The array substrate of any one of claims 1 to 3, wherein a total number of insulating layers in a stacked structure of the second dam structure minus a total number of insulating layers in a stacked structure of the first dam structure is no greater than 2.5.The array substrate of any one of claims 1 to 4, wherein the first dam structure comprises a first signal line layer on the base substrate, a second signal line layer on a side of the first signal line layer away from the base substrate, a first planarization layer on a side of the second signal line layer away from the base substrate, a second planarization layer on a side of the first planarization layer away from the base substrate, an anode material layer on a side of the second planarization layer away from the base substrate, a pixel definition layer on a side of the anode material layer away from the base substrate, and a spacer layer on a side of the pixel definition layer away from the base substrate; andthe second dam structure comprises a first signal line layer on the base substrate, a passivation layer on a side of the first signal line layer away from the base substrate, a first planarization layer on a side of the passivation layer away from the base substrate, a second planarization layer on a side of the first planarization layer away from the base substrate, an anode material layer on a side of the second planarization layer away from the base substrate, a pixel definition layer on a side of the anode material layer away from the base substrate, and a spacer layer on a side of the pixel definition layer away from the base substrate.6.The array substrate of claim 5, wherein an orthographic projection of the second signal line layer in the first dam structure on the base substrate substantially covers an orthographic projection of the first planarization layer in the first dam structure on the base substrate;an orthographic projection of the first planarization layer in the second dam structure on the base substrate partially overlaps with an orthographic projection of the second signal line layer in the second dam structure on the base substrate, and is partially non-overlapping with the orthographic projection of the second signal line layer in the second dam structure on the base substrate;an orthographic projection of the anode material layer in the first dam structure on the base substrate substantially covers an orthographic projection of the first planarization layer in the first dam structure on the base substrate; andan orthographic projection of the first planarization layer in the second dam structure on the base substrate partially overlaps with an orthographic projection of the anode material layer in the second dam structure on the base substrate, and is partially non-overlapping with the orthographic projection of the anode material layer in the second dam structure on the base substrate.7.The array substrate of any one of claims 1 to 4, wherein the first dam structure comprises a first signal line layer on the base substrate, a passivation layer on a side of the first signal line layer away from the base substrate, a second planarization layer on a side of the passivation layer away from the base substrate, and a pixel definition layer on a side of the second planarization layer away from the base substrate; andthe second dam structure comprises a first signal line layer on the base substrate, a passivation layer on a side of the first signal line layer away from the base substrate, a first planarization layer on a side of the passivation layer away from the base substrate, a second planarization layer on a side of the first planarization layer away from the base substrate, and a pixel definition layer on a side of the second planarization layer away from the base substrate.8.The array substrate of claim 7, wherein an orthographic projection of the first signal line layer in the first dam structure on the base substrate substantially covers an orthographic projection of the second planarization layer in the first dam structure on the base substrate, and substantially covers an orthographic projection of the pixel definition layer in the first dam structure on the base substrate;an orthographic projection of the first planarization layer in the second dam structure on the base substrate partially overlaps with an orthographic projection of the first signal line layer in the second dam structure on the base substrate, and is partially non-overlapping with the orthographic projection of the first signal line layer in the second dam structure on the base substrate; andan orthographic projection of the second planarization layer in the second dam structure on the base substrate partially overlaps with an orthographic projection of the first signal line layer in the second dam structure on the base substrate, and is partially non-overlapping with the orthographic projection of the first signal line layer in the second dam structure on the base substrate.9.The array substrate of claim 7, wherein, in a region comprising the first dam structure, the second dam structure, and the second groove; anda first area where an orthographic projection of the passivation layer on the base substrate and an orthographic projection of the first signal line layer on the base substrate overlap with each other is greater than a second area where the orthographic projection of the passivation layer on the base substrate and an orthographic projection of the second dam structure on the base substrate overlap with each other, and is less than a sum of the second area, and a third area where the orthographic projection of the passivation layer on the base substrate and an orthographic projection of the first dam structure on the base substrate overlap with each other.10.The array substrate of any one of claims 1 to 4, wherein the second dam structure comprises a first signal line layer on the base substrate, a passivation layer on a side of the first signal line layer away from the base substrate, a third planarization layer on a side of the passivation layer away from the base substrate, and a pixel definition layer on a side of the third planarization layer away from the base substrate; andthe first dam structure comprises a first signal line layer on the base substrate, a passivation layer on a side of the first signal line layer away from the base substrate, a third planarization layer on a side of the passivation layer away from the base substrate, and a pixel definition layer on a side of the third planarization layer away from the base substrate.11.The array substrate of claim 10, wherein an orthographic projection of the third planarization layer in the second dam structure on the base substrate partially overlaps with an orthographic projection of the first signal line layer in the second dam structure on the base substrate, and is partially non-overlapping with the orthographic projection of the first signal line layer in the second dam structure on the base substrate; andan orthographic projection of the first signal line layer in the first dam structure on the base substrate substantially covers an orthographic projection of the third planarization layer in the first dam structure on the base substrate.12.The array substrate of claim 10, wherein, in a region comprising the first dam structure, the second dam structure, and the second groove; anda first area where an orthographic projection of the passivation layer on the base substrate and an orthographic projection of the first signal line layer on the base substrate overlap with each other is greater than a third area where the orthographic projection of the passivation layer on the base substrate and an orthographic projection of the first dam structure on the base substrate overlap with each other, and is less than a sum of the third area, and a second area where the orthographic projection of the passivation layer on the base substrate and an orthographic projection of the second dam structure on the base substrate overlap with each other.13.The array substrate of any one of claims 1 to 4, wherein the first dam structure comprises a first signal line layer on the base substrate, a passivation layer on a side of the first signal line layer away from the base substrate, a second planarization layer on a side of the passivation layer away from the base substrate, a third planarization layer on a side of the second planarization layer away from the base substrate, a pixel definition layer on a side of the third planarization layer away from the base substrate, and a spacer layer on a side of the pixel definition layer away from the base substrate; andthe second dam structure comprises a first signal line layer on the base substrate, a passivation layer on a side of the first signal line layer away from the base substrate, a second planarization layer on a side of the passivation layer away from the base substrate, a third planarization layer on a side of the second planarization layer away from the base substrate, a pixel definition layer on a side of the third planarization layer away from the base substrate, and a spacer layer on a side of the pixel definition layer away from the base substrate.14.The array substrate of claim 13, wherein an orthographic projection of the first signal line layer in the first dam structure on the base substrate substantially covers an orthographic projection of the second planarization layer in the first dam structure on the base substrate; andan orthographic projection of the second planarization layer in the second dam structure on the base substrate partially overlaps with an orthographic projection of the first signal line layer in the second dam structure on the base substrate, and is partially non-overlapping with the orthographic projection of the first signal line layer in the second dam structure on the base substrate.15.The array substrate of claim 13, wherein, in a region comprising the first dam structure, the second dam structure, and the second groove; anda first area where an orthographic projection of the passivation layer on the base substrate and an orthographic projection of the first signal line layer on the base substrate overlap with each other is greater than a second area where the orthographic projection of the passivation layer on the base substrate and an orthographic projection of the second dam structure on the base substrate overlap with each other, and is less than a sum of the second area, and a third area where the orthographic projection of the passivation layer on the base substrate and an orthographic projection of the first dam structure on the base substrate overlap with each other.16.The array substrate of any one of claims 1 to 4, wherein the second dam structure comprises a first signal line layer on the base substrate, a passivation layer on a side of the first signal line layer away from the base substrate, a second signal line layer on a side of the passivation layer away from the base substrate, a second planarization layer on a side of the second signal line layer away from the base substrate, a third signal line layer on a side of the second planarization layer away from the base substrate, a third planarization layer on a side of the third signal line layer away from the base substrate, an anode material layer on a side of the third planarization layer away from the base substrate, a pixel definition layer on a side of the anode material layer away from the base substrate, and a spacer layer on a side of the pixel definition layer away from the base substrate; andthe first dam structure comprises a first signal line layer on the base substrate, a second signal line layer on a side of the first signal line layer away from the base substrate, a third signal line layer on a side of the second signal line layer away from the base substrate, a third planarization layer on a side of the third signal line layer away from the base substrate, an anode material layer on a side of the third planarization layer away from the base substrate, a pixel definition layer on a side of the anode material layer away from the base substrate, and a spacer layer on a side of the pixel definition layer away from the base substrate.17.The array substrate of claim 16, wherein an orthographic projection of the third planarization layer in the second dam structure on the base substrate partially overlaps with an orthographic projection of the first signal line layer in the second dam structure on the base substrate, and is partially non-overlapping with the orthographic projection of the first signal line layer in the second dam structure on the base substrate;an orthographic projection of the third planarization layer in the second dam structure on the base substrate partially overlaps with an orthographic projection of the second signal line layer in the second dam structure on the base substrate, and is partially non-overlapping with the orthographic projection of the second signal line layer in the second dam structure on the base substrate;an orthographic projection of the third planarization layer in the second dam structure on the base substrate partially overlaps with an orthographic projection of the third signal line layer in the second dam structure on the base substrate, and is partially non-overlapping with the orthographic projection of the third signal line layer in the second dam structure on the base substrate;an orthographic projection of the first signal line layer in the first dam structure on the base substrate substantially covers an orthographic projection of the third planarization layer in the first dam structure on the base substrate;an orthographic projection of the second signal line layer in the first dam structure on the base substrate substantially covers an orthographic projection of the third planarization layer in the first dam structure on the base substrate; andan orthographic projection of the third signal line layer in the first dam structure on the base substrate substantially covers an orthographic projection of the third planarization layer in the first dam structure on the base substrate.18.The array substrate of any one of claims 1 to 4, wherein the second dam structure comprises a first signal line layer on the base substrate, a passivation layer on a side of the first signal line layer away from the base substrate, a second signal line layer on a side of the passivation layer away from the base substrate, a first planarization layer on a side of the second signal line layer away from the base substrate, a third signal line layer on a side of the first planarization layer away from the base substrate, a second planarization layer on a side of the third signal line layer away from the base substrate, an anode material layer on a side of the second planarization layer away from the base substrate, a pixel definition layer on a side of the anode material layer away from the base substrate, and a spacer layer on a side of the pixel definition layer away from the base substrate; andthe first dam structure comprises a first signal line layer on the base substrate, a second signal line layer on a side of the first signal line layer away from the base substrate, a third signal line layer on a side of the second signal line layer away from the base substrate, a second planarization layer on a side of the third signal line layer away from the base substrate, an anode material layer on a side of the second planarization layer away from the base substrate, a pixel definition layer on a side of the anode material layer away from the base substrate, and a spacer layer on a side of the pixel definition layer away from the base substrate.19.The array substrate of claim 18, wherein an orthographic projection of the second planarization layer in the second dam structure on the base substrate partially overlaps with an orthographic projection of the first signal line layer in the second dam  structure on the base substrate, and is partially non-overlapping with the orthographic projection of the first signal line layer in the second dam structure on the base substrate;an orthographic projection of the second planarization layer in the second dam structure on the base substrate partially overlaps with an orthographic projection of the second signal line layer in the second dam structure on the base substrate, and is partially non-overlapping with the orthographic projection of the second signal line layer in the second dam structure on the base substrate;an orthographic projection of the second planarization layer in the second dam structure on the base substrate partially overlaps with an orthographic projection of the third signal line layer in the second dam structure on the base substrate, and is partially non-overlapping with the orthographic projection of the third signal line layer in the second dam structure on the base substrate;an orthographic projection of the first signal line layer in the first dam structure on the base substrate substantially covers an orthographic projection of the second planarization layer in the first dam structure on the base substrate;an orthographic projection of the second signal line layer in the first dam structure on the base substrate substantially covers an orthographic projection of the second planarization layer in the first dam structure on the base substrate; andan orthographic projection of the third signal line layer in the first dam structure on the base substrate substantially covers an orthographic projection of the second planarization layer in the first dam structure on the base substrate.20.A display apparatus, comprising the array substrate of any one of claims 1 to 19, and one or more integrated circuits connected to the array substrate.

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