Phase amplification microscopy

Abstract

A microscopic imaging method is provided, which enables measurement accuracy of atomic materials at the femtometer level and beyond. The method includes: coupling a phase cavity with an interferometric imaging system to effectively amplify phase signals of a sample of interest; modeling resonance effects in the phase cavity; and optimizing the parameters of the phase cavity, such as the materials of the phase cavity, lengths of each layer of the phase cavity, and illumination wavelength, to maximize the amplification effect of phase signals of the sample of interest. The phase cavity is disposed on the sample side of the interferometric imaging system. The method may further include：obtaining phase maps by the interferometric imaging systems based on laser illumination and performing a transfer-matrix based reversal model on the measured phase maps to reconstruct the thickness mapping results. The 1 pm measurement accuracy of the interferometric imaging system can be achieved.

Description

PHASE AMPLIFICATION MICROSCOPYCROSS-REFERENCE TO RELATED APPLICATION

[0001] This application claims priority to U.S. Patent Application No. 18 / 807,202, filed August 16, 2024, which is incorporated herein by reference in its entirety.BACKGROUND OF THE INVENTION

[0002] In recent years, twistronics has emerged as a novel approach for tuning energy gaps in two-dimensional (2D) layered materials by twisting the relative angle between successive layers 1-3. Consequently, the electronic properties of 2D layered materials can be customized, leading to the creation of electronic and photonic devices based on these novel atomic materials4-10, promising to revolutionize information processing beyond complementary metal-oxide semiconductor (CMOS) scaling limits11.

[0003] Large-scale fabrication of atomic devices necessitates the advancement of atomic manufacturing. Since the Moore era, improvements in device yield have always been accompanied by advances in metrology as transistor size scales down. Scanning electron microscopy (SEM) and atomic force microscopy (AFM) have been widely used for characterizing device structures12. Owing to their non-contact, non-destructive, and high-throughput advantages, optical metrology methods such as bright-field imaging and scatterometry have been developed for in-line metrology and critical dimensional measurements.

[0004] To investigate the twist-angle-dependent interlayer coupling, spectroscopic techniques such as Raman microscopy13 and spectroscopic ellipsometry14 have been employed as optical characterization methods. However, these methods are limited by the required measurement time over a wide-field area, hindering their potential use in large-scale manufacturing. On the other hand, the atomic-scale interlayer spacing varies at the subatomic scale with the change of twisting angles. Current metrology tools lack the accuracy and throughput needed to detect such weak signals effectively. Therefore, there is a significant metrology gap that must be addressed for accelerating the development of beyond-CMOS technologies.

[0005] As a highly sensitive detection method, laser interferometry has recently made remarkable progress in detecting extremely weak signals, exemplified by the detection of cosmic gravitational waves through the Laser Interferometer Gravitational-wave Observatory (LIGO) 15. With the advancement of laser pulse durations from femtosecond to attosecond durations, attosecond pulsed laser has enabled the investigation of the electron dynamics in complex molecules, and holds promise for ultrafast imaging of electron motion within materials16. To achieve high-throughput metrology, light microscopy provides a wide-field mapping solution but faces challenges of low visibility when imaging weak-signaled samples. The phase-contrast concept introduced by Zernike in light microscopy can enhance image contrast, allowing highly sensitive imaging of phase objects17, 18. The qualitative limitations of this initial approach further spurred the integration of laser interferometry and light microscopy, leading to the development of quantitative phase microscopy (QPM) 19-23.

[0006] The profiling accuracy of QPM depends on the phase signal-to-noise ratio (SNR) and the thickness reconstruction model. Most efforts to improve accuracy have focused on suppressing phase noise, including common-path interferometry detection24, 25, illumination coherence reduction26-28, dynamic range expansion29, and high-well-capacity detection30, 31. The lowest reported spatial phase noise, even after frame summing by significantly sacrificing imaging speed, is ～ 10-4 rad25, which translates to accuracy for measuring single-layer atomic structures. Further scaling down the phase noise is extremely challenging due to air disturbances and mechanical vibrations under ambient conditions. BRIEF SUMMARY OF THE INVENTION

[0007] There is a need in the art for the invention of phase amplification microscopy.

[0008] According to an embodiment of the subject invention, a microscopic imaging method is provided, which enables measurement accuracy of atomic materials at the femtometer level and beyond. The method comprises coupling a phase cavity with an interferometric imaging system to effectively amplify phase signals of a sample of interest; modeling resonance effects in the phase cavity; and optimizing parameters of the phase cavity to maximize amplification of phase signals of the sample of interest, while suppressing noise. The phase cavity is disposed on a sample side of the interferometric imaging system. Moreover, the phase cavity is formed by two cavity ends and a cavity body formed of a uniformly fabricated transparent film. Further, the optimizing parameters of the phase cavity comprises optimizing the materials of the phase cavity, lengths of each layer of the phase cavity, and illumination wavelength. The optimizing parameters of the phase cavity comprises defining a phase gain G-factor as an evaluation parameter of phase amplification. The microscopic imaging method may further comprise obtaining phase maps by the interferometric imaging systems based on laser illumination. In addition, the microscopic imaging method may further comprise performing a transfer-matrix-based reversal model on the measured phase maps to reconstruct thickness mapping results. Further, the microscopic imaging method may further comprise increasing spatial resolutions of the interferometric imaging system by providing synthetic aperture illumination, angle-scanning illumination, or short wavelength illumination. The short wavelength may be an extreme ultraviolet wavelength. Moreover, the phase cavity may be formed of silicon dioxide (SiO2) , silicon nitride (Si3N4) , or is formed by stacking a silicon dioxide (SiO2) material and a silicon nitride (Si3N4) material. A measurement accuracy of 1 pm can be achieved for the interferometric imaging system.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS

[0009] FIGS. 1A-1C are schematic representations of Phase Amplification Microscopy (Phi-AMP) , wherein FIG. 1A shows that Phi-AMP is built on an epi-mode high-sensitivity interferometric imaging system, the phase cavity using resonance effect is designed and disposed on the sample side of the imaging system to amplify the weak phase signals overwhelmed by the noise by the phase gain G, meanwhile, the phase noise is maintained at the same level, so previously undetectable weak signals can be clearly mapped, FIG. 1B shows the theoretical estimation of subatomic-scale interlayer spacing difference attributed by electronic coupling in bilayer graphene (BLG) with different twisting angles by the density functional theory (DFT) calculations, according to an embodiment of the subject invention. FIG. 1C shows the physical mechanism of phase amplification. The total reflected field (Er) from a multilayer structure is the superposition of an infinite number of partial waves, which can be represented in the phasor domain. In a phase cavity, the phase of Er can reach the maximum value ΔΦ (red) . For the interlayer spacing difference with 10-5 rad level original phase  (blue) , we can amplify it to a detectable phase at 10-3 rad level (red) . During the amplification process, the phase noise δφ stemming from the incident wave (denoted by dotted red and blue arrows) is not amplified but can slightly influence the amplified phase value.

[0010] FIGS. 2A-2D show simulation results and experimental verification of phase gain and measurement accuracy validation, wherein FIG. 2A shows the modeling of the total reflected field from an N-layer specimen by constructing equivalent reflection interfaces, FIG. 2B shows simulation results demonstrating the relationship between phase gain G and wavelength λ0 and cavity length H2 , where the periodic relation between G and cavity length H2 at 532 nm wavelength is plotted at the top, FIG. 2C shows the imaging system of Φ-Amp. P: polarizer; HWP: half wave plate; QWP: quarter-wave plate; PBS: polarization beam splitter; L1-L3: lens; DG: diffraction grating; PH: pinhole, FIG. 2D shows simulation results and measured phase values, CNR analysis of 500 phase maps of the monolayer graphene sample at 5 cavity lengths H2, including 260.3 nm, 278.5 nm, 285.8 nm, 308.2 nm, and 320.3 nm, with a scale bar of 5 μm.

[0011] FIGS. 3A-3E shows the measurement accuracy verification, wherein FIG. 3A shows the comparison of phase noise under single-frame measurement and applying frame summing, FIG. 3B shows the comparison of measurement accuracy: regular phase imaging, with cavities (G = 30.5 and G = 101.3) , and with cavity (G = 101.3) and frame summing (FS) , FIG. 3C shows the accuracy improvement through frame summing, FIG. 3D shows the phase map, corresponding reconstructed thickness map and corresponding histogram analysis of the monolayer graphene when G = 30.5, FIG. 3E shows the phase map, corresponding reconstructed thickness map and corresponding histogram analysis of the monolayer graphene when G = 101.3.

[0012] FIGS. 4A-4H show the thickness profiling performance of the Phi-AMP, wherein FIG. 4A shows the large field of view imaging of monolayer graphene flakes, FIG. 3B shows the mapping result of the selected region within the white box in FIG. 4A and compares the mapping result with the AFM result. The residues can be well revealed, which proves that Phi-AMP can characterize the sample quality, FIG. 4C thickness histogram of the background region in FIG. 4A, and the thickness fluctuation can be obtained by calculating the standard deviation of the histogram (0.56 nm) . FIG. 4D shows designed patterns made by monolayer graphene for e-beam lithography, FIG. 4E shows a geometric thickness map and the corresponding histogram analysis of the fabricated CUHK pattern by Phi-AMP, FIG. 4F shows a geometric thickness map and the corresponding histogram analysis of the fabricated CUHK pattern by AFM, FIG. 4G shows a geometric thickness map of the designed resolution target, FIG. 4H shows the AFM mapping result of the designed resolution target, according to an embodiment of the subject invention.

[0013] FIGS. 5A-5G show interlayer spacing mapping of AB-BLG and 30°-tBLG, FIG. 5A shows the synthesis and transfer processes of BLG samples, FIG. 5B shows stacking orders of AB-BLG and 30°-tBLG, and corresponding SAED patterns, FIG. 5C shows Raman spectra and Lorentz fitting of the 2D bands of MLG, AB-BLG, and 30°-tBLG, respectively, FIG. 5D shows DFT calculations results for BLG with different twisting angles, FIG. 5E shows retrieved geometrical thickness maps from Phi-AMP of AB-BLG and 30°-tBLG, respectively, FIG. 5F shows histograms of the geometrical thickness maps of AB-BLG and 30°-tBLG in FIG. 5E, respectively, FIG. 5G shows an independent-samples t-test demonstrating a interlayer spacing difference between bilayer graphene samples with different θ (P < 0.01) , wherein the results are comparable with density functional theory (DFT) calculations as labeled with stars, according to an embodiment of the subject invention.

[0014] FIGS. 6A-6C show the generalization of phase gain mechanism by optimizing the cavity design, such as a Si3N4 / SiO2 cavity, wherein FIG. 6A shows a schematic representation of a 4-layer specimen with a double-layer cavity, FIG. 6B shows simulation results of the relationship between phase gain G and cavity lengths of two layers d1 and d2 at 532 nm wavelength, wherein the relation between G and d2 at d1=0.2 μm is plotted, the phase gain may reach around 1000, according to an embodiment of the subject invention. The simulation results demonstrate the possibility of higher phase amplification with a multi-layer cavity design as shown in FIG. 6C. DETAILED DISCLOSURE OF THE INVENTION

[0015] The embodiments of subject invention pertain to microscopy-based metrology methods. In particular, the invention pertains to a microscopic imaging method with level measurement accuracy that can be used to reveal electron coupling between atomic layers.

[0016] The terminology used herein is for the purpose of describing particular embodiments only and is not intended to be limiting to the invention. As used herein, the term “and / or” includes any and all combinations of one or more of the associated listed items. As used herein, the singular forms “a, ” “an, ” and “the” are intended to include the plural forms as well as the singular forms, unless the context clearly indicates otherwise. It will be further understood that the terms “comprises” and / or “comprising, ” when used in this specification, specify the presence of stated features, steps, operations, elements, and / or components, but do not preclude the presence or addition of one or more other features, steps, operations, elements, components, and / or groups thereof.

[0017] Unless otherwise defined, all terms (including technical and scientific terms) used herein have the same meaning as commonly understood by one having ordinary skill in the art to which this invention pertains. It will be further understood that terms, such as those defined in commonly used dictionaries, should be interpreted as having a meaning that is consistent with their meaning in the context of the relevant art and the present disclosure and will not be interpreted in an idealized or overly formal sense unless expressly so defined herein.

[0018] When the term “about” is used herein, in conjunction with a numerical value, it is understood that the value can be in a range of 90%of the value to 110%of the value, i.e. the value can be + / -10%of the stated value. For example, “about 1 kg” means from 0.90 kg to 1.1 kg.

[0019] In describing the invention, it will be understood that a number of techniques and steps are disclosed. Each of these has individual benefits and each can also be used in conjunction with one or more, or in some cases all, of the other disclosed techniques. Accordingly, for the sake of clarity, this description will refrain from repeating every possible combination of the individual steps in an unnecessary fashion. Nevertheless, the specification and claims should be read with the understanding that such combinations are entirely within the scope of the invention and the claims.

[0020] As an emerging platform for tailoring the energy bandgap of atomic materials, twistronics plays a pivotal role in next-generation electronic devices. Fabrication of these atomic devices gives rise to an imminent demand for subatomic-scale metrology to improve the device yield. However, existing metrology tools cannot meet the demand due to insufficient precision, accuracy, and throughput.

[0021] According to embodiments of the subject invention, Phase Amplification Microscopy (Phi-AMP) is provided to push the measurement accuracy limit of wide-field light microscopy to the unprecedented subatomic level. Leveraging the high-sensitivity nature of laser interferometry and exploring an optimized phase cavity, the Phi-AMP can significantly amplify weak phase signals overwhelmed by noise. The working principles of the phase cavity are also investigated, and a 30 times phase amplification is demonstrated in a compact system by fabricating the single-layer phase cavity (SiO2 / Si structure) compatible with silicon platforms for atomic manufacturing, with an imaging time of less than 2 milliseconds. By developing a reversal model that simulates light propagation in the system, the geometric thickness map of graphene with accuracy within a single frame is precisely obtained. Benefitting from the deep accuracy, the quantification of the interlayer spacing difference in twisted bilayer graphene samples is achieved, which is a measurement of the electronic coupling strength that varies with twisting angles. Moreover, the experimental measurement of the interlayer spacing difference with Phi-AMP could lead to establishing a new metrology standard for the  unit using twisted bilayer graphene as a potential new reference material. Furthermore, the phase cavity can be generalized for much higher phase amplification by using a multi-layer cavity design. Our simulations indicate that a phase gain of over 103 can be achieved using a simple double-layer phase cavity configuration based on the SiO2 / Si3N4 / Si structure. A > 100 times phase amplification is experimentally demonstrated in a compact system by fabricating the double-layer phase cavity, which corresponds to picometer-level measurement accuracy. Consequently, the Phi-AMP method is promising in bringing discoveries in twistronics and improving wafer-scale atomic fabrication.

[0022] The Phase Amplification Microscopy (Phi-AMP) of the subject invention offers a robust solution to the challenges of measurement precision, accuracy, and throughput in atomic metrology. By investigating the working principles of phase cavities, a 30-fold phase amplification is demonstrated through the measurement of monolayer graphene on a SiO2 / Si-based single-layer phase cavity, wherein SiO2 is commonly used as a dielectric layer in atomic devices. Moreover, a >100-fold phase amplification is demonstrated through the measurement of monolayer graphene on a SiO2 / Si3N4 / Si-based double-layer phase cavity.

[0023] By incorporating the optimized phase cavity into a highly sensitive laser interferometric imaging system, the selectively amplified weak phase map generated from subatomic structures can be retrieved with high visibility and stability. To obtain the geometric thickness map from the amplified phase map, a reversal model is developed by precisely simulating the light propagation and experimentally characterized the thickness measurement accuracy to be about over a wide field within a single frame, with an imaging time of less than 2 milliseconds. Such a rapid mapping indicates that the throughput of Phi-AMP is at least 500 times higher than that of the existing metrology tools. For the case of using temporal averaging under the double-layer cavity, the thickness measurement accuracy is experimentally characterized to be about 1 pm over a wide field.

[0024] To evaluate the measurement capabilities of embodiments of the Phi-AMP of the subject invention, the geometric thickness map of patterned atomic structures created using electron beam lithography (EBL) and quantified the diffraction-limited lateral resolution is obtained. Leveraging the deep accuracy, the interlayer spacings of AB-stacked BLG (AB-BLG) and 30°-twisted BLG (30°-tBLG) are mapped, distinguishing a difference of approximately

[0025] Remarkably, the accurate measurement of the interlayer spacing difference with Phi-AMP positions twisted bilayer graphene as a potential new reference material for the metrology standard of the unit. The generalization of the phase cavity with much higher phase amplification is also discussed, which could potentially achieve femtometer-level accuracy. The Phi-AMP is expected to advance the development of both twistronics and next-generation semiconductor manufacturing, as well as contribute to neuroscience research.

[0026] In one embodiment, the Phi-AMP is based on an epi-mode laser interferometric imaging system to minimize the impact of environmental noise, which is essential for achieving high measurement accuracy. To circumvent the constraints on measurement accuracy caused by phase noise, an optical phase cavity is designed on the sample side of the imaging system. The phase cavity is naturally formed by two opposing ends generated by the required silicon (Si) substrate for imaging and the sample itself, with the phase cavity body composed of uniformly fabricated transparent films. By optimizing the cavity design, the resonance effect in the phase cavity can maximize the screening and amplification of the phase signals of the sample of interest, while suppressing others due to interference. This ensures that the amplified phase signals from the weak-signal sample are not obscured by noise, thereby enhancing visibility under phase imaging. Unlike a cavity designed for intensity signal amplification, the sample information encoded in the phase signal can be quantitatively reconstructed according to their physical relationship with Phi-AMP. The reflected field Er can be simplified to an expression of the equivalent reflection coefficients r0, N of the equivalent reflection interface by using the recurrence relationship between the defined effective complex refractive index values. Then, the reflective phase values in the presence of the phase cavity ΔΦ can be retrieved from Er. The retrieved amplified phase can be expressed as a transformation function of the sample thickness H1 , i.e.,  Therefore, a geometric thickness reversal model can be developed to accurately retrieve the thickness map of sample of interest from the amplified phase map through Benefiting from the phase gain, high-sensitivity interferometric imaging system, and precise thickness reversal model, Phi-AMP can distinguish the subatomic-scale interlayer spacing difference between adjacent layers of BLG at different twisting angles. The measured result matches the theoretical estimation derived from density functional theory (DFT) calculations.

[0027] Referring to FIG. 1A, Phi-AMP is built on an epi-mode high-sensitivity interferometric imaging system, the phase cavity using resonance effect is devised and introduced on the sample side of the imaging system to amplify the weak phase signals overwhelmed by noise by the phase gain G. Meanwhile, the phase noise is maintained at the same level, such that previously undetectable weak signals can be clearly mapped. FIG. 1B shows the theoretical estimation of subatomic-scale interlayer spacing difference attributed by electronic coupling in BLG with different twisting angles by DFT calculations. FIG. 1C shows the physical mechanism of phase amplification. The total reflected field (Er) from a multilayer structure is the superposition of an infinite number of partial waves, which can be represented in the phasor domain. In a phase cavity, the phase of Er can reach the maximum value ΔΦ (red) . For the interlayer spacing difference with 10-5 rad level original phase  (blue) , we can amplify it to a detectable phase at 10-3 rad level (red) . During the amplification process, the phase noise δφstemming from the incident wave (denoted by dotted red and blue arrows) is not amplified but can slightly influence the amplified phase value.

[0028] FIGS. 2A-2D show simulation results and experimental verification of phase gain, and measurement accuracy validation. In particular, FIG. 2A shows the modeling of the total reflected field from an N-layer specimen by constructing equivalent reflection interfaces. FIG. 2B shows simulation results demonstrating the relationship between phase gain G and wavelength λ0 and cavity length H2, where the periodic relation between G and cavity length H2 at 532 nm wavelength is plotted at the top. FIG. 2C shows the imaging system of Φ-Amp. P:polarizer; HWP: half wave plate; QWP: quarter-wave plate; PBS: polarization beam splitter; L1-L3: lens; DG: diffraction grating; PH: pinhole. FIG. 2D shows simulation results and measured phase values, CNR analysis of 500 phase maps of the monolayer graphene sample at 5 cavity lengths H2, including 260.3 nm, 278.5 nm, 285.8 nm, 308.2 nm, and 320.3 nm, with a scale bar of 5 μm.

[0029] FIGS. 3A-3E illustrate measurement accuracy verification of Phi-AMP. In particular, FIG. 3A shows the comparison of phase noise under single-frame measurement and applying frame summing. FIG. 3B shows the comparison of measurement accuracy: regular phase imaging, with cavities (G = 30.5 and G = 101.3) , and with cavity (G = 101.3) and frame summing (FS) . FIG. 3C shows the accuracy improvement through frame summing. FIG. 3D shows the phase map, corresponding reconstructed thickness map and corresponding histogram analysis of the monolayer graphene when G = 30.5. FIG. 3E shows the phase map, corresponding reconstructed thickness map and corresponding histogram analysis of the monolayer graphene when G = 101.3.

[0030] FIG. 4A shows the large field of view imaging of monolayer graphene flakes. FIG. 3B shows the mapping result of the selected region within the white box in FIG. 4A and compares the mapping result with the AFM result. The residues can be well revealed, which proves that Phi-AMP can characterize the sample quality. FIG. 4C thickness histogram of the background region in FIG. 4A, and the thickness fluctuation can be obtained by calculating the standard deviation of the histogram (0.56 nm) . FIG. 4D shows designed patterns made by monolayer graphene for e-beam lithography. FIG. 4E shows a geometric thickness map and the corresponding histogram analysis of the fabricated CUHK pattern by Phi-AMP, FIG. 4F shows a geometric thickness map and the corresponding histogram analysis of the fabricated CUHK pattern by AFM. FIG. 4G shows a geometric thickness map of the designed resolution target. FIG. 4H shows the AFM mapping result of the designed resolution target.

[0031] FIGS. 5A-5G illustrate the interlayer spacing mapping of AB-BLG and 30°-tBLG. In particular, FIG. 5A shows the synthesis and transfer processes of BLG samples. FIG. 5B demonstrates stacking orders of AB-BLG and 30°-tBLG, and corresponding SAED patterns. FIG. 5C shows Raman spectra and Lorentz fitting of the 2D bands of MLG, AB-BLG, and 30°-tBLG, respectively. FIG. 5D provides DFT calculations results for BLG with different twisting angles. FIG. 5E shows retrieved geometrical thickness maps from Phi-AMP of AB-BLG and 30°-tBLG, respectively, FIG. 5F shows histograms of the geometrical thickness maps of AB-BLG and 30°-tBLG in FIG. 5E, respectively. FIG. 5G shows an independent-samples t-test demonstrating a interlayer spacing difference between bilayer graphene samples with different θ (P < 0.01) , wherein the results are comparable with DFT calculations as labeled with stars.

[0032] FIGS. 6A-6C illustrate the generalization of the phase gain mechanism by optimizing the cavity design, such as a Si3N4 / SiO2 cavity. In particular, FIG. 6A shows a schematic representation of a 4-layer specimen with a double-layer cavity. FIG. 6B shows simulation results of the relationship between phase gain G and cavity lengths of two layers d1 and d2 at 532 nm wavelength, wherein the relation between G and d2 at d1=0.2 μm is plotted, the phase gain may reach around 1000. The simulation results demonstrate the possibility of higher phase amplification with a multi-layer cavity design as shown in FIG. 6C MATERIALS AND METHODS

[0033] Using the phase gain theoretical model, the optimized phase cavity can be designed by selecting the appropriate cavity materials, cavity length, and illumination wavelength to achieve maximum phase amplification for the sample of interest.

[0034] The silicon substrate with the designed cavity is fabricated, and the targeted sample is transferred on it. The specimen is then imaged using an epi-mode high-sensitivity interferometric imaging system to quantitatively retrieve the phase map. Subsequently, the geometric thickness map can be reconstructed using the thickness reversal model.EXAMPLE 1:

[0035] In one embodiment, the monolayer graphene film is first synthesized using chemical vapor deposition (CVD) . The optimal cavity length for maximum phase amplification is selected. The fabricated monolayer graphene film is transferred to the Si / SiO2 substrate. Then, the designed patterns are created on the graphene sample using e-beam lithography (EBL) . The phase maps of two graphene samples can be obtained using the epi-mode high-sensitivity interferometric imaging system. The geometric thickness maps of two graphene samples are retrieved by the thickness reversal model. The imaging result of a line pair with pitch 750 nm shows the lateral resolving power of the imaging system. The comparison of morphological characterization of a CUHK pattern between AFM and the method of the subject invention shows the capability of accurately profiling of single atomic layer by the method of the subject invention. EXAMPLE 2:

[0036] In another embodiment, the bilayer graphene samples are synthesized using chemical vapor deposition (CVD) and then transferred to the Si / SiO2 substrate for further imaging. The optimal cavity length for maximum phase amplification is selected. The stacking orders and the exact stacking angles of bilayer graphene samples are characterized by combining selected area electron diffraction (SAED) and Raman microscopy. For consistency, the identical sample characterized by Raman microscopy for subsequent morphological measurements are selected. The phase maps of two graphene samples with different stacking orders can be obtained using the epi-mode high-sensitivity interferometric imaging system. The geometric thickness maps of two graphene samples can be retrieved by the thickness reversal model. The results demonstrate that the method of the subject invention can distinguish two samples with interlayer spacing difference.

[0037] Embodiment 1. A microscopic imaging method with level measurement accuracy, comprising: coupling a phase cavity with an interferometric imaging system to effectively amplify phase signals of a sample of interest; modeling resonance effects in the phase cavity; and optimizing parameters of the phase cavity to maximize amplification of phase signals of the sample of interest, while suppressing noises.

[0038] Embodiment 2. The method of embodiment 1, wherein the phase cavity is disposed on a sample side of the interferometric imaging system.

[0039] Embodiment 3. The method of any preceding embodiment, wherein the phase cavity is formed by two substrates.

[0040] Embodiment 4. The method of embodiment 3, wherein each substrate of the phase cavity is formed of a uniformly fabricated transparent film.

[0041] Embodiment 5. The method of any preceding embodiment, wherein the optimizing parameters of the phase cavity comprises optimizing a material of the phase cavity, the length of the phase cavity, or illumination wavelength.

[0042] Embodiment 6. The method of any preceding embodiment, wherein the optimizing parameters of the phase cavity comprises defining a phase gain G-factor as an evaluation parameter of phase amplification.

[0043] Embodiment 7. The method of any preceding embodiment, further comprises obtaining phase maps by the interferometric imaging systems based on laser illumination.

[0044] Embodiment 8. The method of any preceding embodiment, further comprising performing a transfer-matrix-based reversal model to simulate light propagation in the interferometric imaging system and reconstructing thickness mapping results from the measured phase maps.

[0045] Embodiment 9. The method of any preceding embodiment, further comprising increasing spatial resolutions of the interferometric imaging system by providing synthetic aperture illumination.

[0046] Embodiment 10. The method of any preceding embodiment, further comprising increasing spatial resolutions of the interferometric imaging system by providing angle-scanning illumination.

[0047] Embodiment 11. The method of any preceding embodiment, further comprising increasing spatial resolutions of the interferometric imaging system by providing short wavelength illumination.

[0048] Embodiment 12. The method of embodiment 11, wherein the short wavelength is the extreme ultraviolet wavelength.

[0049] Embodiment 13. The method of any preceding embodiment, wherein the phase cavity is formed of silicon dioxide (SiO2) .

[0050] Embodiment 14. The method of any preceding embodiment, wherein the phase cavity is formed of silicon nitride (Si3N4) .

[0051] Embodiment 15. The method of any preceding embodiment, wherein the phase cavity is formed by stacking a silicon dioxide (SiO2) material and a silicon nitride (Si3N4) material.

[0052] Embodiment 16. The method of any preceding embodiment, wherein a measurement accuracy of is achieved with SiO2 / Si single-layer phase cavity and accuracy of 1 pm is achieved with SiO2 / Si3N4 / Si double-layer phase cavity for the interferometric imaging system.

[0053] All patents, patent applications, provisional applications, and publications referred to or cited herein are incorporated by reference in their entirety, including all figures and tables, to the extent they are not inconsistent with the explicit teachings of this specification.

[0054] It should be understood that the examples and embodiments described herein are for illustrative purposes only and that various modifications or changes in light thereof will be suggested to persons skilled in the art and are to be included within the spirit and purview of this application and the scope of the appended claims. In addition, any elements or limitations of any invention or embodiment thereof disclosed herein can be combined with any and / or all other elements or limitations (individually or in any combination) or any other invention or embodiment thereof disclosed herein, and all such combinations are contemplated with the scope of the invention without limitation thereto. REFERENCES 1. Li, Y. et al. Tuning commensurability in twisted van der Waals bilayers. Nature 625,  494-499 (2024) . 2. Cao, Y. et al. Unconventional superconductivity in magic-angle graphene superlattices.  Nature 556, 43-50 (2018) . 3. Dai, Z. et al. Quantum-Well Bound States in Graphene Heterostructure Interfaces. Phys.  Rev. Lett. 127, 086805 (2021) . 4. Liu, C. et al. Two-dimensional materials for next-generation computing technologies.  Nat. Nanotechnol. 15, 545-557 (2020) . 5. Zeng, S., Liu, C., and Zhou, P. Transistor engineering based on 2D materials in the  post-silicon era. Nature Reviews Electrical Engineering 1, 335-348 (2024) . 6. Liu, Y. et al. Promises and prospects of two-dimensional transistors. Nature 591, 43- 53 (2021) . 7. Wang, S. et al. Two-dimensional devices and integration towards the silicon lines. Nat.  Mater. 21, 1225-1239 (2022) . 8. Novoselov, K. S., Mishchenko, A., Carvalho, A. &Neto, A. H. C. 2D materials and van  der Waals heterostructures. Science 353, aac9439 (2016) . 9. Liu, Y. et al. Van der Waals heterostructures and devices. Nat. Rev. Mater. 1, 16042  (2016) . 10. Zhou, Z. et al. Stack growth of wafer-scale van der Waals superconductor  heterostructures. Nature 621, 499-505 (2023) . 11. Jorio, A. Twistronics and the small-angle magic. Nat. Mater. 21, 844-845 (2022) . 12. Orji, N. G. et al. Metrology for the next generation of semiconductor devices. Nat.  Electron 1, 532-547 (2018) . 13. Dai, D. et al. Twist angle-dependent valley polarization switching in heterostructures.  Sci. Adv. 10, eado1281 (2024) . 14. Potocnik, T. et al. Fast Twist Angle Mapping of Bilayer Graphene Using Spectroscopic  Ellipsometric Contrast Microscopy. Nano Lett 23, 5506-5513 (2023) . 15. Abbott, B. P. et al. Observation of Gravitational Waves from a Binary Black Hole  Merger. Phys. Rev. Lett. 116, 061102 (2016) . 16. Agostini, P., Krausz, F., and L'Huillier, A. Light as fast as electrons. Nat. Phys. 19,  1520-1520 (2023) . 17. Zernike, F. Phase contrast, a new method for the microscopic observation of transparent  objects part II. Physica 9, 974-986 (1942) . 18. Zernike, F. Phase contrast, a new method for the microscopic observation of transparent  objects. Physica 9, 686-698 (1942) . 19. Bhaduri, B. et al. Diffraction phase microscopy: principles and applications in materials  and life sciences. Adv. Opt. Photonics 6, 57-119 (2014) . 20. Park, Y., Depeursinge, C., and Popescu, G. Quantitative phase imaging in biomedicine.  Nat Photonics 12, 578-589 (2018) . 21. Lee, C., Baek, Y., Hugonnet, H., and Park, Y. Single-shot wide-field topography  measurement using spectrally multiplexed reflection intensity holography via space-domain Kramers-Kronig relations. Opt. Lett. 47, 1025-1028 (2022) . 22. Edwards, C., Arbabi, A., Popescu, G., and Goddard, L. L. Optically monitoring and  controlling nanoscale topography during semiconductor etching. Light-Sci. Appl. 1, e30 (2012) . 23. Kandel, M. E. et al. Epi-illumination gradient light interference microscopy for imaging  opaque structures. Nat. Commun. 10, 4691 (2019) . 24. Nie, Y. and Zhou, R. Beating temporal phase sensitivity limit in off-axis interferometry  based quantitative phase microscopy. APL Photonics 6, 011302 (2021) . 25. Kandel, M. E., Teng, K. W., Selvin, P. R., and Popescu, G. Label-Free Imaging of Single  Microtubule Dynamics Using Spatial Light Interference Microscopy. ACS Nano 11, 647-655 (2017) . 26. Shin, S., Kim, K., Lee, K., Lee, S., and Park, Y. Effects of spatiotemporal coherence  on interferometric microscopy. Opt. Express 25, 8085-8097 (2017) . 27. Toda, K., Tamamitsu, M., and Ideguchi, T. Adaptive dynamic range shift (ADRIFT)  quantitative phase imaging. Light-Sci. Appl. 10, 1 (2021) . 28. Hosseini, P. et al. Pushing phase and amplitude sensitivity limits in interferometric  microscopy. Opt. Lett. 41, 1656-1659 (2016) . 29. Nie, Y. et al. Transmission-matrix quantitative phase profilometry for accurate and fast  thickness mapping of 2D Materials. ACS Photonics 10, 1084-1092 (2023) . 30. Jia, W. et al. Squeezing the quantum noise of a gravitational-wave detector below the  standard quantum limit. Science 385, 1318-1321 (2024) . 31. Cruz-Rodriguez, L., Dey, D., Freibert, A., and Stammer, P. Quantum phenomena in  attosecond science.Nat.Rev.Phys.6, 691-704 (2024) .

Claims

1.A microscopic imaging method with  level measurement accuracy, comprising:coupling a phase cavity with an interferometric imaging system to effectively amplify phase signals of a sample of interest;modeling resonance effects in the phase cavity; andoptimizing parameters of the phase cavity to maximize the amplification of phase signals of the sample of interest, while suppressing noises.2.The method of claim 1, wherein the phase cavity is disposed on a sample side of the interferometric imaging system.3.The method of claim 1, wherein the phase cavity is formed by two cavity ends.4.The method of claim 3, wherein the cavity body between two cavity ends is formed of a uniformly fabricated transparent film.5.The method of claim 1, wherein the optimizing parameters of the phase cavity comprise optimizing a material of the phase cavity, the length of the phase cavity, or the illumination wavelength.6.The method of claim 1, wherein the optimizing parameters of the phase cavity comprise defining a phase gain G-factor as an evaluation parameter of phase amplification.7.The method of claim 1, further comprising obtaining phase maps by the interferometric imaging systems based on laser illumination.8.The method of claim 7, further comprising performing a transfer-matrix-based reversal model to simulate light propagation in the interferometric imaging system and reconstructing thickness mapping results from the measured phase maps.9.The method of claim 7, further comprising increasing the spatial resolution of the interferometric imaging system by providing synthetic aperture illumination.10.The method of claim 7, further comprising increasing the spatial resolution of the interferometric imaging system by providing angle-scanning illumination.11.The method of claim 7, further comprising increasing the spatial resolution of the interferometric imaging system by providing short wavelength illumination.12.The method of claim 11, wherein the short wavelength is the extreme ultraviolet wavelength.13.The method of claim 1, wherein the phase cavity is formed of silicon dioxide (SiO2) .14.The method of claim 1, wherein the phase cavity is formed of silicon nitride (Si3N4) .15.The method of claim 1, wherein the phase cavity is formed by stacking a silicon dioxide (SiO2) material and a silicon nitride (Si3N4) material.16.The method of claim 1, wherein a measurement accuracy of  is achieved with SiO2 / Si single-layer phase cavity and accuracy of 1 pm is achieved with SiO2 / Si3N4 / Si double-layer phase cavity for the interferometric imaging system.

Images