Antireflection film and production method for antireflection film

Abstract

The antireflection film includes a dielectric layer deposited on a substrate, an adjustment layer provided on the dielectric layer, and an anti-reflective structure layer provided on the adjustment layer and having a plurality of protrusions, wherein the anti-reflective structure layer contains aluminum oxide and a hydrate thereof as main components, the adjustment layer contains an oxide of cerium or an oxide of zirconium as a main component, and the anti-reflective structure layer is provided in contact with the adjustment layer.

Description

ANTIREFLECTION FILM AND PRODUCTION METHOD FOR ANTIREFLECTION FILMTECHNICAL FIELD

[0001] The present invention relates to an antireflection film exhibiting good reflectance before and after a reliability test, and a production method therefor.BACKGROUND ART

[0002] A camera unit mounted on a smartphone or the like includes a lens unit using a plurality of lenses. In general, all lens surfaces of the lens unit are coated with an antireflection film. Since the lens surfaces of the lens unit are coated with the antireflection film, ghost and flare caused by repeated reflection of light incident on the lens are reduced.

[0003] Recently, in order to further enhance the antireflection function, not only an antireflection film obtained using a conventional dielectric multilayer film but also an antireflection structure obtained using a nanostructure represented by Moth-eye has been used (For example, Patent Documents 1 to 4) . It is believed that by utilizing the nanostructure, the refractive index in the film from the lens surface toward the inside of the lens is managed to changed gradually, and it is possible to obtain lower reflectance performance than that of conventional structures.

[0004] Nanostructures containing a hydrate of aluminum oxide (for example, boehmite (represented as Al2O3·H2O or AlOOH) and bayerite (represented as Al2O3·H2O or Al (OH) 3) ) and aluminum oxide as main components are known to be able to produce nanostructures relatively easily. In the antireflection technology utilizing a nanostructure containing aluminum oxide and a hydrate thereof as main components, when the refractive index of a target lens is about 1.6, a difference in refractive index from the refractive index (about 1.6) of a material of the nanostructure is small, and reflection at the interface between the lens and the nanostructure can be nearly disregarded. However, when a lens having a high refractive index exceeding 1.60 is targeted, the difference in refractive index at the interface between the lens and the nanostructure is large, and reflection at the interface between the lens and the nanostructure cannot be ignored. Therefore, as disclosed in Patent Documents 1 to 4 and the like, there is known a method of improving antireflection performance by forming a dielectric layer of an oxide, a nitride, an oxynitride or the like of silicon as a refractive index adjustment layer between a lens and a nanostructure.

[0005] The antireflection films of Patent Documents 1 to 4 will be described with reference to FIG. 18. FIG. 18 is a schematic diagram illustrating a cross-sectional structure of a conventional antireflection film. FIG. 18 (a) illustrates a conventional antireflection film 100Z1 immediately after production. As illustrated in FIG. 18 (a) , the conventional antireflection film 100Z1 has a configuration in which a dielectric layer 20Z of SiO2 or the like is provided on a substrate 10, and an anti-reflective structure layer 40Z having a nanostructure is provided to be in contact with the dielectric layer.

[0006] [Citation List]

[0007] [Patent Document]

[0008] [Patent Document 1]

[0009] International Publication No. 2020 / 066428

[0010] [Patent Document 2]

[0011] US 11,714,212

[0012] [Patent Document 3]

[0013] Chinese Patent Application Publication No. 115598794

[0014] [Patent Document 4]

[0015] International Publication No. 2012 / 127744SUMMARY OF INVENTION

[0016] [Technical Problem]

[0017] However, it has been found by the present inventors that the reflectance of the antireflection film (100Z1) having a nanostructure containing aluminum oxide and a hydrate thereof as main components on the dielectric layer 20Z as in Patent  Documents 1 to 4 greatly changes before and after the reliability test in a high-temperature and high-humidity environment.

[0018] FIG. 18 (b) is a schematic diagram illustrating the configuration of the antireflection film after the reliability test. The spectral reflectance of an antireflection film before and after the constant-temperature and constant-humidity test was analyzed by reflectance simulation, and as shown in FIG. 18 (b) , it was confirmed that in an antireflection film 100Z2 after the reliability test in a high-temperature and high-humidity environment, a modified layer 90 having a thickness of several nm and a refractive index different from those of the dielectric layer 20Z and the anti-reflective structure layer 40Z was generated between these layers. The refractive index of the modified layer 90 is about 1.2～1.3, which is lower than the refractive index (about 1.6) of a hydrate of aluminum oxide constituting the anti-reflective structure layer 40Z and the refractive index (about 1.4 in the case of SiO2) of the dielectric layer 20Z, and it is considered that an antireflection film having a desired reflectance as a whole cannot be obtained due to the generation of this layer.

[0019] The anti-reflective structure layer 40Z can be formed by hydrothermally treating a thin film containing aluminum to allow a chemical reaction to proceed from the surface side. As described above, the constituent material of the anti-reflective structure layer 40Z reacts with hot water, but it is presumed that the chemical reaction is further promoted by permeation of water vapor in the test performed in a high-temperature and high-humidity environment, thus forming the modified layer 90. Specifically, it is considered that water vapor enters from the surface side, and meanwhile, the dielectric layer 20Z plays a role of so-called breakwater that suppresses the permeation of water vapor, and suppresses the permeation of water vapor to the substrate side, so that the moisture amount at the interface between the anti-reflective structure layer 40Z and the dielectric layer 20Z increases. It is presumed that the chemical reaction of the material present in the region on the substrate 10 side of the anti-reflective structure layer 40Z at the interface between the anti-reflective structure layer 40Z and the dielectric layer 20Z proceeds as the moisture amount at the interface increases, and accordingly, air gaps such as air bubbles and voids denoted by the reference sign g are generated, whereby the modified layer 90 is formed.

[0020] As described above, in the antireflection films of Patent Documents 1 to 4, the optical characteristics change due to the accelerated degradation test in a high-temperature and high-humidity environment or with the use as a product, and thus desired optical characteristics cannot be obtained.

[0021] The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object of the present invention is to provide an antireflection film that exhibits good reflectance before and after a reliability test in a high-temperature and high-humidity environment and exhibits desired optical characteristics.

[0022] [Solution to Problem]

[0023] In order to solve the above problems, the present invention provides the following means.

[0024] [1] An antireflection film according to an aspect of the present invention includes

[0025] a dielectric layer deposited on a substrate, an adjustment layer provided on the dielectric layer, and an anti-reflective structure layer provided on the adjustment layer and having a plurality of protrusions, in which the anti-reflective structure layer contains aluminum oxide and a hydrate thereof as main components,

[0026] the adjustment layer contains an oxide of cerium or an oxide of zirconium as a main component, and the anti-reflective structure layer is provided in contact with the adjustment layer.

[0027] [2] In the antireflection film of [1] , the adjustment layer may contain CeO2 or ZrO2 as a main component.

[0028] [3] In the antireflection film of [1] or [2] , the adjustment layer may be composed of CeO2 or ZrO2.

[0029] [4] In the antireflective film of [1] to [3] , the average reflectance at a wavelength of 420 to 680 nm after a constant-temperature and constant-humidity test performed at 85℃ and 85%RH for 120 hours may be 0.30%or less.

[0030] [5] In the antireflective film of [1] to [4] , the difference in average reflectance at a wavelength of 420 to 680 nm before and after a constant-temperature and constant-humidity test performed at 85℃ and 85%RH for 120 hours may be less than 0.25%.

[0031] [6] In the antireflection film of [1] to [5] , the adjustment layer may be 0.01 to 1.2 QWOT.

[0032] [7] In the antireflection film of [1] to [6] , in the dielectric layer, a low refractive index layer containing silicon oxide as a main component and a high refractive index layer having a refractive index higher than that of the low refractive index layer may be alternately deposited, and the adjustment layer may be sandwiched between the low refractive index layer and the anti-reflective structure layer.

[0033] [8] In the antireflection film of [1] to [7] , the refractive index of the substrate may be 1.55 or more and 2.15 or less.

[0034] [9] A production method for an antireflection film according to an aspect of the present invention produces the antireflection film according to the above aspect.

[0035] The production method for an antireflection film of [9] may include an adjustment layer depositing step of depositing an adjustment layer containing an oxide of cerium or an oxide of zirconium as a main component on a substrate and an anti-reflective structure layer forming step of forming an anti-reflective structure layer containing aluminum oxide and a hydrate thereof as main components in contact with the adjustment layer.

[0036] [Advantageous Effects of Invention]

[0037] According to the present invention, it is possible to provide an antireflection film exhibiting good reflectance before and after a reliability test in a high-temperature and high-humidity environment.BRIEF DESCRIPTION OF DRAWINGS

[0038] FIG. 1 is a cross-sectional diagram illustrating an example of a configuration of an antireflection film according to an embodiment of the present invention.

[0039] FIG. 2 is a diagram for illustrating a production method for an antireflection film according to an embodiment of the present invention.

[0040] FIG. 3 is a schematic diagram for illustrating a mechanism of action in which reliability is improved in a high-temperature and high-humidity environment by an antireflection film according to an embodiment of the present invention.

[0041] FIG. 4 is a cross-sectional diagram of an antireflection film according to a modification example of FIG. 1.

[0042] FIG. 5 is a cross-sectional diagram of an antireflection film according to another modification example of FIG. 1.

[0043] FIG. 6 is a graph showing wavelength dependency of reflectance before and after a constant-temperature and constant-humidity test of an antireflection film of Example 1.

[0044] FIG. 7 is a graph showing wavelength dependency of reflectance before and after a constant-temperature and constant-humidity test of an antireflection film of Example 2.

[0045] FIG. 8 is a graph showing wavelength dependency of reflectance before and after a constant-temperature and constant-humidity test of an antireflection film of Example 3.

[0046] FIG. 9 is a graph showing wavelength dependency of reflectance before and after a constant-temperature and constant-humidity test of an antireflection film of Example 4.

[0047] FIG. 10 is a graph showing wavelength dependency of reflectance before and after a constant-temperature and constant-humidity test of an antireflection film of Example 5.

[0048] FIG. 11 is a graph showing wavelength dependency of reflectance before and after a constant-temperature and constant-humidity test of an antireflection film of Example 6.

[0049] FIG. 12 is a graph showing wavelength dependency of reflectance before and after a constant-temperature and constant-humidity test of an antireflection film of Comparative Example 1.

[0050] FIG. 13 is a graph showing wavelength dependency of reflectance analyzed by simulation of an antireflection film of Comparative Example 2.

[0051] FIG. 14 is a graph showing wavelength dependency of reflectance of antireflection films of Examples 7-1 to 7-8.

[0052] FIG. 15 is a graph showing wavelength dependency of reflectance of antireflection films of Examples 8-1 and 8-2.

[0053] FIG. 16 is a graph showing wavelength dependency of reflectance of antireflection films of Examples 9-1 to 9-6.

[0054] FIG. 17 is a graph showing optical thickness dependency of an adjustment layer of the average reflectance of each antireflection film of Examples 10-1 to 10-7.

[0055] FIG. 18 (a) is a cross-sectional diagram showing a configuration of a conventional antireflection film immediately after production, and FIG. 18 (b) is a cross-sectional diagram of the antireflection film of FIG. 18 (a) after a reliability test in a high-temperature and high-humidity environment.DESCRIPTION OF EMBODIMENTS

[0056] Hereinafter, an example of an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the  drawings. Note that, in the drawings used in the following description, a characteristic portion may be enlarged for convenience in order to facilitate understanding of the features of the present invention. For this reason, the dimensional ratio of each component may be different from the actual ones.

[0057] [Antireflection Film]

[0058] FIG. 1 is a cross-sectional diagram illustrating an example of a configuration of an antireflection film according to an embodiment of the present invention. An antireflection film 100 A shown in FIG. 1 includes a substrate 10, a dielectric layer 20A deposited on the substrate 10, an adjustment layer 30 provided on the dielectric layer 20A, and an anti-reflective structure layer 40 provided on the adjustment layer 30 and having a plurality of protrusions. The adjustment layer 30 contains an oxide of cerium or an oxide of zirconium as a main component. The anti-reflective structure layer 40 is provided in contact with the adjustment layer 30.FIG. 1 illustrates a configuration in which the dielectric layer 20A is a single low refractive index layer 21.

[0059] (Substrate)

[0060] The substrate 10 is composed of a material capable of transmitting light in the visible light range. The substrate 10 is mainly used in an optical device such as a camera lens. The substrate 10 may have a flat shape or may have flexibility capable of corresponding to the shape of the lens. That is, the substrate 10 may have a curved shape. The substrate 10 is composed of, for example, glass or plastic. Examples of the plastic that can be used as the substrate 10 include a polycarbonate resin, a cyclic olefin copolymer, and a cycloolefin polymer. Here, being capable of transmitting light in the visible light range means that the internal transmittance is approximately 10%or more with respect to the wavelength of light to be prevented from being reflected (light targeted for antireflection) in the optical member. The substrate 10 may be configured not to be transparent in the visible light range. The substrate 10 is also referred to as the base material.

[0061] As the substrate 10, a material chosen by the optical design of the lens unit and having an arbitrary refractive index can be used, but the refractive index is preferably 1.55 or more and 2.15 or less, and more preferably 1.55 or more and 1.71 or less from the viewpoint of exhibiting favorable low reflectance in the case of being in contact with an oxide of silicon such as SiO2 which is frequently used as the outermost layer of the dielectric layer 20A.

[0062] (Dielectric Layer)

[0063] The dielectric layer 20A includes a known material that can be used as a refractive index adjustment layer. The dielectric layer 20A includes, for example, an oxide or an oxynitride of silicon, a magnesium fluoride, or the like as a main component. Examples of the oxide and oxynitride of silicon include SiO2, Si2O3, and SiON. As such, the silicon oxide contained in the dielectric layer 20A is not limited to silicon dioxide, but includes oxygen-deficient silicon dioxide such as that represented by the general formula SiOx. Here, in the present embodiment, the main component means that the content of the compound in each layer is 50 mass%, and the content is preferably 75 mass%or more, more preferably 90 mass%or more, and still more preferably 95 mass %or more or 99 mass%or more.

[0064] The dielectric layer 20A plays a role of adjusting optical properties such as the reflection and the transmission characteristics. The desired reflectance and transmittance can be obtained by optimizing the film composition, such as the number of layers, refractive index, and thickness of the dielectric layer 20A. For example, as will be described in detail later, the dielectric layer 20A can be a plurality of layers having an alternately laminated structure of a low refractive index layer composed of silicon oxide as the main component and a high refractive index layer composed of a material having a refractive index higher than that of the low refractive index layer.

[0065] (Adjustment Layer)

[0066] The adjustment layer 30 is provided, for example, in contact with the dielectric layer 20A. The adjustment layer 30 contains an oxide of cerium or an oxide of zirconium as a main component, and is preferably composed of an oxide of cerium or an oxide of zirconium. The oxide of cerium contained in the adjustment layer 30 is preferably cerium dioxide CeO2. The oxide of zirconium contained in the adjustment layer 30 is preferably zirconium dioxide ZrO2.

[0067] The composition of the adjustment layer 30 can be analyzed by analyzers that can perform elemental analysis and composition analysis by detecting X-rays, such as EDX (Energy Dispersive X-ray Spectroscopy) , EDS (Energy Dispersive X-ray Spectroscopy) , XPS (X-ray Photoelectron Spectroscopy) , and SIMS (Secondary Ion Mass Spectrometry) , a mass spectrometry method using ion collisions.

[0068] The thickness of the adjustment layer 30 is not particularly limited since the thickness is adjusted by the optimization  of reflectance performance, but the optical thickness is preferably in the range of 0.01～1.20 quarter wave of optical thickness (QWOT) and more preferably in the range of 0.01～0.08 QWOT, from the viewpoint of the relationship of refractive index with the anti-reflective structure layer 40 containing aluminum oxide and a hydrate thereof as main components.

[0069] Here, the optical thickness 1 QWOT is an optical thickness where λ / 4 is 1, when the wavelength is λ, the refractive index of the film is n, and the film thickness is d, and is expressed by the following Equation (1) . In the present embodiment, 1 QWOT is obtained at a wavelength of light to be prevented from being reflected. Typically, 1 QWOT is used for the purpose of preventing light in the visible light region. In the present embodiment, a value at a wavelength λ = 500 nm is presented, and in this case, n in Equation (1) is the refractive index at λ = 500 nm.

[0070] QWOT = 4nd / λ ··· (1)

[0071] (Anti-reflective structure layer)

[0072] The anti-reflective structure layer 40 is a layer provided in contact with the adjustment layer 30, contains an aluminum oxide and a hydrate thereof as main components, and has a plurality of protruding structures. The hydrate of the aluminum oxide contained as a main component in the anti-reflective structure layer 40 is, for example, boehlite (represented by Al2O3·H2O or AlOOH) which is an alumina monohydrate, bayerite (represented by Al2O3·H2O or Al (OH) 3) which is an alumina trihydrate, or the like. The aluminum oxide is, for example, Al2O3, and the anti-reflective structure layer 40 typically contains a hydrate of the aluminum oxide as a main component.

[0073] The anti-reflective structure layer 40 is formed by hydrothermally treating a thin film obtained by vapor-growing one or both of aluminum and alumina on the adjustment layer 30.

[0074] The average height of the protrusions in the anti-reflective structure layer 40 is, for example, 5 nm to 1000 nm, and may be 20 nm to 500 nm. Since the average height of the protrusions in the anti-reflective structure layer 40 is sufficiently large, a sufficient size can be secured for visible light, and a phenomenon in which the refractive index gradually changes by the anti-reflective structure layer 40 can be sufficiently exhibited. In addition, since the average height of the protrusions in the anti-reflective structure layer 40 is not excessively high, it is possible to prevent a decrease in mechanical strength and occurrence of contamination. The average height of the protrusions in the anti-reflective structure layer 40 can be measured from a cross-sectional SEM image.

[0075] [Production Method for Antireflection Film]

[0076] Next, a method for producing the antireflection film according to the above embodiment will be described. FIG. 2 is a diagram for illustrating a production method for an antireflection film according to an embodiment of the present invention.

[0077] The production method for an antireflection film according to an embodiment of the present invention includes, for example, an adjustment layer forming step of forming the adjustment layer 30 containing an oxide of cerium or an oxide of zirconium as a main component on the substrate 10 (see step 2 in FIG. 2) and an anti-reflective structure layer forming step of forming the anti-reflective structure layer 40 in contact with the adjustment layer 30. Here, forming the adjustment layer 30 on the substrate 10 means forming the adjustment layer 30 above the substrate 10, is not limited to the configuration in which the adjustment layer 30 is directly deposited on the substrate 10, and includes a configuration in which the adjustment layer 30 is deposited on the substrate 10 via one or a plurality of layers such as the dielectric layer 20A.

[0078] The production method for an antireflection film according to the present embodiment includes, for example, a dielectric layer forming step of forming the dielectric layer 20A on the substrate 10 (see step 1 in FIG. 2) , an adjustment layer forming step of forming the adjustment layer 30 on the dielectric layer 20A (see step 2 in FIG. 2) , a thin film depositing step of depositing a thin film 45 containing aluminum in contact with the adjustment layer 30 (see step 3 in FIG. 2) , and an anti-reflective structure layer forming step of hydrothermally treating the laminate having the thin film to form the anti-reflective structure layer 40 from the thin film 45 (See steps 3 and 4 in FIG. 2) . By such a production method, the antireflection film 100A having the same configuration as that of FIG. 1 can be produced, as shown in step 5 in FIG. 2.

[0079] (Dielectric Layer Forming Step)

[0080] The dielectric layer 20A is grown on the substrate 10 by, for example, a vapor phase growth method. The dielectric layer 20A can be formed by a known method of forming a layer for adjusting the refractive index. For example, the dielectric layer 20A can be formed by a vacuum vapor deposition method such as a chemical vapor deposition method such as a plasma CVD method, a laser CVD method, a thermal CVD method, a gas source CVD method, or a ALD method, and a physical vapor deposition  method such as a sputtering method, a resistance heating vapor deposition method, an electron beam vapor deposition method, or a molecular beam epitaxy method.

[0081] The dielectric layer forming step may be performed by a physical vapor deposition method using an ion assisted deposition (IAD) method. That is, at the time of forming the dielectric layer, the target substrate may be irradiated with an ion beam such as an ion beam of oxygen ions, argon ions, or a mixed gas of oxygen and argon to adjust the denseness of the film.

[0082] (Adjustment Layer Forming Step)

[0083] The adjustment layer 30 is grown on the dielectric layer 20A by, for example, a vapor phase growth method. The adjustment layer forming step may be performed by, for example, the same method as the dielectric layer forming step. That is, for example, the adjustment layer 30 can be formed by a vacuum vapor deposition method such as a chemical vapor deposition method such as a plasma CVD method, a laser CVD method, a thermal CVD method, a gas source CVD method, or an ALD method, and a physical vapor deposition method such as a sputtering method, a resistance heating vapor deposition method, an electron beam vapor deposition method, or a molecular beam epitaxy method. In the adjustment layer forming step, it is preferable to set the ultimate vacuum of the film forming chamber to be 3.0×10-3 Pa or less, and more preferably 2.0×10-3 Pa or less. A higher degree of vacuum is preferable in terms of production reproducibility of film quality. On the other hand, considering productivity so that a long evacuation time is not required to obtain a high vacuum , it is more preferable to set the ultimate vacuum of the forming chamber to be 5.0×10-6 Pa or more or 2.0×10-5 Pa or more. The film forming rate in the adjustment layer forming step can be arbitrarily set, and can be, for example,  or more and  or less. Film density and quality can be adjusted by adjusting the deposition rate. On the other hand, the deposition rate is also related to productivity. When depositing thin layers, a relatively low rate within this range should be used, and when depositing thick layers, a relatively high rate should be used to achieve a good balance between film thickness reproducibility and production speed.

[0084] The adjustment layer forming step may also be performed by a physical vapor deposition method using an ion assisted vapor deposition method, or may be performed by a vapor deposition method not using an ion assisted deposition method. When the adjustment layer forming step is performed by IAD, for example, an ion beam at an acceleration voltage of 100 to 1000 V and an acceleration current of 150 to 500 mA can be used. The ion beam used in the film forming step can be an oxygen ion beam, an argon ion beam, or an ion beam of a mixed gas of oxygen and argon. For example, it is preferable that the amount of oxygen introduced into the film forming chamber is in the range of 20 to 50 sccm, and the amount of argon introduced is in the range of 0 to 25 sccm. The ion current densities obtained by these conditions take the range of 1 to 120 μA / cm2.

[0085] As the vapor deposition source, a simple substance of a metal contained in a material to be formed as the adjustment layer 30, an oxide of the metal, or the like can be used. For example, cerium, cerium oxide, zirconium, zirconium oxide, or the like can be used as the vapor deposition source.

[0086] (Anti-reflective structure layer Forming Step)

[0087] Next, the anti-reflective structure layer 40 containing aluminum oxide and a hydrate thereof as main components is formed in contact with the adjustment layer 30. The anti-reflective structure layer forming step includes, for example, a thin film forming step of forming the thin film 45 in contact with the adjustment layer 30 and a hydrothermal treatment step of hydrothermally treating the thin film 45 to form the anti-reflective structure layer 40.

[0088] ·Thin Film Depositing Step

[0089] The thin film 45 can be deposited by subjecting at least one of aluminum alone or a compound containing aluminum to vapor phase deposition. Examples of the compound containing aluminum include aluminum oxide and a compound in which oxygen deficiency occurs in aluminum oxide. The method for subjecting at least one of aluminum alone and a compound containing aluminum to vapor phase deposition is not particularly limited, and can be appropriately selected from known methods according to the purpose, and examples thereof include a vacuum vapor deposition method, which is broadly divided into a chemical vapor deposition method and a physical vapor deposition method. Examples of the chemical vapor deposition method include a plasma CVD method, a laser CVD method, a thermal CVD method, and a gas source CVD method. The thin film 45 is formed so as to be in contact with the adjustment layer 30. As a method of the thin film forming step, a method similar to the method used in the dielectric layer forming step and the adjustment layer forming step can be used.

[0090] ·Hydrothermal Treatment Step

[0091] Next, the thin film 45 is subjected to a hydrothermal treatment to form the anti-reflective structure layer 40 containing  aluminum oxide and a hydrate thereof as the main components. The hydrothermal treatment can be performed by, for example, a method of immersing a molded body in which the substrate 10, the dielectric layer 20A, the adjustment layer 30, and the thin film 45 are laminated in this order in hot water of 60℃ or higher and the boiling temperature or lower. When the immersion is performed in an atmospheric pressure environment, the temperature of the hot water can be 100℃ or lower. The time of immersing the molded body in the hot water can be, for example, in the range of 1 minute or more and 60 minutes or less. The temperature of the hot water and the time of immersing the molded body in the hot water can be determined according to the product requirements. In addition, hydrothermal treatment may be performed for the above immersion time using an alkaline aqueous solution of the above temperature, instead of the hot water. Note that these methods may be repeated a plurality of times.

[0092] In addition, since a reaction also occurs due to water vapor, the molded body after the immersion under the above conditions may be placed in a high-temperature and high-humidity environment and subjected to a finishing treatment. That is, the anti-reflective structure layer forming step may include a finishing treatment step (not shown) in addition to the thin film forming step and the hydrothermal treatment step. The finishing treatment step can be performed under the conditions of, for example, a temperature of 40℃ or higher and 90℃ or lower than and a relative humidity of 60%RH or higher and 90%RH or lower for 1 minute or more and 24 hours or less. The conditions for the finishing treatment step can be determined according to the product requirements.

[0093] The hydrothermal treatment step may not only be performed once but also repeated a plurality of times. In repeating the hydrothermal treatment step, the thin film forming step may be repeated together with the hydrothermal treatment step. That is, the thin film 45 may be formed again by the thin film forming step after one hydrothermal treatment step, and then the hydrothermal treatment step may be performed to form the thin film 45 as the anti-reflective structure layer 40.

[0094] By the production method for an antireflection film according to the present embodiment, the antireflection film 100A as shown in FIG. 1 can be provided. The antireflection film according to the present embodiment exhibits good reflectance before and after a reliability test in a high-temperature and high-humidity environment. For example, in the antireflection film 100A according to the present embodiment, the average reflectance at a wavelength of 420 to 680 nm after a constant-temperature and constant-humidity test performed at 85℃ and 85%RH for 120 hours is 0.30%or less, preferably 0.15%or less, more preferably 0.10%or less, and still more preferably 0.05%or less. In the antireflection film 100A according to the present embodiment, the average reflectance at a wavelength of 420 to 680 nm before the constant-temperature and constant-humidity test is 0.30%or less, preferably 0.15%or less, more preferably 0.10%or less, and still more preferably 0.05%or less. In the antireflection film 100A according to the present embodiment, the difference in the average reflectance at a wavelength of 420 to 680 nm before and after a constant-temperature and constant-humidity test performed at 85℃ and 85%RH for 120 hours is less than 0.25%, preferably 0.20%or less, more preferably 0.10%or less, still more preferably 0.05%or less, and particularly preferably 0.02%or less.

[0095] FIG. 3 is a schematic diagram for illustrating a mechanism of action in which reliability is improved in a high-temperature and high-humidity environment by an antireflection film according to an embodiment of the present invention. In FIG. 3, the flow of water vapor when the antireflection film 100A shown in FIG. 1 is placed in a high-temperature and high-humidity environment is indicated by the arrows. In the antireflection film 100A according to the present embodiment, since the layer in contact with the anti-reflective structure layer 40 is the adjustment layer 30, the moisture amount at the interface with the layer in contact with the anti-reflective structure layer 40 in the laminating direction can be reduced as compared with the configuration of the antireflection film 100Z shown in FIG. 18, and the modification of the material constituting the anti-reflective structure layer 40 can be suppressed. That is, generation of air gaps (configuration denoted by reference sign g in FIG. 18) associated with the modification of the anti-reflective structure layer 40 can be suppressed, and good optical characteristics can be exhibited even when the anti-reflective structure layer is exposed to a high-temperature and high-humidity environment.

[0096] It is considered that the above-described effect in the antireflection film 100A according to the present embodiment is exhibited by the configuration of the adjustment layer 30. The zirconium oxide or cerium oxide contained in the adjustment layer 30 as the main component is a heterogeneous material of which the film density tends to change with deposition in the process of film deposition. The change in the film density in the adjustment layer 30 is caused by film growth of the oxide in a columnar shape. Therefore, it is considered that the density unevenness is generated in the film deposition direction, and the permeation of water molecules is alleviated. Therefore, it is considered that by forming a layer containing the oxide as a main component as the adjustment layer 30, the concentration of water molecules interposed at the interface of the nanostructure with the dielectric layer  is lowered at high temperature and high humidity, and there is an effect of suppressing an excessive reaction in the vicinity of the interface.

[0097] Note that the antireflection film of the present invention is not limited to the configuration according to the above embodiment, and can be appropriately modified within the scope of paper described in the claims. For example, the antireflection film according to an embodiment of the present invention may have configurations as shown in FIGS. 4 and 5.

[0098] In an antireflection film 100B shown in FIG. 4, the configuration of a dielectric layer 20B is different from the configuration of the dielectric layer 20A in the antireflection film 100A. In the antireflection film 100B shown in FIG. 4, the same components as those of the antireflection film 100A shown in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals, and description thereof is omitted.

[0099] The dielectric layer 20B has a plurality of layers. The dielectric layer 20B includes, for example, a plurality of layers in which a low refractive index layer 21 composed of a material such as an oxide, a nitride, or an oxynitride of silicon and a high refractive index layer 22 having a refractive index higher than that of the low refractive index layer 21 are alternately laminated. The total number of layers provided in the dielectric layer 20B is not particularly limited as long as it is two or more layers, and may be an odd number. The material, the film thickness, and the number of layers constituting each layer of the dielectric layer 20B are selected in consideration of optical characteristics desired for an antireflection film. The low refractive index layer 21 and the high refractive index layer 22 are selected, for example, from the following materials in consideration of their mutual refractive indices.

[0100] As the high refractive index layer 22, for example, TiO2, Ta2O5, Nb2O5, HfO2, ZrO2, Y2O3, CeO2, WO3, La2O3, MgO, Al2O3, ZnS, ZnSe, ITO (In2O3-SnO2) , or mixtures or compounds of these metals is used.

[0101] As the low refractive index layer 21, in addition to an oxide and an oxynitride of silicon, for example, Al2O3, BiF3, CaF2, LaF3, MgF2, NdF3, NaF, or mixtures or compounds of these material is used. The low refractive index layer 21 may, for example, be composed of SiO2, or SiO2 mixed with 1 to 10 wt%Al2O3, etc.

[0102] Each layer of the dielectric layer 20B including the low refractive index layer 21 and the high refractive index layer 22 is formed by the same method as the dielectric layer forming step in the production method for an antireflection film according to the above embodiment.

[0103] Fig. 5 shows a cross-sectional view of an antireflection film for another variant. The antireflection film 100C shown in Fig. 5 is provided with a dielectric layer 20A, a tuning layer 30, and an anti-reflective structure layer 40 on both sides of the base material 10. As such, the antireflection film according to the above embodiment may be provided with anti-reflective structure layers 40 on the top of the multiple surfaces of the base material 10.

[0104] The upper limit and / or the lower limit of the numerical range described in the present specification can be arbitrarily combined to define a preferable range. For example, the upper limit and the lower limit of a numerical range can be arbitrarily combined to define a preferable range, the upper limits of the numerical range can be arbitrarily combined to define a preferable range, and the lower limits of the numerical range can be arbitrarily combined to define a preferable range.

[0105] It is to be understood that throughout the present disclosure, the singular forms of expression also include the concept of the plural forms thereof, unless otherwise stated. Thus, it is to be understood that singular articles (for example, “a” , “an” , “the” , and the like are used in English) also include the concept of the plural forms thereof, unless otherwise stated.

[0106] [Examples]

[0107] Hereinafter, embodiments of the present invention will be described. The present invention is not limited only to the following Examples.

[0108] [Example 1]

[0109] First, EP-8000 (manufactured by Mitsubishi Gas Chemical Company) was prepared as a substrate.

[0110] Next, as a dielectric layer forming step, a dielectric layer was deposited on one surface of the substrate by a physical vapor deposition method using an ion assisted deposition (IAD) method using a vacuum vapor deposition apparatus (Optorun Co., Ltd. OTFC-900) . The pressure in the vacuum container at the time of film formation, the ultimate vacuum, was set to 2.0×10-3 Pa. An ion beam was emitted at a voltage of 900 V and a current of 450 mA. O2 gas: 25 sccm and Ar gas: 5 sccm for the ion source and Ar gas: 8 sccm for the neutralizer were introduced into the ion beam apparatus. At this time, gas control was performed by introducing O2 gas from an auto pressure controller (hereinafter, it is abbreviated as "APC pressure” ) so that the chamber pressure  became 0.03 Pa. Under such conditions, SiO2 having a thickness of 45 nm was deposited on the substrate at a film forming rate of  as a dielectric layer.

[0111] Next, as an adjustment layer forming step, ZrO2 having a thickness of 6 nm was formed into a film at a film forming rate of without ion assistance, by a physical vapor deposition method using zirconium oxide as an evaporation material using the same apparatus as that in the dielectric layer forming step. At this time, gas control was performed so that the APC pressure (O2) was 0.03 Pa.

[0112] Next, an anti-reflective structure layer containing a hydrate of alumina as a main component was formed in contact with the adjustment layer. The anti-reflective structure layer was formed by first forming a thin film of aluminum oxide having a thickness of 60 nm by a physical vapor deposition method using an ion assisted deposition method using the same apparatus as that in the dielectric layer forming step, and then subjecting the thin film to a hydrothermal treatment.

[0113] In the formation of the thin film, an ion beam was emitted at a voltage of 300 V and a current of 200 mA. O2 gas: 40 sccm and Ar gas: 15 sccm for the ion source and Ar gas 8 sccm for the neutralizer were introduced into the ion beam apparatus. At this time, gas control was performed so that the APC pressure (O2) was 0.03 Pa. The film forming rate was set to 5  The hydrothermal treatment of the thin film was performed by immersing the laminate in which the thin film was formed as the outermost layer in pure water at 75℃ for 15 minutes. An antireflection film of Example 1 was prepared by such a method.

[0114] (Evaluation of Reflectance before and after Constant-Temperature and Constant-Humidity Test)

[0115] The surface reflectance of the antireflection film prepared by the above method at a wavelength of 400 nm to 900 nm before a constant-temperature and constant-humidity test was measured using a surface reflectance measuring apparatus (Lambda Vision Inc. Lvmicro-RUR) .

[0116] Next, a durability test was performed for 120 hours under an environment of 85℃ and 85%RH using a high-temperature and high-humidity tester (Espec corp, SH-262) . Furthermore, the surface reflectance in the same wavelength region was measured again by the same method as that before the test. In addition, the average value of the reflectance (average reflectance) in the wavelength region of 420 nm or more and 680 nm or less was calculated.

[0117] [Example 2]

[0118] An antireflection film was prepared by the same method as in Example 1 except that the material and thickness of the adjustment layer were adjusted. In Example 2, cerium oxide was used as an evaporation material, and the film formation rate was 1

[0119] [Example 3 and Example 4]

[0120] Antireflection films were prepared by the same method as in Example 1 except that the film formation time in the adjustment step was extended and the thickness of the adjustment layer was changed.

[0121] [Example 5]

[0122] An antireflection film was prepared by the same method as in Example 4 except that an adjustment layer was formed using an ion assisted deposition method in the adjustment step. An ion beam was emitted at a voltage of 300 V and a current of 200 mA.O2 gas: 40 sccm and Ar gas: 15 sccm for the ion source and Ar gas: 8 sccm for the neutralizer were introduced into the ion beam apparatus.

[0123] [Example 6]

[0124] An antireflection film was prepared in the same manner as in Example 1 except that TiO2 with a thickness of 7 nm, SiO2 with a thickness of 45 nm, TiO2 with a thickness of 15 nm, and SiO2 with a thickness of 60 nm were formed as dielectric layers in this order from the substrate side by an ion assisted deposition method, and that ZrO2 with a thickness of 25 nm was formed by extending the film formation time in the adjustment layer forming step.

[0125] [Comparative Example 1]

[0126] An antireflection film was prepared in the same manner as in Example 1 except that SiO2 having a thickness of 39 nm, TiO2 having a thickness of 5 nm, and SiO2 having a thickness of 8 nm were formed as dielectric layers in this order from the substrate side by an ion assisted deposition method, and an anti-reflective structure layer was formed directly on a layer composed of SiO2 without forming an adjustment layer. The anti-reflective structure layer was formed by forming a thin film in contact with the layer composed of SiO2 and performing hydrothermal treatment by the same procedures as in Example 1.

[0127] Examples 2 to 6 were also evaluated in the same manner as in Example 1. For Comparative Example 1, the reflectance  after the constant-temperature and constant-humidity test performed for 24 hours, 72 hours, and 168 hours was measured in addition to the reflectance before the constant-temperature and constant-humidity test.

[0128] Table 1 summarizes the layer configurations of the antireflection films of Examples 1 to 6 and Comparative Example 1, the average values of reflectance in the visible light region (420 nm to 680 nm) before and after the constant-temperature and constant-humidity test, and the differences (reflectance variations) between the average values of reflectance in the visible light region before and after the constant-temperature and constant-humidity test. In Table 1, as the layer configurations, the film forming condition and the thickness of each layer are indicated, and details of the film forming conditions in Table 1 are summarized in Table 2. FIGS. 6 to 12 are graphs showing the wavelength dependency of the reflectance of each of the antireflection films of Examples 1 to 6 and Comparative Example 1 before and after the constant-temperature and constant-humidity test. In Table 1, based on the results of the constant-temperature and constant-humidity test for 72 hours and the results of the constant-temperature and constant-humidity test for 168 hours in Comparative Example 1, the reflectance variation in Comparative Example 1 was estimated to be equal to or more than the difference (0.25) after the constant-temperature and constant-humidity test for 72 hours, and thus is indicated as 0.25 or more. Since the anti-reflective structure layer contains a hydrate of alumina as the main component, Al2O3 is indicated in the row of the anti-reflective structure layer in Table 1. In Table 2, Gas 1 O2 and Gas 2 Ar refer to gas introduction to the ion source and Gas 3 Ar refers to gas introduction to the neutralizer.

[0129] [Table 1]

[0130] [Table 2]

[0131] As shown in Table 1, before the constant-temperature and constant-humidity test, the average value of the reflectance in the visible light region in Examples 1 to 6 was equal to or less than the average value of the reflectance in Comparative Example 1.The reflectance variation before and after the constant-temperature and constant-humidity test was much lower in Examples 1 to 6 than in Comparative Example 1. From this, it can be said that a highly reliable antireflection film whose characteristics do not change even when used in a high-temperature and high-humidity environment is provided according to the present invention in which the anti-reflective structure layer is formed via the adjustment layer of the present invention which contains an oxide of cerium or an oxide of zirconium as a main component, as compared with the prior art in which the anti-reflective structure layer is directly formed on the layer composed of SiO2. In addition, in consideration of FIGS. 6 to 12, in Examples 1 to 6, the reflectance hardly changes even when exposed to a high-temperature and high-humidity environment at any wavelength, and it can be said that the reliability is high particularly in the visible light region. On the other hand, the antireflection film of Comparative Example 1 had a large change in reflectance particularly in the visible light region when exposed to a high-temperature and high-humidity environment.

[0132] [Comparative Example 2]

[0133] Assuming an antireflection film having a layer configuration shown in Table 3, the wavelength dependency of spectral reflectance was analyzed by simulation. The simulation was performed by optical thin film design software TFV.

[0134] In Comparative Example 1, it is presumed that the cause of the optical characteristics change in a high-temperature and high-humidity environment is that water vapor permeates into the anti-reflective structure layer and chemically reacts with the component of the anti-reflective structure layer at the interface between the anti-reflective structure layer and the layer composed of SiO2, so that the anti-reflective structure layer is further deformed, and voids are generated at the interface between the anti-reflective structure layer and the layer composed of SiO2. Therefore, in Comparative Example 2, the wavelength dependency of the reflectance was examined assuming a case where the adjustment layer was not provided, and voids were generated at the interface between the anti-reflective structure layer and the layer composed of SiO2. PTN1 to PTN4 are simulation results assuming a case where the degrees of porosity are different (PTN1 is void free) . In Table 3, voids generated at the interface are referred to as a void layer.

[0135] [Table 3]

[0136] FIG. 13 is a graph showing wavelength dependency of reflectance analyzed by simulation of the antireflection film of Comparative Example 2. As shown in FIG. 13, in PTN2 to PTN4 in which it is assumed that the air gap is generated at the interface between the layer composed of SiO2 and the anti-reflective structure layer, the tendency of the change in reflectance with respect to the wavelength was similar to that in Comparative Example 1. Specifically, the reflectance was high in the visible light region, and there was a peak of the reflectance in the range of 500 to 600 nm. Therefore, when the anti-reflective structure layer is directly formed on the layer composed of SiO2 as in Comparative Example 1, it is considered that there is a high possibility that air gaps  are generated at the interface as in Comparative Example 2. It is considered that the reason for this is that the material constituting the dielectric layer such as SiO2 plays a role of a so-called breakwater to prevent entry into the substrate side, and thus the amount of moisture at the interface is expected to be large, thereby increasing the amount of air gaps generated. On the other hand, as for the antireflection films that includes the adjustment layer containing an oxide of cerium or an oxide of zirconium as the main component as in Examples 1 to 6, it is possible to provide a highly reliable antireflection films in which the moisture permeability of the adjustment layer is high, the moisture amount at the interface with the anti-reflective structure layer is low, the chemical reaction of the material constituting the anti-reflective structure layer is suppressed, the occurrence of air gaps is suppressed, and the change in optical characteristics before and after the constant-temperature and constant-humidity test is suppressed.

[0137] [Examples 7-1 to 7-8]

[0138] The reflectance of the antireflection films having the layer configurations shown in Table 4 was analyzed by simulation. That is, in Examples 7-1 to 7-8, the average reflectance of the antireflection film in a case where the refractive index n of the substrate was changed by changing the material of the substrate was simulated. SP-7600, EP-9000, EP-8000, EP-6000, EP-4500 and EP-3500 of Examples 7-1 to 7-6 are substrates composed of a special polycarbonate resin, APL5014CL of Example 7-7 is a substrate composed of a cyclic olefin copolymer, and E-FDS3 of Example 7-8 is a substrate composed of glass. Here, the refractive index n shown in the following table is a refractive index of light having a wavelength of 500 nm. The simulation was performed using the same software as in Comparative Example 2. Table 4 shows the average value of the reflectance in the visible light region (420 nm to 680 nm) in each Example.

[0139] [Table 4]

[0140] FIG. 14 is a graph showing wavelength dependency of reflectance of the antireflection films of Examples 7-1 to 7-8. As shown in Table 4 and FIG. 14, it has been confirmed that even in a case where the refractive index n of the substrate is 1.55 or more and 1.71 or less, excellent antireflection performance in which the average reflectance in the visible light region is 0.1%or less can be obtained even in an antireflection film having a small number of layers in which SiO2, which is widely used as a low refractive index layer, is one of the layers, a layer having a refractive index n of about 1.80 such as an oxide of cerium or an oxide of zirconium is deposited on SiO2, and an anti-reflective structure layer is formed thereon.

[0141] [Examples 8-1 and 8-2]

[0142] The reflectance of the antireflection films having the layer configurations shown in Table 5 was analyzed by simulation. That is, in Examples 8-1 and 8-2, as in Examples 7-1 to 7-8, the average reflectance of the antireflection film in a case where the refractive index n of the substrate was changed by changing the material of the substrate was simulated. Table 5 shows the average value of the reflectance in the visible light region (420 nm to 680 nm) in each Example. The simulation was performed using the same software as in Comparative Example 2.

[0143] [Table 5]

[0144] FIG. 15 is a graph showing wavelength dependency of reflectance of the antireflection films of Examples 8-1 and 8-2. Examples 8-1 and 8-2 correspond to antireflection films in which TiO2 and SiO2 are alternately laminated from the substrate side to form a dielectric layer in order to further reduce reflectance, a layer having a refractive index n of about 1.80 such as an oxide of cerium or an oxide of zirconium is deposited on SiO2, and an anti-reflective structure layer is formed thereon. From Table 5 and FIG. 15, it was confirmed that in the antireflection film having such a layer configuration, even when a material having a refractive index n of 1.55 or 2.14 is used as a substrate, very excellent antireflective performance in which the average reflectance in the visible light region is 0.05%or less can be obtained.

[0145] [Examples 9-1 to 9-6]

[0146] The reflectance of the antireflection films having the layer configurations shown in Table 6 was analyzed by simulation. That is, in Examples 9-1 to 9-6, the average reflectance of the antireflection film in a case where the thickness of the dielectric layer and the thickness and the refractive index of the adjustment layer were changed was simulated. As the substrate. It is assumed that EP-8000 is used. Table 6 shows the average value of the reflectance in the visible light region (420 nm to 680 nm) in each Example. The simulation was performed using the same software as in Comparative Example 2.

[0147] [Table 6]

[0148] FIG. 16 is a graph showing wavelength dependency of reflectance of the antireflection films of Examples 9-1 to 9-6. The configurations of the oxide of zirconium and the oxide of cerium are adjusted by production conditions such as the oxygen introduction amount, the deposition rate, the heating temperature of the chamber, the presence or absence of ion assist, and the difference in the film forming apparatuses, although the difference is slight compared to the above-described configuration, and the contamination state of the chamber at the time of film formation. Accordingly, the refractive index of the adjustment layer can be adjusted within a range of about 1.7 to 2.2. Examples 9-1 to 9-6 are examples assuming a case where the refractive index of the adjustment layer becomes 1.70 to 2.20 by such adjustment of the production conditions. From FIG. 16 and Table 6, it was confirmed that the average reflectance in the visible light region is 0.02 to 0.03%, and a favorable reflectance is obtained even when the refractive index of the adjustment layer is any of the above refractive indexes. Therefore, the refractive index of the adjustment layer which is in direct contact with the anti-reflective structure layer is adjusted according to the production environment, and even when the refractive index is adjusted to any refractive index within the above range, excellent optical characteristics are exhibited, and the effect of the present invention is not particularly limited.

[0149] [Examples 10-1 to 10-7]

[0150] The reflectance of the antireflection films having the layer configurations shown in Table 7 was analyzed by simulation. That is, in Examples 10-1 to 10-7, the average reflectance of the antireflection film in a case where the dielectric layer includes a plurality of layers, the thickness thereof is changed, and the optical thickness is changed by changing the film thickness of the adjustment layer was simulated. In Examples 10-1 to 10-7, it is assumed that the dielectric layer has a structure in which TiO2 and SiO2 are alternately laminated from the substrate side. The simulation was performed using the same software as in Comparative  Example 2.

[0151] The row of “QWOT” in Table 7 also represents 4 × n × d / λ when the refractive index of the adjustment layer is n, the wavelength is λ, and the film thickness is d. In a row of “QWOT” in Table 7, values at a wavelength λ of 500 nm are shown. For example, in Example 10-1, since the refractive index at a wavelength λ of 500 nm is 1.8, and the film thickness is 97.15 nm, the row of “QWOT” shows a value 1.4 obtained from 4 × 1.8 × 97.15 / 500. In addition, Table 7 shows the average value of the reflectance in the visible light region (420 nm to 680 nm) in each Example.

[0152] [Table 7]

[0153] FIG. 17 is a graph showing optical thickness dependency of the adjustment layer of the average reflectance of each antireflection film of Examples 10-1 to 10-7. From FIG. 17 and Table 7, it is understood that the smaller the optical thickness of the adjustment layer is, the lower the average reflectance in the visible light region is, the average reflectance in the visible light region at 1.4 QWOT or less is 0.20%or less, and the average reflectance in the visible light region at 0.8 QWOT or less is 0.15%or less. As described above, it is considered that the smaller the optical thickness of the adjustment layer is, the higher the average reflectance in the visible light region is, and the optical thickness of the adjustment layer is preferably 0.01 to 1.2 QWOT or 0.01 to 0.08 QWOT.

[0154] [Reference Signs List]

[0155] 10 Substrate

[0156] 20A, 20B, 20Z Dielectric layer

[0157] 21 Low refractive index layer

[0158] 30-Adjustment layer

[0159] 40, 40Z Anti-reflective structure layer

[0160] 45 Thin film

[0161] 90 Modified layer

[0162] 100A, 100B, 100Z1, 100Z2 Antireflection film

Claims

1.An antireflection film comprising:a dielectric layer deposited on a substrate; an adjustment layer provided on the dielectric layer; and an anti-reflective structure layer provided on the adjustment layer and having a plurality of protrusions,wherein the anti-reflective structure layer contains aluminum oxide and a hydrate thereof as main components,the adjustment layer contains an oxide of cerium or an oxide of zirconium as a main component, and the anti-reflective structure layer is provided in contact with the adjustment layer.2.The antireflection film according to claim 1, wherein the adjustment layer contains CeO2 or ZrO2 as a main component.3.The antireflection film according to claim 1, wherein the adjustment layer is composed of CeO2 or ZrO2.4.The antireflection film according to claim 1, wherein the average reflectance at a wavelength of 420 to 680 nm after a constant-temperature and constant-humidity test performed at 85℃ and 85%RH for 120 hours is 0.30%or less.5.The antireflection film according to claim 1, wherein the difference in average reflectance at a wavelength of 420 to 680 nm before and after a constant-temperature and constant-humidity test performed at 85℃ and 85%RH for 120 hours is less than 0.25%.6.The antireflection film according to claim 1, wherein the adjustment layer is 0.01 to 1.2 QWOT.7.The antireflection film according to claim 1, wherein, in the dielectric layer, a low refractive index layer comprising silicon oxide as a main component and a high refractive index layer having a refractive index higher than that of the low refractive index layer are alternately deposited, andthe adjustment layer is sandwiched between the low refractive index layer and the anti-reflective structure layer.8.The antireflection film according to claim 1, wherein the refractive index of the substrate is 1.55 or more and 2.15 or less.9.A production method for an antireflection film, which produces the antireflection film according to any one of claims 1 to 8.10.The production method for an antireflection film according to claim 9, the production method comprising:an adjustment layer forming step of forming an adjustment layer containing an oxide of cerium or an oxide of zirconium as a main component on a substrate; andan anti-reflective structure layer forming step of forming an anti-reflective structure layer containing aluminum oxide and a hydrate thereof as main components in contact with the adjustment layer.

Images