NiMo SPUTTERING TARGET

Abstract

The invention relates to a sputtering target, produced by powder metallurgy, comprising 10 to 20 wt.% molybdenum, balance Ni and inevitable impurities and characterized in that the sputtering target has a saturation magnetization (Ms) equal to or less than 10000 A / m. The invention further relates to a process for producing a NiMo sputtering target via the powder-metallurgical route.

Description

NiMo SPUTTERING TARGETTECHNICAL FIELD

[0001] The present invention relates to a Ni (nickel) Mo (molybdenum) sputtering target (hereinafter referred to as NiMo) , which comprises 10 to 20 wt. %Mo, balance Ni and inevitable impurities produced by powder metallurgy. The present invention further relates to a process for producing a NiMo sputtering target via the powder-metallurgical route.BACKGROUND

[0002] Sputtering, also known as cathode atomization, is a physical process in which atoms are detached from a sputtering target by bombardment with high-energy ions and go over into the gas phase.

[0003] Sputtering targets which are composed of Ni and Mo are already known from the prior art. One problem of the prior art is that if Ni powder is used, especially in a high amount, as a starting material for producing the sputtering targets a pure Ni phase or Ni fraction is present in the target material. However, pure Ni displays ferromagnetic properties which are disadvantageous for magnetron sputtering because these properties can result in a decrease of the sputtering yield. The reason is that the magnetic properties of nickel can influence the distribution and movement of sputtered atoms leading to a less efficient deposition process resulting in different and unstable coating rates. Thus, the homogeneity of a possible deposited layer to be formed from the sputtering target will be affected by these coating rates. In contrast to the previously mentioned “simple” cathode atomization, magnetron sputtering involves the generation of an additional magnetic field. The combination of an electric field and a magnetic field extends the trajectory of the charge carriers, thereby increasing the number of collisions per electron. In addition, the prior art documents describe NiMo targets having a pure Mo phase or Mo fraction. Also, pure Mo phases increase the risk of an inhomogeneous structure of a target that can lead to non-homogeneous coating rates.

[0004] For example, CN112063981 A discloses an extruded tube target comprising 51-90 parts by weight Ni-powder and 10-49 parts by weight Mo-powder. However, the microstructure of this target shows five fractions / phases: Ni, Mo, MoNi, MoNi3 and MoNi4. Accordingly, a pure Ni-phase and a pure Mo-phase are present in the target material.

[0005] US 2013 / 020617 A1 teaches a target comprising 90-99 vol. %Ni and 1-10 vol. %of a secondary metal selected from Zn, Mo, Ru or combinations thereof. However, the document is silent regarding the production process of this target. Furthermore, the document is silent regarding the microstructure of this target.

[0006] CN112063982 A relates to a NiMo alloy having 51-90 parts by mass Ni and 10-49 parts by mass of Mo which is melt-casted. However, the microstructure of a melt casted target differs from the microstructure of a powder-metallurgical produced product. Moreover, also the target prepared by this invention has five phases of Ni, Mo, MoNi, MoNi3 and MoNi4.

[0007] JP2010133001 A discloses a method for producing a Ni alloy target material containing 10-30 mass%of one or more selected from (Cr, Mo, W) with the balance being Ni and unavoidable impurities. Also, this method comprises melting and casting a Ni alloy.

[0008] If a melting and casting process is applied for NiMo materials with a high Ni-content, it is hard to control the phase uniformity. Bad phase uniformity could lead to high magnetism which affects the sputtering process. In addition, if sputtering targets are produced by melt metallurgy this leads to a coarse microstructure of the target directly after casting. This coarse microstructure can lead to relief formation in the sputtering process through inhomogeneous erosion or cracking due to brittleness nature of coarse grain microstructure. Therefore, JP2010133001 A requires additional production steps after casting to achieve a uniform recrystallized structure. In contrast thereto, the microstructure of the sputtering target of the present invention is fine-grained immediately after sintering with typical grain sizes lower than 200 μm.

[0009] In addition, JP2010132974A relates to a NiMo alloy for a sputtering target plate having 20 mass%or more Ni and 10 mass%or more Mo and may further comprise at least one element selected from the groups IVa, Va, VIIa, VIII, Ib, IIb, IIIb and IVb in an average concentration of 0.2 to 15 mass%. The plate can be produced by a melting process or by pressure sintering.

[0010] The sputtering targets mentioned in the prior art fail to satisfy the growing demand for uniform layer deposition, consistent sputtering performance, and the prevention of undesired local partial melting. Such local partial melting can occur due to arcing during sputtering, which involve the formation of electric arcs.SUMMARY OF INVENTION

[0011] The objective of the present invention is to provide a NiMo sputtering target which can produce a very homogenous layer during the sputtering process both in respect of layer thickness distribution and chemical composition. The microstructure of the claimed NiMo target is free from pure (or elementary) Ni phases or pure (or elementary) Mo phases. Moreover, the sputtering target of the present invention shows a uniform sputtering behavior. In this context, uniform sputtering behavior refers to the ability to ablate the material within the microstructure of the sputtering target at the same rate, so no relief structure is created in the area of the sputtered surface during the sputtering process.

[0012] It is further an object of the present invention to provide a production route for manufacturing of a NiMo sputtering target which has the abovementioned properties in a simple and reproducible manner and is also not that expensive.

[0013] The objective is solved by the independent claims. Advantageous embodiments are indicated in the dependent claims.

[0014] The sputtering target of the present disclosure contains from 10%to 20%by weight of Molybdenum (Mo) , a balance of nickel (Ni) and inevitable impurities. The target material is characterized by a saturation magnetization (Ms) of equal to or less than 10000 A / m.

[0015] The saturation magnetization of elementary Ni (Ni 100 wt. %) is approximately 485000 A / m, such that the saturation magnetisation of the inventive target material is extremely low although having a high Ni-content.

[0016] Saturation magnetization is a term from the field of electromagnetism and materials science and describes the state of a magnetic material in which a further increase in the magnetizing field strength no longer causes an increase in magnetization. This means that all magnetic moments of the atoms or molecules in the material are aligned and therefore no further increase in magnetization is possible. In other words, it is the point at which a magnetic material cannot be magnetized any further, regardless of how strong the external magnetic field becomes.

[0017] The saturation magnetization, represented by the symbol Ms, can be characterized by the following formula

[0018] Ms = Js / μ0

[0019] wherein Js is the saturation polarisation of a sample measured in Tesla (T or N /  (A·m) ) , and μ0 is the magnetic field constant, which is 4π ·10-7 N / A2.

[0020] The unit of Ms is ampere per metre (A / m) .

[0021] In the present application a Foerster Koerzimat MS is used to measure a weight-specific saturation polarization (in Tm3 / kg) . This apparatus measures according to the IEC 60404-14 standard. Knowing the specific density of a sample the saturation polarisation of a probe can be calculated by

[0022] Js = js ·ρ

[0023] wherein js is the weight-specific saturation polarisation, and

[0024] ρ (rho) is the density of the sample.

[0025] The saturation magnetization is characteristic for the different ferromagnetic material, for example Fe, Ni or Co, i.e., different ferromagnetic materials have different saturation levels. Elementary nickel (Ni 100 wt. %) , as already outlined above, shows a saturation magnetization of approximately 485000 A / m. As previously mentioned, pure Ni displays ferromagnetic properties which are disadvantageous for magnetron sputtering. Accordingly, a target having such a high saturation magnetization will result in unstable coating rates and low deposition rates which results in inhomogeneous coating quantities.

[0026] Surprisingly, the inventors have found that a sputtering target having still a high Ni-content between 80 and 90 wt. %Ni and an amount between 10 and 20 wt. %Mo will result in a low saturation magnetization leading to an improved sputtering behaviour. If the amount of Mo is less than 10 wt. %the saturation magnetization of the sputtering target suddenly rises rapidly (due to the occurrence of ferromagnetic Ni phases) and if the Mo-content is higher than 20 wt. %, the amount of Ni in the deposited layer to be formed from the sputtering target is too low.

[0027] In a preferred embodiment the sputtering target according to the invention comprises 10-15 wt. %Mo and 85-90 wt. %Ni, preferably 10 to 13 wt. %Mo and 87 to 90 wt. %Ni, and a maximum proportion of inevitable impurities of ≤ 500 μg / g, preferably less than 400 μg / g, more preferably less than 300 μg / g impurities. It is evident to the skilled person that the sum of Mo +Ni + impurities amount to 100 wt. %. At the above-mentioned Mo-content of 10 to 20 wt. %the occurrence of a single-phased microstructure consisting of NiMo is greatly favoured.

[0028] The term “inevitable impurities” refers to production-related contamination with gases or accompanying elements which originate from the raw materials used. The proportion of such impurities in a sputtering target according to the present invention is preferably in the range below 100 μg / g (corresponding to ppm) for gases (C, H, N, O, S) and below 500 μg / g for other elements (e.g. Al, As, B, Ba, Be, Bi, Ca, Cd, Ce, Co, Cr, Cu, Fe, Hf, Hg, K, La, Li, Mg, Mn, Na, P, Pb, Re, Si, Sn, Ta, Th, W) . Suitable methods of chemical elementary analysis are known to be dependent on the chemical element to be analysed. Chemical analysis of a sputtering target according to the invention was carried out by hot gas extraction analysis for the elements O, N and H (see ASTM E1409-13 for elements O or N) or by combustion analysis for the element C (see ATSM E1941-10) or by using ICP-MS (inductively coupled plasma mass spectrometry) or ICP-OES (optical emission spectroscopy with inductively coupled plasma) . The chemical analysis of the main components Ni and Mo in the sputtering target was carried out using X-ray fluorescence analysis (XRF) .

[0029] In the sputtering target according to the invention it is important to keep the O-content below 100 μg / g. A high O-content will impact the sputtering process and the quality of the film to be formed by the sputtering target. Preferably the O-content is below 50 μg / g, more preferably below 40 μg / g, most preferably below 20 μg / g. Maintaining such a low oxygen content effectively prevents the occurrence of undesirable arc process during sputtering.

[0030] In addition, the tungsten (W) -content should be below 400 μg / g, preferably less than 300 μg / g, more preferably less than 200 μg / g.

[0031] In a preferred embodiment of the present invention, the Fe-content is below 75 μg / g, preferably below 50 μg / g, more preferably below 40 μg / g, most preferably below 20 μg / g. Iron is also ferromagnetic and can cause interference during the sputtering process. A high Fe-content will decrease the quality of the films to be deposited.

[0032] The sputtering target of the present invention shows a single-phased microstructure. For the purposes of this invention “microstructure” refers to the microstructure of the sputtering target which can be easily analysed by a person skilled in the art by using metallographic polished sections and examining these sections under an optical microscope or scanning electron microscope. The microstructure of the sputtering target of the present invention shows neither a pure Ni phase nor a pure Mo-phase. Only a one-phase microstructure or single-phase microstructure occur, wherein the one-phase structure is a NiMo-phase. The crystal structure of the NiMo phase deviates from the crystal structure of the pure components and is characterized by a composition having inexact (meaning not directly corresponding to the valencies of the pure component) valency. However, since the sputtering target is produced by powder metallurgy a further additional phase, i.e., pores may also be present therein. However, the amount of such further phase is kept as low as possible in the present invention because this phase can have a negative effect on the sputtering behaviour, in particular regarding the homogeneity of the sputtering target.

[0033] The fact that only one phase occurred can be easily confirmed or ruled out by means of X-ray diffraction (XRD) (taking into account the respective X-ray detection limits) using JCPDS (Joint Committee on Powder Diffraction Standard) cards. The XRD shows a component system which is different from the pure components used as starting elements.

[0034] The sputtering target according to the invention preferably has a relative density of more than 93%. A relative density of more than 95%, preferably more than 97%, is particularly advantageous. The higher the density of the target, the more advantageous are its properties. Targets having a low relative density have a relatively high proportion of pores which can be a virtual leak and / or a source of impurities and particles during the sputtering process. In addition, targets having a low density tend to absorb water or other impurities, which can lead to difficult-to-control process parameters. In addition, the ablation rate of material which is densified to only a low extent is lower during the sputtering process than that of material having a higher relative density. Moreover, the deposited layer to be formed is negatively affected by a low density of the sputtering target.

[0035] The relative density can, as it is known, easily be determined by means of buoyancy methods using the Archimedes principle.

[0036] According to a further embodiment of the present invention, the sputtering target features an average grain size below 200 μm, preferably between 50 and 190 μm or between 50 and 150 μm.

[0037] Having an average grain size of the NiMo phase under 200 μm, and preferably under 150 μm, ensures particularly uniform sputtering behaviour, resulting in the deposition of highly homogeneous layers with consistent thickness.

[0038] The average grain size of the NiMo phase can be easily determined using the line intercept method, as described in ASTM E112-12, on a metallographically polished section.

[0039] For the purposes of the present invention, a powder-metallurgical sintered NiMo sputtering target is a component whose production comprises the steps of pressing corresponding starting powders to give a press body and sintering the press body. In addition, the production process can have further steps, e.g. mixing and homogenization (e.g. in a ploughshare mixer) of the powders to be pressed, etc. The powder-metallurgical sintered NiMo target thus has a microstructure typical of powder-metallurgical production, which can readily be recognized by a person skilled in the art. This microstructure is distinguished by its fine-grain nature (typical grain sizes are, in particular, in the range 80-150 μm) . Furthermore, the pores are uniformly distributed through the sintered part over the entire cross section. In the case of "good" or "complete" sintering (the density is then ≥ 93%of the theoretical density of Nickel / Molybdenum and there is no open porosity) , these pores appear at the grain boundaries and also as rounded voids in the interior of the sintered grains formed. The examination of these characteristic features is carried out on an optical micrograph or electron micrograph of a polished section.

[0040] Compared to melt-metallurgically produced NiMo targets mentioned in the prior art, powder-metallurgically produced (hereinafter "powder-metallurgical" ) NiMo is characterized by the microstructure being more fine-grained and more homogeneous because of the comparatively low sintering temperature (sintering temperature ≈ 0.8·melting point) . No demixing in the liquid phase occurs and the powder-metallurgical production route allows the production of a wider variety of preforms (from a geometric point of view) .

[0041] A process according to the invention for producing a NiMo sputtering target via the powder-metallurgical route is characterized in that it comprises at least the following steps:

[0042] - mixing a Ni powder and a Mo powder to give a powder mixture;

[0043] - compacting the powder mixture by application of pressure, heat or pressure and heat to give a blank.

[0044] The production of a powder mixture which can be used for a process according to the invention is preferably achieved by mixing the appropriate amounts of Ni powder and Mo powder. These powders are filled into a suitable mixing apparatus and mixed until homogeneous distribution of the components in the powder mixture is ensured. For the purposes of the present invention, the expression powder mixture may include pre-alloyed or partially alloyed powders containing the components Ni and Mo.

[0045] In a preferred embodiment mixing of the powders is carried out in an inert atmosphere, for example by using the inert gases argon or nitrogen.

[0046] The powder mixture produced in such a way is preferably introduced into a mould in order to implement the compacting step. Suitable moulds here are the die or flexible tube of a cold isostatic press, the die of a hot press or a spark plasma sintering plant, or else the capsule in the case of hot isostatic pressing.

[0047] A compacting step as part of a process according to the invention for producing a NiMo sputtering target leads to an appropriate powder mixture being compacted and densified by application of pressure, heat or pressure and heat to form a blank. This can occur by means of various process steps, for example by pressing and sintering, cold isostatic pressing, hot isostatic pressing, hot pressing, or spark plasma sintering (SPS) or a combination of these methods or further methods of compacting powder mixtures.

[0048] It has been found to be particularly advantageous for the compacting step to be effected by sintering at temperatures of from 1150 to 1450℃ in a process according to the invention for producing a NiMo sputtering target. Preferably the sintering temperatures are within the range of 1250 to 1400℃.

[0049] Compaction at these temperatures optimally ensures that solid-phase sintering or liquid phase sintering to very high relative densities take place in the powder mixture present. At compaction at below 1150℃, the achievable density can be too low, while at temperatures above 1450℃ reductions in the mechanical stability of the target material can occur, since the melting point of Ni is 1455℃. In the case of compaction in the temperature ranges indicated, an optimal combination of high achieved density and optimal mechanical properties is ensured and a low oxygen content can be achieved.

[0050] Sintering is advantageously carried out under vacuum and / or a first gas. The first gas can be an inert atmosphere for example a noble gas like argon. Preferably sintering is carried out first under vacuum and then in an argon atmosphere.

[0051] In a preferred embodiment a second gas is used during sintering (in addition to vacuum and a first gas) and the second gas provides a reducing atmosphere, for example, hydrogen.

[0052] In another embodiment of the present invention the sintering process is carried out by using the second gas, then vacuum and / or the first gas, and then using again the second gas.

[0053] The blank obtained by a process according to the invention can be subsequently cooled with a cooling rate of between 3 to 10℃ per minute, preferably in a multi-stage cooling process.

[0054] In an embodiment the sintered blank can be subjected to a thermomechanical or thermal treatment step after cooling in order to possibly produce advantageous properties such as a further increase in the density and / or further homogenization of the microstructure. Suitable processes for carrying out a thermomechanical or thermal treatment are e.g. recrystallization heat treatment, rolling or forging.

[0055] A thermomechanical or thermal treatment step for the purposes of the present invention can be carried out as a single-stage or multistage process. A combination of a plurality of suitable processes is also possible. Thus, a thermomechanical or thermal treatment can contain one or more substeps.

[0056] In a preferred case, a sputtering target containing 10-20 wt. %Mo, remainder Ni, and a maximum proportion of inevitable impurities of ≤ 600 μg / g, preferably ≤ 500 μg / g, is produced by means of a process according to the invention for producing a NiMo sputtering target. In this case, use of the process of the invention ensures that the NiMo sputtering target has a a saturation magnetization (Ms) equal to or less than 10000 A / m.

[0057] A process according to the invention for producing a NiMo sputtering target makes it possible to ensure relative densities of more than 93%in a NiMo sputtering target produced by this process. In particularly preferred embodiments of the invention, relative densities of more than 95%can be achieved.

[0058] The purity and the mechanical properties of the resulting target material are also optimized by a process according to the invention for producing a NiMo sputtering target.

[0059] Thus, a process according to the invention leads to very low contents of impurities in sputtering targets produced thereby, for example a preferred oxygen content of less than 100 μg / g, particularly preferably less than 50 μg / g, more preferably less than 40 μg / g, even more preferably less than 30 μg / g.

[0060] In addition, by using a process according to the invention the tungsten (W) -content is kept below 400 μg / g, preferably less than 300 μg / g, more preferably less than 200 mg / g and the Fe-content is kept below 75 μg / g, preferably below 50 μg / g, more preferably below 40 μg / g.

[0061] In a preferred case, a sputtering target containing from 10 to 20%by weight of Mo, remainder Ni and unavoidable impurities is produced by means of a process according to the invention for producing a NiMo sputtering target. In this case, an average grain size of the NiMo phase of less than 200 μm, more preferably less than 150 μm, is achieved.

[0062] The sputtering target according to the invention is preferably used for the deposition of metallic thin films and particularly preferably in the semiconductor industry, in the display industry, in the smart glass industry and in the solar industry (perovskite) .

[0063] BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWING (S)

[0064] The Figures show

[0065] Fig. 1: phase diagram of the system NiMo (source: ASM Handbook, Volume 3, Alloy Phase Diagrams Section: Binary Alloy Phase Diagrams, 2007) , wherein the composition range of NiMo according to the invention is marked;

[0066] Fig. 2: X-ray diffraction patterns of the NiMo sputtering targets according to inventive examples 1-4 (no Ni phase detectable) and pure Ni (showing Ni phase) ; the (111) Ni main peak is labelled as a reference;

[0067] Fig. 3 X-ray diffraction patterns of the NiMo sputtering targets according to inventive examples 1-4 (no Mo phase detectable) and pure Ni; the (110) Mo main peak is labelled as a reference;

[0068] Fig. 4: Microstructure of example 1 (NiMo10) according to the invention under an optical microscope at a magnification of 100x;

[0069] Fig. 5: Microstructure of example 1 (NiMo10) according to the invention under a scanning electron microscope (SEM) at a magnification of 200x;

[0070] Fig. 6: shows the saturation magnetization dependent on the Mo-content in examples 1-4 and comparative examples 1-3.DETAILED DESCRIPTION

[0071] The invention is illustrated below with the aid of production examples, comparative examples and figures.

[0072] Examples:

[0073] Preparation of Examples 1 to 4 (according to the invention) :

[0074] A Ni metal powder having a particle size determined by the Fisher method of 3.0-6.0 μm and a Mo metal powder having a particle size determined by the Fisher method of 4.0-5.0 μm were used as raw material. The powders were introduced in the ratios that are shown below in Table 1 (see Examples 1 to 4) in a blending machine and mixed for about 1-2 h with 12 rpm (revolutions per minute) rotation speed.

[0075] The powder mixture was introduced into a rubber and the rubber was closed at its open end by means of a rubber cap. The closed rubber was positioned in a cold isostatic press and pressed at a pressure of 180 MPa, 300 seconds holding time, to give a green block. Then sintering of the green block is started in hydrogen atmosphere up to a temperature of 970℃. Then the atmosphere is changed to vacuum, and the green block is sintered in vacuum between 1150℃and 1400℃ for about 7 hours. The sintering atmosphere is changed to argon and the block is cooled with a cooling speed of 2-5 ℃ / min to 980 ℃, the sintering atmosphere changes to vacuum and then again to hydrogen and the sintered block is cooled to room temperature with a cooling speed of 8-10℃ / min.

[0076] After sintering the blocks have a relative density of at least 95%and an oxygen content of max. 38 μg / g (see Table 1 below) .

[0077] Comparative Examples:

[0078] Preparation of comparative examples 1 to 3:

[0079] The comparative examples were prepared in the same way as explained above for the examples. The amount of Ni-powder and Mo powder in the comparative examples is shown below in Table 1.

[0080] The magnetic properties of the Examples and the Comparative Examples are measured by using a Foerster Koerzimat MS. According to the standard IEC 60404-14 the Koerzimat measures the weight-specific saturation polarisation js (in the unit Tm3 / kg) . Since the density (rho (ρ) in kg / m3) of each sample is known the saturation polarization of each sample can be calculated by using the formula Js = js ·ρ. The unit of J is Tesla (T) which can also be expressed in the unit N / Am. The saturation polarization in turn can be converted into the saturation magnetization Ms = Js / μ0 (wherein μ0 is the magnetic field constant which is 4 π ·10-7 N / A2) having the unit A / m. The grain sizes of the Examples and Comparative Examples are measured in approximation to ASTM E112-12 on a metallographic polished section. The densities are measured with buoyancy.

[0081] Table 1 shows the composition of the examples and comparative examples as well as the density, grain size and saturation magnetization:

[0082] The Table shows that the sputtering targets according to the present invention have a small grain size lower than 150 μm. Furthermore, Fig. 6 shows the drop of the saturation magnetization depending on the amount of Mo in the NiMo sputtering target.

[0083] Figures 2 and 3 shows the X-ray diffraction pattern of examples 1-4 and comparative example 1. For the evaluation of the diffraction pattern the JCPDS cards 00-004-0850 (Ni) and 00-042-1120 (Mo) . From Figure 2 it is evident that no pure Ni-phase (main peak 111 of Ni appearing at 2Theta = 44.5°) is present in the X-ray pattern. From Figure 3 it is evident that no pure Mo phase (main peak 110 of Mo appearing at 2Theta = 40.5°) is present in the X-ray pattern.

[0084] The microstructure of Example 1 is shown in Figure 4 in an optical microscope and in Figure 5 in SEM microscope. For both methods a specimen, for example a tube is cut to approx. 15 ·15 ·15 mm3 and then placed into an embedding mould and filed with plastic granules. In the press, pressure and temperature are used to melt the granules; after cooling the specimen is embedded in plastic. The surface to be examined is then polished with sandpaper from coarse to fine grit and finally with diamond suspension. Then the specimen is directly ready for examination under the optical microscope. However, to visualize the grain boundaries in optical microscopy it is necessary in to etch the surface. The pores (resulting from the manufacturing via powder metallurgical route) and / or the artefacts (resulting from the preparation) appear in black or as rounded voids. The different shades of grey all show the NiMo-phase but cropped in different angles.

[0085] Figure 6 shows the saturation magnetization of each example and comparative example in A / m dependent on the Mo-content of each sample. From this Figure it is evident that a Mo-content of less than 10 wt. %leads to a rapid increase in the saturation magnetisation.

[0086] Although the present invention has been illustrated and described by reference to the specific examples, it should be appreciated by those skilled in the art that various modifications can be made thereto without departing from the spirit and scope of the present disclosure.

Claims

1.A sputtering target, produced by powder metallurgy, comprising 10 to 20 wt. %molybdenum, balance Ni and inevitable impurities and characterized in that the sputtering target has a saturation magnetization (Ms) equal to or less than 10000 A / m.2.Sputtering target according to claim 1, characterized in that the sputtering target has a single-phased microstructure.3.Sputtering target according to anyone of the preceding claims characterized in that the relative density of the sputtering target is at least 93%.4.Sputtering target according to anyone of the preceding claims, characterized in that the sputtering target has an average grain size below 200 μm.5.Sputtering target according to anyone of the preceding claims, characterized in that the tungsten-content is below 400 μg / g.6.Sputtering target according to anyone of the preceding claims, characterized in that the oxygen-content is below 40 μg / g.7.Sputtering target according to anyone of the preceding claims, characterized in that the Fe-content is less than 75 μg / g.8.Process for producing a NiMo-sputtering target via the powder-metallurgical route comprising 10 to 20 wt. %molybdenum, balance Ni and inevitable impurities and having a saturation magnetization (Ms) equal to or less than 10000 A / m, characterized in that it comprises at least the following steps:- Mixing a Ni-powder and a Mo-powder to give a powder mixture;- Compacting the powder mixture by application of pressure, heat or pressure and heat to give a blank.9.Process according to claim 8, characterized in that the compacting step is effected by sintering at temperature between 1150 and 1450℃ in a sintering atmosphere.10.Process according to claim 8 or claim 9, characterized in that the sintering atmosphere is vacuum and / or a first gas.11.Process according to claim 10, characterized in that the sintering atmosphere is further combined with a second gas.12.Process according to anyone of claims 8 to 11, characterized in that a cooling step is carried out after the compacting step.13.Process according to anyone of claims 8 to 12, characterized in that the process further comprises a thermomechanical or thermal treatment after the compacting step.

Images