Solvent mixture

Abstract

The present disclosure provides for a solvent mixture that includes an ionic liquid of Formula I:where each of R1, R2, R3 and R4 are independently selected from hydrogen, -CH2-OH and a C1-C4 alkyl group; and a glycol ether solvent of Formula II:where the R5 is selected from the group consisting of hydrogen and a C1-C4 alkyl; R6 is selected from the group consisting of-CH2-or -CH2-CH2-; R7 is selected from the group consisting of hydrogen and a C1-C2 alkyl; and n is an integer from 1 to 4.

Description

SOLVENT MIXTURE

[0001] Field of Disclosure

[0002] The present disclosure relates generally to a solvent and more specifically to a solvent mixture for the replacement of N-methyl-2-pyrrolidone in electronic applications.Background

[0003] N-methyl-2-pyrrolidone (NMP) is one of the most widely used organic compound due to its desirable combination of attributes, which include good solvency, low cost and low viscosity. In the electronic industry it serves as a solvent for many applications, such as in stripping formulations for removing the cured photoresist used in high resolution patterns. It is also used in the process of photosensitive polyimide synthesis (PSPI) , where it serves as the solvent to dissolve monomers of PSPI to facilitate its polymerization.

[0004] However, in recent decades, NMP has been looked on less favorably due to human health concerns. For example, NMP is categorized by the Globally Harmonized System Classification System as “H360” , which provides that it “ [m] ay damage fertility or the unborn child” . Therefore, some regulations have restricted the application and / or the amount of NMP in the above described formulations. Therefore, there is a need in the art to find an alternative solvent that can provide a better environmental health and safety profile while still maintaining the performance of NMP.Summary

[0005] The present disclosure provides for a solvent and more specifically for a solvent mixture for the replacement of N-methyl-2-pyrrolidone (NMP) in electronic applications. In the past few decades, finding a replacement for NMP has been a topic of interest owing to the potential health concerns of NMP. Some NMP alternatives have been developed, but their performance has not been satisfactory to the electronics industry in terms of performance and cost. It has been challenging to develop an alternative solvent for NMP that would be useful in electronic applications due to the tough requirement of balancing toxicity of solvent and the solubility performance. The solvent mixture of the present disclosure, however, addresses these shortcomings discussed herein and above.

[0006] For the present disclosure, the solvent mixture of the present disclosure includes an ionic liquid of Formula I:

[0007] where each of R1, R2, R3 and R4 are independently selected from hydrogen, -CH2-OH and a C1-C4 alkyl group; and a glycol ether solvent of Formula II:

[0008] where the R5 is selected from the group consisting of hydrogen and a C1-C4 alkyl; R6 is selected from the group consisting of -CH2-or -CH2-CH2-; R7 is selected from the group consisting of hydrogen and a C1-C2 alkyl; and n is an integer from 1 to 4. For the present disclosure, the ionic liquid of Formula I is formed in a one-step acid-base neutralization reaction between an organic acid and an organic base. For the present disclosure, the organic acid is selected from the group consisting of glycolic acid, lactic acid, acetic acid, formic acid, citric acid, tartaric acid malic acid, oxalic acid, benzoic acid, salicylic acid, propionic acid and combinations thereof; and the organic base is selected from the group consisting of monoethanolamine (MEA) , monoispropanolamine (MIPA) , N-methylethanolamine (NMEA) , triethylamine (TEA) , diethanolamine (DEA) , methyldiethanolamine (MDEA) and combinations thereof. For the present disclosure, for the one-step acid-base neutralization reaction the organic acid and the organic base used in forming the ionic liquid of Formula I have a molar ratio from 1: 1 to 1: 4.

[0009] For the present disclosure, the glycol ether solvent of Formula II includes two or more of the glycol ether solvent of Formula II. In one embodiment, for a first glycol ether solvent of the two or more of the glycol ether solvent of Formula II R6 is -CH2-and R7 is hydrogen, and for a second glycol ether solvent of the two or more of the glycol ether solvent of Formula II R6 is -CH2-and R7 is C1 alkyl.

[0010] For the present disclosure, the ionic liquid of Formula I and the glycol ether solvent of Formula II of the solvent mixture have a mass ratio of 1: 1 to 1: 4. For the present disclosure, when n in Formula II is equal to 4, the mass ratio between the ionic liquid of Formula  I and glycol ether of Formula II is 1: 1. For the present disclosure, when n in Formula II is 1 to 3, the mass ratio between ionic liquid and glycol ether solvent is 2: 3 to 1: 4.

[0011] For the present disclosure, when n of the glycol ether solvent of Formula II is 2 and the ionic liquid of Formula I is formed with glycolic acid and MIPA in a 2: 3 molar ratio, the mass ratio between ionic liquid and glycol ether solvent of the solvent mixture is 1: 4. For the present disclosure, the solvent mixture does not contain a heteroatom, where the definition of a heteroatom includes a halogen atom. In other words, the solvent mixture does not contain a halogen atom, but only carbon, hydrogen, oxygen, and nitrogen exist in the solvent mixture.

[0012] The present disclosure further includes a method that includes proving a surface having a photoresist layer; and stripping at least a portion of the photoresist layer from the surface with the solvent mixture of the present disclosure. For the present disclosure, the photoresist layer is selected from those formed by a photosensitive polyimide layer, a phenolic resin layer, an acrylic layer or combination thereof. The present disclosure includes an additional method of proving the solvent mixture of the present disclosure; and dissolving monomers for forming a photoresist layer with the solvent mixture. For the present disclosure, the monomers for forming the photoresist layer are selected from those for forming a photosensitive polyimide layer.Brief Description of the Drawings

[0013] FIG. 1 Provides a demonstration of qualified and unqualified photoresist stripping performance according to the present disclosure.

[0014] FIG. 2 Provides an illustration of the PSPI monomer dissolving evaluation, the results for negligible, partial dissolved, and dissolved according to the present disclosure.Detailed Description

[0015] The present disclosure provides for a solvent and more specifically for a solvent mixture for the replacement of N-methyl-2-pyrrolidone (NMP) in electronic applications such as electronic processing, in particular, photoresist stripping including photosensitive polyimide synthesis (PSPI) and stripping thereof. In the past few decades, finding a replacement for NMP has been a topic of interest owing to the potential health concerns of NMP. Some NMP alternatives have been developed, but their performance has not been satisfactory to the electronics industry in terms of performance and cost. It has been challenging to develop an alternative solvent for NMP that would be useful in electronic applications due to the tough  requirement of balancing toxicity of solvent and the solubility performance. The solvent mixture of the present disclosure, however, addresses these shortcomings discussed herein and above.

[0016] For the present disclosure, the solvent mixture of the present disclosure includes an ionic liquid of Formula I:

[0017] where each of R1, R2, R3 and R4 are independently selected from hydrogen, -CH2-OH and a C1-C4 alkyl group; and a glycol ether solvent of Formula II:

[0018] where the R5 is selected from the group consisting of hydrogen and a C1-C4 alkyl; R6 is selected from the group consisting of -CH2-or -CH2-CH2-; R7 is selected from the group consisting of hydrogen and a C1-C2 alkyl; and n is an integer from 1 to 4. For the present disclosure, in specific embodiments for the ionic liquid of Formula I R1 is selected from hydrogen and a C1 alkyl group; R2 is hydrogen and R3 is selected from hydrogen and a C1 alkyl group. For example, for the ionic liquid of Formula I R1 R2 and R3 are hydrogen. Alternatively, for the ionic liquid of Formula I R1 and R2 are hydrogen and R3 is a C1 alkyl group. In an additional embodiment, for the ionic liquid of Formula I R1 is a C1 alkyl group and R2 and R3 are hydrogen. Similarly, for the present disclosure specific embodiments for R4 of the ionic liquid of Formula I can be a C1 alkyl group or a hydrogen. Other structures for the ionic liquid of Formula I are possible, as provided herein. For the present disclosure, for the glycol ether solvent of Formula II specific examples can include where R5 is a C2 alkyl, R6 is -CH2-, R7 is hydrogen and n is 2. In an additional example, R5 is a C3 alkyl, R6 is -CH2-, R7 is a C1 alkyl and n is 1. In another example, R5 is a C4 alkyl, R6 is -CH2-, R7 is a C1 alkyl and n is 1. Other structures for the glycol ether solvent of Formula II are possible, as provided herein.

[0019] For the present disclosure, the ionic liquid of Formula I is formed in a one-step acid-base neutralization reaction between an organic acid and an organic base. For the present  disclosure, the organic acid is selected from the group consisting of glycolic acid, lactic acid, acetic acid, formic acid, citric acid, tartaric acid malic acid, oxalic acid, benzoic acid, salicylic acid, propionic acid and combinations thereof. Preferably, the organic acid is selected from the group consisting of glycolic acid, lactic acid and combinations thereof. For the present disclosure, the organic base is selected from the group consisting of monoethanolamine (MEA) , monoispropanolamine (MIPA) , N-methylethanolamine (NMEA) , triethylamine (TEA) , diethanolamine (DEA) , methyldiethanolamine (MDEA) and combinations thereof. Preferably, the organic base is selected from the group consisting of MEA, NMEA, MIPA and combinations thereof. For the present disclosure, preferred combinations of the organic acid and the organic base include, but are not limited to, lactic acid and NMEA; lactic acid and MIPA; lactic acid and MEA; glycolic acid and NMEA, and glycolic acid and MIPA.

[0020] The ionic liquid of the present disclosure is prepared by mixing the organic acid (s) with organic base (s) at a designed molar ratio. For example, the organic base (s) can be slowly poured into the organic acid (s) with mixing at room temperature (23 ℃) , where the temperature of the resulting mixture can be controlled, as is known in the art, due to the exothermic nature of the acid-base neutralization reaction. For the present disclosure, for the one-step acid-base neutralization reaction the organic acid and the organic base used in forming the ionic liquid of Formula I can have a molar ratio from 1: 1 to 1: 4 (organic acid : organic base) . Preferably, for the one-step acid-base neutralization reaction the organic acid and the organic base used in forming the ionic liquid of Formula I can have a molar ratio from 1: 1 to 1: 2 (organic acid : organic base) . Specifically preferred molar ratios include: 1: 1, 1: 1.5 and 1: 2 (organic acid : organic base) .

[0021] For the present disclosure, the glycol ether solvent of Formula II can be selected from the group consisting of diethylene glycol mono ethyl ether, propylene glycol mono propyl ether, propylene glycol mono n-butyl ether and combinations thereof. Other glycol ether solvent of Formula II are also possible. Commercially available examples of glycol ether solvent of Formula II include, but are not limited to, diethylene glycol monoethyl ether (DOW) and those sold under the trade name DOWANOLTM (DOW) , such as propylene glycol n-propyl ether and propylene glycol n-butyl ether, among others.

[0022] For the present disclosure, the glycol ether solvent of Formula II can optionally include two or more of the glycol ether solvent of Formula II. For example, in one embodiment for a first glycol ether solvent of the two or more of the glycol ether solvent of Formula II R6 is -CH2-and R7 is hydrogen, and for a second glycol ether solvent of the two or more of the glycol  ether solvent of Formula II R6 is -CH2-and R7 is C1 alkyl. Other combinations of two or more of the glycol ether solvent of Formula II are possible.

[0023] For the present disclosure, the solvent mixture can be formed by mixing the ionic liquid of Formula I, as provided herein, with the glycol ether solvent of Formula II, as provided herein. The mixing can occur at room temperature, as provided herein, where the resulting solvent mixture can be allowed to rest at room temperature, allowing any bubbles that form to dissipate, until its use. For embodiments of the solvent mixture, the ionic liquid of Formula I and the glycol ether solvent of Formula II of can have a mass ratio of 1: 1 to 1: 4. For the present disclosure, this mass ratio of the ionic liquid of Formula I and the glycol ether solvent of Formula II for the solvent mixture can preferably depend on the values of the variables in the ionic liquid of Formula I and the glycol ether solvent of Formula II. For example, when n in Formula II is equal to 4, the mass ratio between the ionic liquid of Formula I and glycol ether of Formula II is 1: 1. In an additional embodiment, when n in Formula II is 1 to 3, the mass ratio between ionic liquid and glycol ether solvent is 2: 3 to 1: 4. In one even more specific embodiment, when n of the glycol ether solvent of Formula II is 2 and the ionic liquid of Formula I is formed with glycolic acid and MIPA in a 2: 3 molar ratio, the mass ratio between ionic liquid and glycol ether solvent of the solvent mixture is 1: 4.

[0024] For the present disclosure, the solvent mixture does not contain a heteroatom. As used herein, a heteroatom is defined as any atom that is not carbon, hydrogen, oxygen or nitrogen, and can include sulfur, phosphorus, lithium, magnesium and a halogen atom such as fluorine, chlorine, bromine and iodine, among others. In other words, the solvent mixture does not contain a halogen atom, but only carbon, hydrogen, oxygen, and nitrogen exist in the solvent mixture.

[0025] For the present disclosure, the solvent mixture of the present disclosure can optionally include one or more of the following: a polyglycol, an ethyleneglycol ether, and / or a propylene glycol ether. Examples of suitable polyglycols include, but are not limited to, triethylene glycol and tetraethylene glycol. Examples of suitable ethylene glycol ether include, but are not limited to, diethylene glycol monoethyl ether, diethylene glycol monobutyl ether, ethylene glycol phenyl ether, ethoxytriglycol, and methoxytriglycol. Examples of suitable ethylene glycol ether include, but are not limited to, propylene glycol n-propyl ether, propylene glycol n-butyl ether, propylene glycol phenyl ether, dipropylene glycol n-propyl ether, and dipropylene glycol n-butyl ether.

[0026] The present disclosure further includes a method that includes proving a surface having a photoresist layer and stripping at least a portion of the photoresist layer from the  surface with the solvent mixture of the present disclosure. For the present disclosure, the photoresist layer is selected from those formed by a photosensitive polyimide layer, a phenolic resin layer, an acrylic layer or combination thereof. For the present disclosure, the surface having the photoresist, as provided herein, can be contacted with the solvent mixture for a period of time ranging from 30 seconds to 30 minutes; 30 seconds to 2 minutes; or from 2 minutes to 30 minutes. The surface having the photoresist can be contacted with the solvent mixture at a temperature between 20 ℃ and 70 ℃; 20 ℃ and 50 ℃; or 20 ℃ and 35 ℃. A substrate cleaned according to this method is also possible, with the surface being a semiconductor substrate in the form of a wafer, as are known in the art.

[0027] The present disclosure can further include using the solvent mixture of the present disclosure to remove undesired material from a surface. Undesired material can be any material that interferes with the ultimate function of the surface. When the surface includes a semiconductor substrate (e.g., a wafer) , undesired material can include, for example, resist residues or metal ions. In addition to being useful in the removal of a photoresist layer, the solvent mixture of the present disclosure can also be used in etching, ashing and / or application of wet chemistry to remove photoresist and / or etch residues. In addition, the solvent mixture of the present disclosure can be useful in applications such as coating, plating, imaging, surfacing, processing, cleaning and sterilization. Although the solvent mixture of the present disclosure is readily applicable to the semiconductor industry, it is not limited to use with any particular industry and instead may be applied in a wide variety of technology areas requiring the removal of contaminants to a very fine scale (e.g., nearly to the molecular level) . The methods of the present disclosure can further include cleaning organic and inorganic compounds, including post etch and post ash residues, from a semiconductor substrate.

[0028] The present disclosure also includes an additional method of proving the solvent mixture of the present disclosure; and dissolving monomers for forming a photoresist layer with the solvent mixture. For the present disclosure, the monomers for forming the photoresist layer are selected from those, as are known in the art, for forming a photosensitive polyimide layer. Other monomers may be possible, including monomers for forming a phenolic resin layer or an acrylic layer. For example, the solvent mixture claimed here has good performance in dissolving monomers used in photosensitive polyimide synthesis (PSPI) . Thus, the solvent mixture of the present disclosure can be applied to both synthesis of PSPI and removal of PSPI in photolithography process.

[0029] Some embodiments of the disclosure will now be described in detail in the following Examples.

[0030] Examples

[0031] In the Examples, various terms and designations for materials were used including, for example, the following:

[0032] Materials

[0033] Materials employed in the examples and / or comparative examples include the following.

[0034] Table 1

[0035] Product Formulation

[0036] Comparative Example 1 (CE1) was NMP, CE2 was diethylene glycol monoethyl ether, and CE3 was propylene glycol n-propyl ether. The other CEs and Inventive Examples (IE) provided herein are mixtures of the ionic liquid and the glycol ether solvent as provided in Tables 2A-2D. The ionic liquid was formulated by mixing different organic acids with different amines as provided in Tables 2A-2D.

[0037] Table 2A -Formulation of Comparative Examples (CE) and Inventive Examples (IE)

[0038] Table 2B -Formulation of CE and IE

[0039] Table 2C -Formulation of CE and IE

[0040] Table 2D -Formulation of CE and IE

[0041] Preparation of ionic liquid

[0042] The ionic liquids were prepared by mixing the organic acids with organic bases at a designed molar ratio provided in Tables 2A-2D. To be specific, the amine was poured into organic acid slowly with constant stirring at room temperature (23 ℃) . During this process, the temperature of the system increased owing to the exothermic nature of acid-base neutralization. The ionic liquid was cooled to room temperature for further experiments.

[0043] Preparation of solvent mixture

[0044] Designed amount of glycol ether solvent was added into ionic liquid with through mixing to prepare the solvent mixture. After the preparation, the solvent mixture was allowed to rest at room temperature until the bubbles disappeared.

[0045] Photoresist stripping performance evaluation

[0046] 3 mL of SFP-1400 photoresist solution was dropped onto the surface of glass substrate (100 mm × 100 mm × 1 mm) . The glass substrate was spun at the rotation speed of 500 rotations per minute (rpm) for 10 seconds (s) to spin-coat the photoresist solution (SSUS MicroTech LabSpin 6 / 8, where the instrument for pre-backing was SUSS MicroTec HP8) . Then rotation speed was accelerated to 1000 rpm and maintained for 30 s to achieve a 1 μm thick photoresist film layer. The photoresist film layer was heated at 130 ℃ (Thermo SCIENTIFIC Heratherm OMH100) for 10 minutes (min. ) under a dry nitrogen (N2) gas atmosphere to evaporate solvent completely and cure the photoresist film layer. Afterwards, around 100 μL of each prepared solvents were dropped onto the photoresist film layer under room temperature. The glass substrate was slightly shaken during the test and the time for completely removing the photoresist was recorded. For the present disclosure, the stripping time ≤40 s is considered acceptable.

[0047] PSPI Monomer Dissolving Evaluation

[0048] The monomers of PSPI include dianhydride and diamine. Their structures are seen below:

[0049] For dissolving performance evaluation of the two monomers, 2.500 g of the solvents were loaded in a glass vial. Subsequently, 0.125 g of dianhydride monomer and 0.125 g of diamine monomer were added into the solvent mixture and shaken for uniform dispersion. Then, the whole system was placed into a 65 ℃ oven for 2 hours (h) after which an observation for any residue was made. According to the performance, the results were categorized into 3 levels: negligible (Neg. ) , partial dissolved (P.D. ) , and dissolved (Dis. ) . Only the result shown as “dissolved” was acceptable.

[0050] Evaluation Criteria

[0051] FIG. 1 demonstrates qualified and unqualified photoresist stripping performance. In terms of the PSPI monomer dissolving evaluation, the results for negligible, partial dissolved, and dissolved are demonstrated in FIG. 2. Among these states, only “dissolved” is considered as qualified. For the evaluation of photoresist stripping performance, reaching the state shown on the upper side of FIG. 1 within 40 s is acceptable. If after 40 s the state is demonstrated as the lower side of FIG. 1, then it should be considered as unqualified.

[0052] Photoresist Stripping Performance

[0053] Table 3A -Photoresist stripping performance of each example

[0054] Table 3B -Photoresist stripping performance of each example

[0055] Table 3C -Photoresist stripping performance of each example

[0056] Table 3C (continued) . Photoresist stripping performance of each example

[0057] PSPI Monomer Dissolving Performance

[0058] Table 4. PSPI monomer dissolving performance of each example

[0059] Table 4 (continued) . PSPI monomer dissolving performance of each example

[0060] Table 4 (continued) . PSPI monomer dissolving performance of each example

[0061] Data Analysis

[0062] Evaluation Criteria

[0063] In this disclosure, the developed solvent mixture is applied in the field of electronic processing. More specifically, the solvent mixture is used for photoresist stripping and the synthesis or the stripping of photosensitive polyimide. Therefore, the performance evaluation should be applicable to both applications.

[0064] While not wishing to be bound by theory, it was believed that (1) using an ionic liquid as defined herein to increase the polarity of the glycol ether solvents provided herein and that (2) the viscosity of ionic liquid is generally high so that mixing the glycol ether solvents provided herein with the ionic liquid the viscosity of the solvent mixture can be adjusted to an acceptable level for good performance. The viscosity of each example is summarized in Table 5 below:

[0065] Table 5A Viscosity of CE

[0066] Table 5B Viscosity of CE and IE

[0067] Table 5C of IE

[0068] Viscosity Measurement of Solvent Mixture

[0069] The viscosity measurement was conducted on a Hamilton Microlab Star (Produced by Hamilton Robotics, inc., Reno, NV) under room temperature (22 ℃) . This is a  kind of high throughput liquid handlers with 8 independent channels that uses air displacement to aspirate and dispense fluids and differential pressure sensors to continuously monitor the pressure inside the pipet tips. Specifically, 1.00 gram of each solvent mixture was transferred into a glass vial and placed in 96-well plates. The samples were then sent for testing on Hamilton Microlab Star. After 20 minutes of testing, the results can be read on the screen.

[0070] For the photoresist stripping application, the results can be found in Table 3. As seen, with the increase mass ratio of solvent, the stripping performance improved gradually. When the mass ratio between ionic liquid and glycol ether solvent reaches 1: 4, the performance is quite comparable to that of NMP. And the diethylene glycol monoethyl ether presents the best performance as compared to the other glycol ether solvents. It is believed that this result can be mainly attributed to two reasons. First, when complexed with the glycol ether solvent, the ionic liquid is diluted, and the viscosity will decrease (Table 5) . Therefore, by increasing the amount of the glycol ether solvent will gradually decrease the viscosity of the system and improve the stripping performance. Second, the polarity of the applied photoresist in this disclosure is close to diethylene glycol monoethyl ether. However, the complexation of ionic liquid can increase the polarity of the system. According to the principle of “like dissolves like” , less mass ratio of ionic liquid should have a better stripping performance.

[0071] For the PSPI monomer dissolving performance, the results are demonstrated in Table 4. Compared with the pure glycol ether solvents, the addition of ionic liquid can significantly improve the dissolving performance. And compared to glycolic acid, the ionic liquid composed of lactic acid and amines presents better performance. And the preference in the amine selection is NMEA＞MIPA＞MEA. For the solvent selection, the best performance can be achieved when using diethylene glycol monoethyl ether and tetraethylene glycol. Ethylene glycol-based solvents presents better general performance than that of propylene glycol-based solvents.

[0072] As mentioned previously, the solvent mixture should have good performance for both photoresist stripping and PSPI monomer dissolving. Therefore, some good results in Table 3 and Table 4 are classified as “Comparative Examples” . Only the samples that have good performance for both applications can be categorized as “Inventive Examples” .

Claims

1.A solvent mixture, comprising:an ionic liquid of Formula I:wherein each of R1, R2, R3 and R4 are independently selected from hydrogen, -CH2-OH and a C1-C4 alkyl group; anda glycol ether solvent of Formula II:wherein the R5 is selected from the group consisting of hydrogen and a C1-C4 alkyl; R6 is selected from the group consisting of -CH2-or -CH2-CH2-; R7 is selected from the group consisting of hydrogen and a C1-C2 alkyl; and n is an integer from 1 to 4.2.The solvent mixture of claim 1, wherein the ionic liquid of Formula I is formed in a one-step acid-base neutralization reaction between an organic acid and an organic base.3.The solvent mixture of claim 2, wherein the organic acid is selected from the group consisting of glycolic acid, lactic acid, acetic acid, formic acid, citric acid, tartaric acid, malic acid, oxalic acid, benzoic acid, salicylic acid, propionic acid and combinations thereof; andthe organic base is selected from the group consisting of monoethanolamine (MEA) , monoispropanolamine (MIPA) , N-methylethanolamine (NMEA) , triethylamine (TEA) , diethanolamine (DEA) , methyldiethanolamine (MDEA) and combinations thereof.4.The solvent mixture of any one of claims 2-3, wherein for the one-step acid-base neutralization reaction the organic acid and the organic base have a molar ratio from 1∶ 1 to 1∶ 4.5.The solvent mixture of any one of claims 1-4, wherein the glycol ether solvent includes two or more of the glycol ether solvent of Formula II.6.The solvent mixture of claim 5, wherein for a first glycol ether solvent of the two or more of the glycol ether solvent of Formula II R6 is -CH2-and R7 is hydrogen, and for a second glycol ether solvent of the two or more of the glycol ether solvent of Formula II R6 is -CH2-and R7 is C1 alkyl.7.The solvent mixture of any one of claims 1-6, wherein the ionic liquid and the glycol ether solvent of the solvent mixture have a mass ratio of 1∶ 1 to 1∶ 4.8.The solvent mixture of any one of claims 1-7, wherein when n in Formula II is equal to 4, the mass ratio between ionic liquid and glycol ether solvent is 1∶ 1.9.The solvent mixture of any one of claims 1-7, wherein when n in Formula II is 1 to 3, the mass ratio between ionic liquid and glycol ether solvent is 2∶ 3 to 1∶ 4.10.The solvent mixture of any one of claim 1-7, wherein for Formula II n is 2 and the ionic liquid is formed with glycolic acid and MIPA in a 2∶ 3 molar ratio, the mass ratio between ionic liquid and glycol ether solvent of the solvent mixture is 1∶ 4.11.The solvent mixture of any one of claims 1-10, wherein the solvent mixture does not contain a heteroatom.12.A method, comprising:proving a surface having a photoresist layer; andstripping at least a portion of the photoresist layer from the surface with the solvent mixture of any one of claims 1-11.13.The method of claim 12, where the photoresist layer is selected from those formed by a photosensitive polyimide layer, a phenolic resin layer, an acrylic layer or a combination thereof.14.A method, comprising:proving the solvent mixture of any one of claims 1-11; anddissolving monomers for forming a photoresist layer with the solvent mixture.15.The method of claim 14, wherein the monomers for forming the photoresist layer are selected from those for forming a photosensitive polyimide layer.

Images