Wave-absorbing materials, device for wave-absorbing and heat-dissipating including the same, preparation methods thereof, and electronic devices

Abstract

Embodiments of the present disclosure disclose wave-absorbing materials, device for wave-absorbing and heat-dissipating including the same, and methods of preparing the same. The device for wave-absorbing and heat-dissipating comprises: a wave-absorbing layer, the wave-absorbing layer being prepared from raw materials comprising wave-absorbing material and heat-dissipating material, the wave-absorbing layer in which the wave-absorbing material and the heat-dissipating material are in a first mass ratio; a heat-dissipating layer, the heat-dissipating layer being adjacent to the wave-absorbing layer, the raw material for preparing the heat-dissipating layer comprising wave-absorbing material and heat-dissipating material; the mass ratio of the wave-absorbing material and the heat-dissipating material in the heat-dissipating layer is a second mass ratio; the first mass ratio is greater than the second mass ratio. The solution of the present disclosure is capable of reducing cost and occupying space while safeguarding the wave-absorbing performance and heat-dissipating performance of the device for wave-absorbing and heat-dissipating.

Description

WAVE-ABSORBING MATERIALS, DEVICE FOR WAVE-ABSORBING AND HEAT-DISSIPATING INCLUDING THE SAME, PREPARATION METHODS THEREOF, AND ELECTRONIC DEVICESCROSS-REFERENCE TO RELATED APPLICATIONS

[0001] This application claims priority of Chinese Patent Application No. 202410611288. X, filed on May 16, 2024, and Chinese patent application No. 202410611286.0, filed on May 16, 2024, the entire contents of each of which are incorporated herein by reference.TECHNICAL FIELD

[0002] The present disclosure relates to the field of electromagnetic compatibility technology, and in particular relates to wave-absorbing materials, device for wave-absorbing and heat-dissipating including the same, and methods of preparing the same.BACKGROUND

[0003] Due to the high sensitivity of electronic components to electromagnetic fields, even small amounts of electromagnetic interference (EMI) may cause electronic equipment to malfunction. Wave-absorbing materials often have a certain electromagnetic interference shielding effect. However, with the continuous improvement of the performance and functionality of electronic devices, the heat generated by the components in the electronic equipment will also increase. The traditional wave-absorbing materials exist phase interface and phonon simple harmonic wave vibration mismatch, which is not conducive to the improvement of thermal conductivity. Therefore, effective heat-dissipating in electronic devices is also important. The current demand for heat-dissipating materials and wave-absorbing materials in the fields of fifth-generation (5G) radio frequency (RF) chips, millimeter-wave antennas, wireless charging, wireless transmission, insulated gate bipolar transistors (IGBTs) , printed circuit boards, artificial intelligence (AI) , and the Internet of Things (IoT) is increasing.

[0004] Electronic equipment is pursuing miniaturization and precision, while also having more stringent cost requirements. For the sensitive sources in electronic devices, such as chips, most employ a configuration of shielding plus thermal pads to achieve the functions of wave-absorbing and heat-dissipating. However, the highly integrated design of electronic devices (e.g., 5G smartphones) may result in limited mounting space for heat-dissipating components. On the other hand, using shields may cause structural interference with electronic devices; and using thermal pads, which do not dissipate heat well, requires various heat-dissipating composite designs, resulting in significantly increased costs and a larger footprint.

[0005] Therefore, it is desired to provide a wave-absorbing material, a device for wave-absorbing and heat-dissipating including thereof, and a method of preparing the same, which may enable an electronic device to simultaneously reduce costs and footprint while safeguarding wave-absorbing performance and heat-dissipating performance.SUMMARY

[0006] One or more embodiments of the present disclosure may include a wave-absorbing material, which may comprise titanium silicon carbide with a laminated structure and a pore structure, wherein the pore structure may be formed by channels between adjacent layers in the laminated structure.

[0007] One or more embodiments of the present disclosure may provide a method for preparing a wave-absorbing material, which may include: providing a raw material of titanium silicon carbide; obtaining titanium silicon carbide with a laminated structure by etching the raw material of titanium silicon carbide; obtaining a first mixture by mixing the titanium silicon carbide with the laminated structure with an expanding agent; and obtaining titanium silicon carbide with the laminated structure and a pore structure by placing the first mixture in a reducing atmosphere, heating the first mixture to 95℃-105℃ and holding it for 0.3h-1h, and then heating the first mixture to 145℃-155℃ and holding it for 0.5h-1.5h.

[0008] One or more embodiments of the present disclosure may provide a device for wave absorbing and heat dissipating may include: a wave-absorbing layer, wherein a preparation raw material of the wave-absorbing layer may include a first wave-absorbing material and a first heat-dissipating material, and a first mass ratio of the first wave-absorbing material to the first heat-dissipating material in the wave-absorbing layer may be greater than 1; and a heat-dissipating layer adjacent to the wave-absorbing layer, wherein a preparation raw material of the heat-dissipating layer may include a second wave-absorbing material and a second heat-dissipating material, and a second mass ratio of the second wave-absorbing material to the second heat-dissipating material in the heat-dissipating layer may be less than 1.

[0009] One or more embodiments of the present disclosure may provide an electronic device may include the device for wave absorbing and heat dissipating.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS

[0010] The present disclosure is further described in terms of exemplary embodiments. These exemplary embodiments are described in detail with reference to the drawings. These embodiments are non-limiting exemplary embodiments, in which like reference numerals represent similar structures throughout the several views of the drawings, and wherein:

[0011] FIG. 1 is a schematic diagram illustrating an exemplary ideal structure of titanium silicon carbide with a laminated structure and a pore structure;

[0012] FIG. 2 is a diagram illustrating an exemplary microstructure of titanium silicon carbide with a laminated structure and a pore structure according to some embodiments of the present disclosure;

[0013] FIG. 3 is a diagram illustrating an exemplary microstructure of titanium silicon carbide with a laminated structure according to some embodiments of the present disclosure;

[0014] FIG. 4 is a diagram illustrating an exemplary morphological of titanium silicon carbide after an expanding process according to some embodiments of the present disclosure;

[0015] FIG. 5 is a diagram illustrating a comparison of a shielding performance of titanium silicon carbide with a laminated structure and ordinary titanium silicon carbide according to some embodiments of the present disclosure;

[0016] FIG. 6 is a diagram illustrating a comparison of thermal conductivity of titanium silicon carbide with a laminated structure and ordinary titanium silicon carbide according to some embodiments of the present disclosure;

[0017] FIG. 7 is a diagram illustrating an exemplary structure of a wave-absorbing film according to some embodiments of the present disclosure;

[0018] FIG. 8 is a diagram illustrating an exemplary structure of a shielding wave-absorbing film according to some embodiments of the present disclosure;

[0019] FIG. 9 is a diagram illustrating an exemplary structure of a shielding wave-absorbing film according to some embodiments of the present disclosure;

[0020] FIG. 10 is a diagram illustrating an exemplary structure of a shielding wave-absorbing film according to some embodiments of the present disclosure;

[0021] FIG. 11 is a diagram illustrating an exemplary structure of a shielding wave-absorbing film according to some embodiments of the present disclosure;

[0022] FIG. 12 is a diagram illustrating an exemplary structure of a device for wave-absorbing and heat-dissipating according to some embodiments of the present disclosure;

[0023] FIG. 13 is a diagram illustrating an exemplary structure of a device for wave-absorbing and heat-dissipating according to some embodiments of the present disclosure;

[0024] FIG. 14 is a schematic diagram illustrating exemplary insertion loss curves of two devices for wave-absorbing and heat-dissipating according to some embodiments of the present disclosure;

[0025] FIG. 15 is an electron micrograph illustrating titanium silicon carbide powder made by comparative example 1;

[0026] FIG. 16 is an electron micrograph illustrating titanium silicon carbide powder made by embodiment 3;

[0027] FIG. 17 is a schematic diagram illustrating an exemplary structure of a device for wave-absorbing and heat-dissipating according to some embodiments of the present disclosure;

[0028] FIG. 18 is a schematic diagram illustrating an exemplary structure of a device for wave-absorbing and heat-dissipating according to some embodiments of the present disclosure; and

[0029] FIG. 19 is a schematic diagram illustrating a shielding performance of a device for wave-absorbing and heat-dissipating of embodiment 20.

[0030] In the present disclosure, both a wave-absorbing layer and a heat dissipating layer of a device for wave absorbing and heat dissipating are made from wave-absorbing material and heat dissipating material, meaning that the wave absorption function and the heat dissipation function of the device for wave absorbing and heat dissipating in the present disclosure are not separate. This enables the reduction of electromagnetic interference while enhancing heat dissipation. Furthermore, the mass ratio of wave-absorbing material to heat dissipating material in the wave-absorbing layer is greater than that in the heat dissipation layer. This means that the amount of wave-absorbing material in the wave-absorbing layer is greater than that in the heat dissipating layer. By relatively increasing the proportion of wave-absorbing material in the wave-absorbing layer and the proportion of heat dissipating material in the heat dissipating layer, the wave absorption performance of the wave-absorbing layer becomes stronger than that of the heat dissipating layer. This arrangement can improve the wave absorption performance of the device for wave absorbing and heat dissipating when the wave-absorbing layer has a relatively large contact area with a heat-generating device. The heat dissipation performance of the heat dissipating layer is stronger than that of the wave-absorbing layer, thus fully utilizing the heat dissipation capabilities. Consequently, the wave absorption and heat dissipation performances of the device for wave absorbing and heat dissipating in the present disclosure can be fully harnessed. By controlling the mass ratio of wave-absorbing material and heat dissipating material at different positions on the device for wave absorbing and heat dissipating according to the varied heat dissipation and wave absorption requirements, a device for wave absorbing and heat dissipating that meets specific needs can be manufactured. This makes it suitable for use in electronic devices with high heat dissipation demands, enhancing heat dissipation and reducing electromagnetic interference. Additionally, the structure of the device for wave absorbing and heat dissipating is relatively simple, avoiding overly complex designs, reducing production costs, and requiring comparatively less space.DETAILED DESCRIPTION

[0031] In the following detailed description, numerous specific details are set forth by way of examples in order to provide a thorough understanding of the relevant disclosure. Obviously, drawings described below are only some examples or embodiments of the present disclosure. Those skilled in the art, without further creative efforts, may apply the present disclosure to other similar scenarios according to these drawings. It should be understood that the purposes of these illustrated embodiments are only provided to those skilled in the art to practice the application, and not intended to limit the scope of the present disclosure. Unless obviously obtained from the context or the context illustrates otherwise, the same numeral in the drawings refers to the same structure or operation.

[0032] The terminology used herein is for the purposes of describing particular examples and embodiments only and is not intended to be limiting. As used herein, the singular forms “a, ” “an, ” and “the” may be intended to include the plural forms as well, unless the context clearly indicates otherwise. It will be further understood that the terms “include” and / or “comprise, ” when used in this disclosure, specify the presence of integers, devices, behaviors, stated features, steps, elements, operations, and / or components, but do not exclude the presence or addition of one or more other integers, devices, behaviors, features, steps, elements, operations, components, and / or groups thereof.

[0033] The flowcharts used in the present disclosure illustrate operations that systems implement according to some embodiments of the present disclosure. It is to be expressly understood, the operations of the flowcharts may be implemented not in order. Conversely, the operations may be implemented in an inverted order, or simultaneously. Moreover, one or more other operations may be added to the flowcharts. One or more operations may be removed from the flowcharts.

[0034] Quantities, ratios, and other numeric values are presented in a range format throughout this document. It is to be understood that such range formats are used for convenience and brevity, and should be flexibly construed to encompass not only the values explicitly designated as the limits of the ranges, but also all of the individual values or sub-ranges encompassed by the ranges.

[0035] If not otherwise specified, all steps of the present disclosure may be performed sequentially, randomly, or side-by-side, preferably sequentially. For example, the method includes steps (a) and (b) , indicating that the method may include steps (a) and (b) performed sequentially, or may include steps (b) and (a) performed sequentially, or may be steps (a) and (b) performed simultaneously in parallel. For example, the method referred to may further include operation (c) , indicating that operation (c) may be added to the method in any order, e.g., the method may include operations (a) , (b) , and (c) , or may include operations (a) , (c) , and (b) , or may include operations (c) , (a) , and (b) , or the like.

[0036] Embodiments of the present disclosure provide a wave-absorbing material including titanium silicon carbide (Ti3SiC2) . In some embodiments, the titanium silicon carbide has a laminated structure and a pore structure; wherein the pore structure is a channel constituted between two adjacent layers of the laminated structure.

[0037] In some embodiments, the laminated structure may be obtained by a layering process of the titanium silicon carbide.

[0038] The layering process is a process in which the titanium silicon carbide is finely physically or chemically processed to form a structure with specific layers. During the layering process, the surface layer of the titanium silicon carbide may be selectively removed to form a plurality of thin layers that may provide different physical properties in terms of microstructure. In some embodiments, the layering process may be achieved by techniques such as etching the titanium silicon carbide.

[0039] In some embodiments, the pore structure may be obtained by an expanding process of the titanium silicon carbide after a layering process.

[0040] The expanding process refers to a process whereby the titanium silicon carbide is physically or chemically altered in volume or shape to form a pore structure or porous features. In some embodiments, the pore structure has a certain shape and structure. For example, the pore structure may be a cubic structure, a honeycomb structure, a sponge structure, a mesh structure, or the like.

[0041] In some embodiments, after the layering process, the titanium silicon carbide may be mixed with an expanding agent to form channels between two adjacent layers of the laminated structure of the titanium silicon carbide to form a pore structure.

[0042] The above method of forming the laminated structure and the pore structure is for illustrative purposes only and is not intended to limit the scope of the present disclosure. The titanium silicon carbide having a laminated structure and a pore structure may also be obtained in other ways. More on the expanding process and the layering process may be attended to later.

[0043] The titanium silicon carbide is layered to form a laminated structure according to some embodiments of the present disclosure as shown in FIG. 1 and FIG. 2. Moreover, a plurality of channels (i.e., pores) are formed between two adjacent layers in the titanium silicon carbide laminated structure. The pores in the laminated structure are arranged in a relatively orderly manner as shown in FIG. 2. In this way, as shown in FIG. 1, the electromagnetic wave may be absorbed by multiple reflections inside the ordered pore structure of the titanium silicon carbide, so that when the electromagnetic wave penetrates the surface of the uniformly laminated expanded Ti3SiC2 layer, part of the electromagnetic wave will be reflected by the surface conductive layer, thereby reducing the number of electromagnetic waves entering the object, so that a better shielding effect may be achieved. Simultaneously, during multiple reflections, electromagnetic waves can undergo multiple absorptions within the uniformly laminated expanded Ti3SiC2 layers, resulting in the wave-absorbing materials having strong wave-absorbing properties. Moreover, Ti3SiC2 has the features of metal, exhibiting very good thermal conductivity and electrical conductivity at room temperature, relatively low Vickers hardness, and high elastic modulus; and Ti3SiC2 has ductility at room temperature, may be processed like a metal and has plasticity at high temperatures. At the same time, Ti3SiC2 also possesses the properties of ceramic materials, including high yield strength, high melting point, high thermal stability, and good oxidation resistance, maintaining high strength at elevated temperatures. Thus, the wave-absorbing materials of the present disclosure have better heat-dissipating and wave-absorbing properties.

[0044] The wave-absorbing materials in the embodiments of the present disclosure may be used to reduce electromagnetic interference (EMI) and enhance the immunity of electronic devices. On the other hand, due to the good thermal conductivity of the wave-absorbing materials, the wave-absorbing materials may be used as heat-dissipating materials to protect high-power electronic devices. Scenarios in which this wave-absorbing material may be applied to include, but are not limited to: as an aerospace structural material or a thermal barrier material in high-temperature and highly corrosive environments; as a catalyst or a conductive material in fuel cells or solar cells; in the manufacture of ballistic and protective materials to enhance protective performance; and as a conductive and heat-dissipating element to provide good performance in microelectronic devices.

[0045] Optionally, the titanium silicon carbide of the present disclosure may be applied in the field of electromagnetic compatibility (EMC) .

[0046] In some embodiments, the pore structure of the titanium silicon carbide is ellipsoid-like, with the ellipsoid-like having a long axis of 200 nm-400 nm and a short axis of 130 nm-210 nm. When the pore structure of the titanium silicon carbide is within this size range, the wave-absorbing  material may better reflect and absorb the electromagnetic wave.

[0047] In some embodiments, the pore structure of the titanium silicon carbide may also be of other shapes such as spherical, conical, or cylindrical.

[0048] In some embodiments, the titanium silicon carbide is covalently bonded at the junction between the pore structures. The covalently bonding allows the titanium silicon carbide to form an effective connection at the bends of the different pores, and the interfacial thermal resistance at the junctions is relatively small, which enhances the heat transfer effect and thus maintains a better heat-dissipating effect.

[0049] In some embodiments, the pores of the titanium silicon carbide may be filled with a wave-absorbing substance and / or a heat-dissipating substance to improve wave-absorbing properties and heat-dissipating properties of the titanium silicon carbide material.

[0050] Embodiments of the present disclosure provide a method of preparing a wave-absorbing material, including the following operations.

[0051] In operation 1, a titanium silicon carbide raw material is provided.

[0052] In some embodiments, the titanium silicon carbide raw material may be homemade or purchased. In some embodiments, the titanium silicon carbide raw material may be obtained by high temperature sintering of carbon powder, titanium powder, and silicon powder. For example, the titanium silicon carbide raw material may be obtained by vacuum pressureless sintering by placing titanium powder, carbon powder, and silicon powder into a vacuum for high temperature sintering at 1500℃. according to a mass ratio of 10: 2: 3.

[0053] In operation 2, the titanium silicon carbide raw material is etched to obtain titanium silicon carbide with a laminated structure, e.g., as shown in FIG. 3.

[0054] In some embodiments, the etching treatment may include hydrofluoric acid etching, molten salt method etching, electrochemical etching, ionic liquid etching, or other etching methods. In some embodiments, the conditions of the etching treatment may be controlled such that the titanium silicon carbide after the etching treatment is a uniform laminated structure, i.e., the laminated structure of the titanium silicon carbide after the etching treatment has uniform spacing. For example, the difference in distances between all adjacent layers in the laminated structure of the titanium silicon carbide after the etching treatment is less than a predetermined threshold. The distance between two adjacent layers can be the average distance, center distance, minimum distance, etc., between the two adjacent layers.

[0055] Taking the molten salt method as an example, etching treatment of the titanium silicon carbide may include: mixing the titanium silicon carbide raw material and halide salt and placing the titanium silicon carbide raw material and the halide salt in a salt bed of the halide salt to obtain a second mixture; in a vacuum, heating the salt bed as well as the second mixture in a vacuum at a heating rate of 150℃ / h-200℃ / h to 1150℃-1200℃ and holding for 2h-4h, cooling down to 590℃-610℃ and then adding an etching agent and reacting for 10min-1h, and cooling down to room temperature to obtain the titanium silicon carbide with a laminated structure.

[0056] In some embodiments, the etching agent may be a lewis acid. For example, the etching agent may be at least one of CuCl2, CoCl2, ZnCl2, FeCl3, NiCl2, AgCl, FeCl2, CdCl2, or the like.

[0057] In some embodiments, the halide salt may be selected from at least one of sodium chloride and potassium chloride, among others. The embodiments of the present disclosure do not limit the type of halide salt.

[0058] In some embodiments, etching the titanium silicon carbide may include: mixing the titanium silicon carbide raw material, sodium chloride, and potassium chloride in a mass ratio of 1: 5: 5, and then placing the prepared mixed solution in a salt bed; in a vacuum, increasing the temperature at a 150-200 ℃  / h heating rate in temperature. With the increase in temperature, the low melting point of sodium chloride and other salts will become liquid, and the titanium silicon carbide powder in the vacuum will gradually layer during the reaction at 1200 ℃ for 3h to generate the layered titanium silicon carbide. Subsequently, the temperature is lowered to 600℃, and FeCl2 is added. The layered titanium silicon carbide generated from the molten salt is then subjected to an etching reaction, and the reaction is carried out for 0.5h. After cooling to room temperature, excess salt is filtered out, and the material is dried under vacuum to obtain the titanium silicon carbide with a uniform laminated structure.

[0059] The embodiment of the present disclosure can effectively remove Ti, Si, and C that are not involved in the reaction by controlling the reaction temperature, the heating rate, and the reaction time in the etching treatment, ensuring that the purity of the titanium silicon carbide in the reaction product after the etching treatment is about 89%-95%, and that the titanium silicon carbide is more distinctly layered, and obtaining the titanium silicon carbide that has a uniform laminated structure.

[0060] In operation 3, the titanium silicon carbide having a laminated structure and an expanding agent are mixed to obtain a first mixture.

[0061] In some embodiments, the expansive agent may include at least one of sodium bicarbonate or n-butylamine. The present disclosure does not limit the type of expansive agent.

[0062] In some embodiments, a colloidal dispersion may be prepared by first uniformly dispersing the titanium silicon carbide having a laminated structure into a solvent, then adding sodium bicarbonate to the colloidal dispersion, stirring and then drying the colloidal dispersion including sodium bicarbonate, to obtain the first mixture. In some embodiments, the colloidal dispersion including sodium bicarbonate may be dried at a preset temperature after being stirred for a period of time to obtain the first mixture. The preset temperature is less than the decomposition temperature of the expansive agent. For example, the preset temperature may be less than 50℃when the expansive agent is sodium bicarbonate.

[0063] In some embodiments, the expansive agent is sodium bicarbonate, and mixing the titanium silicon carbide having a laminated structure and the expansive agent to obtain a first mixture includes: preparing a colloidal dispersion by dispersing the titanium silicon carbide having a laminated structure in a solvent; adding sodium bicarbonate to the colloidal dispersion, stirring, and then drying to obtain the first mixture.

[0064] In some embodiments, in order to improve the dispersing effect of the titanium silicon carbide having a laminated structure, the titanium silicon carbide having a laminated structure may be added to an appropriate amount of solvent, stirred for a period of time at a preset rotational speed, and then dispersed using ultrasonic for a period of time to obtain the titanium silicon carbide solution.

[0065] Optionally, there is a specific proportionality between the expansive agent and the titanium silicon carbide having a laminated structure. In some embodiments, the mass ratio of the expansive agent to the titanium silicon carbide having a laminated structure is 1: 1.5-1: 3. In some embodiments, the mass ratio between the expansive agent and the titanium silicon carbide having a laminated structure is 1: 2.

[0066] By adjusting the proportional relationship between the expansive agent and the titanium silicon carbide having a laminated structure, the embodiment of the present disclosure can adjust the expanding degree of the titanium silicon carbide, so that the titanium silicon carbide has different shielding properties.

[0067] As shown in FIG. 5, compared with the non-expanding Ti3SiC2 (i.e., ordinary Ti3SiC2 in FIG. 5) made without an expansive agent, the Ti3SiC2 (i.e., laminated expanded Ti3SiC2 in FIG. 5) , which is made according to the mass ratio of the expansive agent and the titanium silicon carbide having a laminated structure of 1: 2, has excellent electromagnetic wave-absorbing performance in the range of 30 MHz-18 GHz, and its shielding performance is improved by nearly 30 dB compared to the non-expanding Ti3SiC2.

[0068] In some embodiments, 10 g of the titanium silicon carbide powder having a laminated structure may be added to 150ml of a mixture of water and ethanol at a volume ratio of 3: 1, with uniform stirring at 300r / min for 3h. After that, a colloidal dispersion of the titanium silicon carbide having a laminated structure is obtained by ultrasonic dispersion for 1h; and then, 5 g of sodium bicarbonate is added, stirred uniformly at 300 r / min for 1h, and dried at ambient temperature, and after drying, a mixture of the titanium silicon carbide having a laminated structure and sodium bicarbonate is obtained.

[0069] In operation 4, the first mixture is placed in a reducing atmosphere, heated to 95℃-105℃. and held for 0.3h-1h, and then heated to 145℃. -155℃. and held for 0.5h-1.5h, to obtain the titanium silicon carbide with a laminated structure and a pore structure as shown in FIG. 4, and the titanium silicon carbide with a laminated structure and an ordered pore structure is shown in FIG. 2.

[0070] In some embodiments, operation 4 may also be: the first mixture is placed in a reducing atmosphere, heated to 95℃-100℃ and held for 0.3h-0.5h, and then heated to 145℃-150℃ and held for 0.5h-1h.

[0071] In some embodiments, operation 4 may also be: the first mixture is placed in a reducing atmosphere, ramped up to 100℃-105℃ and held for 0.5h- , and then ramped up to 150℃-155℃and held for 1h-1.5h.

[0072] In some embodiments, Operation 4 may also be: the first mixture is placed in a reducing atmosphere, ramped up to 100℃-105℃ and held for 0.3h-0.5h, and then ramped up to 150℃-155℃ and held for 0.5h-1h.

[0073] In some embodiments, Operation 4 may also be: the first mixture is placed in a reducing atmosphere, ramped up to 100℃ and held for 0.5h, and then ramped up to 150℃ and held for 1h.

[0074] In some embodiments, operation 4 may also be: the first mixture is placed in a reducing atmosphere, ramped up to 95℃ and held for 0.5h, and then ramped up to 150℃ and held for 1h.

[0075] In some embodiments, operation 4 may also be: the first mixture is placed in a reducing atmosphere, ramped up to 100℃ and held for 1h, and then ramped up to 145℃ and held for 1h.

[0076] In some embodiments, operation 4 may also be: the first mixture is placed in a reducing atmosphere, ramped up to 105℃ and held for 1h, and then ramped up to 150℃ and held for 1h.

[0077] In some embodiments, operation 4 may also be: the first mixture is placed in a reducing atmosphere, ramped up to 100℃ and held for 1h, and then ramped up to 155℃ and held for 0.5h.

[0078] In some embodiments, the reducing atmosphere may be a hydrogen atmosphere and / or a nitrogen atmosphere, etc., and the specific types of reducing atmospheres are not limited herein.

[0079] In some embodiments, in order to improve the expanding effect, the heating rate may be controlled within a certain range during the operation of heating the first mixture to 95℃-105℃ and heating the first mixture to 145℃-155℃. For example, the heating rate may be within a range greater than 2℃ / min and less than 10℃ / min.

[0080] In some embodiments, the heating rate is 2℃ / min, 4℃ / min, 5℃ / min, 6℃ / min, 8℃ / min, or 10℃ / min. In some embodiments, the heating rate is 5℃ / min.

[0081] The method of preparing the wave-absorbing material provided in the embodiments of the present disclosure controls the temperature and reaction time of the expanding process of the titanium silicon carbide with a laminated structure, as well as the holding time after the heating process, so that the titanium silicon carbide may be gradually expanded to form a laminated ordered pore structure. By controlling the temperature and reaction time of the titanium silicon carbide with a laminated structure, and the holding time after the temperature rise process, the titanium silicon carbide may be gradually expanded to form a laminated ordered pore structure, which can avoid the structure fracture caused by the rapid expansion of the titanium silicon carbide, and can maintain the morphology of the laminated ordered pore network, so as to produce the titanium silicon carbide with better wave-absorbing and thermal conductivity.

[0082] In some embodiments, the titanium silicon carbide includes a polydopamine-modified titanium silicon carbide.

[0083] In some embodiments, the method of preparing the titanium silicon carbide may further include: structurally modifying the titanium silicon carbide having a laminated structure and a pore structure based on polydopamine to obtain the polydopamine-modified titanium silicon carbide.

[0084] The embodiment of the present disclosure modifies the titanium silicon carbide by means of polydopamine, which is capable of better maintaining covalently bonding at the junction between the pore structures, so that the covalently bonding at the junction is not easily broken, and improving the stability of the junction of the pore structure of the titanium silicon carbide on the microstructure. Further use of polydopamine, as well as the high surface area of the pore structure and uniform interlayer spacing of the titanium silicon carbide, can well maintain the overall morphology and the laminated ordered pore structure of the titanium silicon carbide, and prevent the effect of other environmental adjustments such as temperature on the laminated ordered pore structure of the titanium silicon carbide in the subsequent preparation process.

[0085] In some embodiments, the dopamine may be mixed into a dispersed phase with the titanium silicon carbide having a laminated structure and a pore structure in a ratio of 1: 1-4: 1 by mass, and the polydopamine may be gradually deposited onto the surface of the titanium silicon carbide at 20 -30℃. The polydopamine is gradually deposited on the surface of the titanium silicon carbide to realize polydopamine modification of the titanium silicon carbide.

[0086] More preferably, the mass ratio of the polydopamine to the titanium silicon carbide having a laminated structure and a pore structure may be 3: 1.

[0087] In some embodiments, the titanium silicon carbide includes paraffin particles between two adjacent layers in the laminated structure of the titanium silicon carbide, and the paraffin particles have a particle size of 100 nm-300 nm.

[0088] In some embodiments, the titanium silicon carbide may be unmodified titanium silicon carbide by polydopamine or polydopamine-modified titanium silicon carbide.

[0089] In some embodiments, the size of the paraffin particles is smaller than the size of the pores of the titanium silicon carbide to allow the paraffin particles to meet the requirements for entering the pores. In some embodiments, the size of the paraffin particles may also be expressed in terms of the length, width, and height of non-spherical particles. For example, the paraffin particles may be less than or equal to 400 nm in length, and the width and height of the paraffin particles may be less than or equal to 210 nm.

[0090] In some embodiments, the paraffin particles may be spherical particles in order to improve the uniformity of the filling of the paraffin particles. In some embodiments, the paraffin particles may also be conical particles, flake particles, or columnar particles, among others. In some embodiments, when the paraffin particles are flake, "particle size" refers to the radius of the circular flake-shaped paraffin. In some embodiments, when the paraffin particles are spherical, "particle size" refers to the radius of the spherical paraffin.

[0091] In some embodiments, paraffin particles are doped between two adjacent layers in the laminated structure of the titanium silicon carbide, and then subjected to a hot-press compaction process, to obtain the titanium silicon carbide filled with paraffin particle.

[0092] In some embodiments, doping paraffin particles between two adjacent layers in a laminated structure of the titanium silicon carbide includes: heating the paraffin particles to a gel-like state; and mixing the gel-like paraffin particles with the titanium silicon carbide having a laminated structure.

[0093] During the hot-press compaction process, the gel-like paraffin sublimates and transforms into a gaseous state, filling the channels and pores of the titanium silicon carbide. As the temperature decreases, the sublimated paraffin gas solidifies on the inner walls of the pores, forming a dense paraffin layer, which enhances the structural integrity of the titanium silicon carbide and improves mechanical properties of the titanium silicon carbide.

[0094] In some embodiments, the operation of doping paraffin particles within the pores of the titanium silicon carbide having a laminated ordered pore structure and then carrying out a hot-press compaction treatment to obtain the titanium silicon carbide filled with paraffin particles may include: taking 10 g of the titanium silicon carbide having a laminated structure and a pore structure and 1-2 g of paraffin microspheres, firstly heating the paraffin microspheres to a gel-like state, after which adding the titanium silicon carbide having a laminated structure ordered pore structure, and constantly stirring, so that the paraffin microspheres enter into the interlayer pores of the expanded laminated titanium silicon carbide powder, the paraffin microspheres being melted in the interlayer of the titanium silicon carbide powder having a laminated structure and a pore structure to be modified, and finally performing hot-press compaction to obtain the titanium silicon carbide filled with paraffin particles.

[0095] More preferably, in order to improve the filling effect of the paraffin particles, a vibration treatment may be performed during the mixing of the titanium silicon carbide having a laminated structure and a pore structure and the paraffin particles.

[0096] The vibration treatment may be implemented in a variety of ways to improve the filling of paraffin particles in the laminated structure of the titanium silicon carbide. For example, a mechanical shaker or ultrasonic vibrator may be used to provide a stable frequency and amplitude that is delivered to the mixture via a vibrating platform; or a vibrating screen, or ultrasonic technology may be used to distribute the paraffin uniformly in the pore structure.

[0097] With the vibration treatment, the paraffin particles gain additional mobility in the mixture and are able to overcome obstructions in the laminated structure of the titanium silicon carbide, thus entering the pores of the material more efficiently. The vibration helps to distribute the paraffin particles uniformly within the pore structure of the titanium silicon carbide, preventing the particles from clustering in certain localized areas, and thus ensuring uniformity in overall material properties. The vibration process promotes close contact between the paraffin particles and the inner walls of the pores, which improves the material's densification and bonding strength, optimizing final properties of the titanium silicon carbide. After the vibration treatment is completed, continuing with the hot-press compaction of the material or other process steps may further improve the performance of the wave-absorbing material.

[0098] In some embodiments, doping paraffin particles between two adjacent layers in a laminated structure of the titanium silicon carbide includes: heating the paraffin particles until they are gel-like; and mixing the gel-like paraffin particles with the polydopamine-modified titanium silicon carbide.

[0099] In some embodiments, the operation of doping paraffin particles within the pores of the polydopamine-modified titanium silicon carbide, and then carrying out a hot-press compaction treatment to obtain the titanium silicon carbide filled with paraffin particles, may include: taking 10 g of the polydopamine-modified titanium silicon carbide and 1-2 g of paraffin microspheres, first heating the paraffin microspheres to a gel-like state, after which adding the titanium silicon carbide having a laminated structure ordered pore structure while constantly stirring, so that the paraffin microspheres enter into the interlayer pores of the expanded laminated titanium silicon carbide powder, the paraffin microspheres being melted to be modified in the interlayer of the titanium silicon carbide powder having a laminated structure and a pore structure, and then finally performing hot-press compaction to obtain the titanium silicon carbide filled with paraffin particles.

[0100] The embodiment of the present disclosure fills the pores of the titanium silicon carbide with thermally conductive substances such as paraffin, which may improve the thermal conductivity of the titanium silicon carbide. As shown in FIG. 6, the thermal conductivity of the titanium silicon carbide filled with paraffin particles reaches 6 W / m·K, which is nearly 30%higher than that of ordinary Ti3SiC2. Moreover, by filling paraffin particles between two adjacent layers in the laminated structure of Ti3SiC2, the pore state of Ti3SiC2 may be maintained under external pressure, preventing pore volume shrinkage during subsequent hot pressing and avoiding changes in the pore state. This preserves the laminated and ordered pore structure of Ti3SiC2, thereby better maintaining the wave-absorbing and thermal conductivity properties of the titanium silicon carbide. Additionally, after the paraffin particles are melted, the layers of the titanium silicon carbide powder with laminated and pore structures are modified by the melted paraffin particles, enabling the titanium silicon carbide with such structures to achieve a stable continuous network structure.

[0101] Embodiments of the present disclosure also provide a device including the wave-absorbing material of the present disclosure. The device may be a wave-absorbing device or a heat-dissipating device.

[0102] Optionally, the device may be a wave-absorbing film 10, and the wave-absorbing film 10 may substantially absorb electromagnetic waves at 5.8 GHz and is capable of absorbing electromagnetic waves at other frequency bands.

[0103] Optionally, the wave-absorbing membrane 10 may include a wave-absorbing shielding layer 11 made of the above described wave-absorbing material, as shown in FIG. 7.

[0104] Further, the wave-absorbing film 10 may further include two insulating layers 12, which are disposed on opposite sides of the wave-absorbing shielding layer 11 described above.

[0105] One of the insulating layers 12 may be an adhesive insulating layer and the other insulating layer 12 may be a non-adhesive insulating layer. In other embodiments, both insulating layers 12 of the wave-absorbing film 10 may be adhesive insulating layers.

[0106] Optionally, the device may be a shielding wave-absorbing film to substantially absorb electromagnetic waves at 5.8 GHz by the shielding wave-absorbing film made of the wave-absorbing material of the present disclosure and to be capable of absorbing and / or shielding electromagnetic waves at other frequency bands.

[0107] The shielding wave-absorbing film may include a mesh shielding layer and an electromagnetic wave-absorbing layer. The mesh shielding layer may include through holes used as shielding gaps, so that the mesh shielding layer may shield a portion of the electromagnetic waves, and another portion of the electromagnetic waves may pass through the gaps of the mesh shielding layer to the electromagnetic wave-absorbing layer in order to absorb the another portion of the electromagnetic waves through the electromagnetic wave-absorbing layer. The mesh shielding layer and the electromagnetic wave-absorbing layer may complement each other in absorbing the electromagnetic waves.

[0108] Optionally, the shielding and wave-absorbing performance of the shielding wave-absorbing film may be adjusted by adjusting the number of layers of the mesh shielding layer and the density of the mesh shielding layer, and the number of layers of the electromagnetic wave-absorbing layer, so as to enable the shielding wave-absorbing film to be flexibly applied in different scenarios, while more efficiently solving the EMC problems.

[0109] In some embodiments, the shielding wave-absorbing film may include at least one electromagnetic wave-absorbing layer and at least one mesh shielding layer. The mesh shielding layer includes a first surface and a second surface arranged oppositely. The mesh shielding layer comprises through holes, with the two open ends of the through holes facing the first and second surfaces of the mesh shielding layer, respectively. For example, the shielding wave-absorbing film includes at least two electromagnetic wave-absorbing layers and at least one mesh shielding layer. A mesh shielding layer is arranged between each pair of adjacent electromagnetic wave-absorbing layers, i.e., two electromagnetic wave-absorbing layers are respectively arranged on both sides of the mesh shielding layer corresponding to the first surface and the second surface of the mesh shielding layer. As another example, the shielding wave-absorbing film includes one electromagnetic wave-absorbing layer and one mesh shielding layer. The electromagnetic wave-absorbing layer is arranged on one side of the mesh shielding layer corresponding to either the first surface or the second surface of the mesh shielding layer. As yet another example, the shielding wave-absorbing film includes at least one electromagnetic wave-absorbing layer and at least two mesh shielding layers. An electromagnetic wave-absorbing layer is arranged between each pair of adjacent mesh shielding layers.

[0110] In some embodiments, the shielding wave-absorbing film may include at least one insulating layer, which may be adhesive or non-adhesive. The insulating layer may be arranged on at least one of the two opposing surfaces of the electromagnetic wave-absorbing layer and / or the mesh shielding layer.

[0111] In some embodiments, as shown in FIG. 8, the shielding wave-absorbing film 20 may include at least two electromagnetic wave-absorbing layers 21 and a mesh shielding layer 22. The mesh shielding layer 22 is provided between two adjacent electromagnetic wave-absorbing layers 21, and the two open ends of the through hole 221 of the mesh shielding layer 22 are oriented toward the two electromagnetic wave-absorbing layers 21 adjacent to the mesh shielding layer 22.

[0112] When the shielding wave-absorbing film 20 includes the aforementioned wave-absorbing material, electromagnetic waves may be repeatedly reflected within the laminated ordered pore structure. This means that when electromagnetic waves strike the wave-absorbing layer 21 made from the material with a uniform laminated ordered pore structure, some of the electromagnetic waves will be reflected back by the surface of the electromagnetic wave-absorbing layer 21, meanwhile, during the process of multiple reflections among the pore structure of the titanium silicon carbide, the electromagnetic waves may be absorbed multiple times by the wave-absorbing material, reducing the amount of electromagnetic waves entering the interior of the object. Even if some electromagnetic waves penetrate the surface of the electromagnetic wave-absorbing layer 21, they will be shielded by the mesh shielding layer 22. Furthermore, if electromagnetic waves pass through the surface of the electromagnetic wave-absorbing layer 21 and the mesh shielding layer 22, they will be repeatedly reflected within the laminated ordered pore structure of the electromagnetic wave-absorbing layer 21 situated on the other side of the mesh shielding layer 22. In this way, the alternating reflection between at least two electromagnetic wave-absorbing layers 21 made from the wave-absorbing material with a uniform laminated ordered pore structure, in conjunction with the mesh shielding layer 22, significantly increases the amount of electromagnetic wave reflection and absorption by the shielding wave-absorbing film 20. This greatly reduces the quantity of electromagnetic waves penetrating the shielding wave-absorbing film 20 and entering the interior of the object, thereby substantially enhancing the electromagnetic wave reflection and absorption effect of the shielding wave-absorbing film 20.

[0113] In some embodiments, as shown in FIG. 9, in order to prevent the mesh shielding layer 22 from causing damage to the equipment in the course of use, the mesh shielding layer 22 may be given an insulating treatment, for example, the surface of the mesh shielding layer 22 may be provided with an insulating layer 23. The insulating layer 23 is provided between the mesh shielding layer 22 and the electromagnetic wave-absorbing layer 21.

[0114] In some embodiments, considering that the electromagnetic wave-absorbing layer 21 is provided on both opposite sides of the mesh shielding layer 22, there may be no insulating layer 23 between the mesh shielding layer 22 and the electromagnetic wave-absorbing layer 21, that is, in the case where both opposite sides of the mesh shielding layer 22 are provided with the electromagnetic wave-absorbing layer 21, the mesh shielding layer 22 may not be insulated, in which the shielding wave-absorbing film 20 has better heat-dissipating performance. In this way, the mesh shielding layer 22 may be prepared in advance, and then the wave-absorbing material is spread on both sides of the mesh shielding layer 22 as the electromagnetic wave-absorbing layer 21, so that the shielding wave-absorbing film 20 with a wider frequency range of shielding wave-absorbing performance may be obtained.

[0115] In some embodiments, as shown in FIG. 9, the shielding wave-absorbing film 20 may include, in sequence, an electromagnetic wave-absorbing layer 21, a mesh shielding layer 22, an insulating layer 23, another electromagnetic wave-absorbing layer 21, and an adhesive insulating layer 24. That is, when the electromagnetic wave-absorbing layer 21 is present on both sides of the mesh shielding layer 22, the adhesive insulating layer 24 is arranged on one side of one of the electromagnetic wave-absorbing layers 21.

[0116] In some embodiments, as shown in FIG. 8, an insulating layer 23 may be provided on the side of the electromagnetic wave-absorbing layer 21 that is far away from the mesh shielding layer 22, so that the shielding wave-absorbing film 20 may be treated specially for insulation to make it possible to be applied to the circuit surface, and the insulating distance of the shielding wave-absorbing film 20 may be further strengthened so that it may be applied in the circuit board.

[0117] To facilitate the use of the shielding wave-absorbing film 20, the insulating layer 23 may be adhesive, such as an acrylic insulating layer, or a rubber insulating layer.

[0118] In some embodiments, the shielding wave-absorbing film 20 may include an electromagnetic wave-absorbing layer 21 and a mesh shielding layer 22, as shown in FIG. 10.

[0119] In order to prevent the mesh shielding layer 22 from causing damage to the device during use, the mesh shielding layer 22 and / or the electromagnetic wave-absorbing layer 21 may be insulated.

[0120] In some embodiments, the shielding wave-absorbing film 20 may include a mesh shielding layer 22, an insulating layer 23, an electromagnetic wave-absorbing layer 21, and an adhesive insulating layer 24 in sequence, as illustrated in FIG. 10.

[0121] In another specific example, the shielding wave-absorbing film 20 may include a non-adhesive insulating layer 25, an electromagnetic wave-absorbing layer 21, a mesh shielding layer 22, and an adhesive insulating layer 24 in sequence, as shown in FIG. 11.

[0122] In the shielding wave-absorbing film 20, an electromagnetic wave-absorbing layer 21 of the shielding wave-absorbing film 20 may be made by the wave-absorbing material of the present disclosure.

[0123] For the electromagnetic wave-absorbing layer 21, there is no limitation on the method of making the electromagnetic wave-absorbing layer 21 by means of the wave-absorbing material.

[0124] For example, the electromagnetic wave-absorbing layer 21 may be made by dry pressing, for example, an appropriate amount of wave-absorbing material may be directly pressed to form the electromagnetic wave-absorbing layer 21.

[0125] For the electromagnetic wave-absorbing layer 21, there is no limitation on the method of making the electromagnetic wave-absorbing layer 21 by means of the wave-absorbing material.

[0126] For example, the electromagnetic wave-absorbing layer 21 may be made by a printing method such as screen printing, for example, an appropriate amount of a wave-absorbing material may be made into a solution form, and then the wave-absorbing material solution may be printed onto the surface of the mesh shielding layer 22 by a printing method such as screen printing, followed by curing the solution of the wave-absorbing material printed on the surface of the mesh shielding layer 22.

[0127] For the mesh shielding layer 22, the mesh shielding layer 22 may include at least one of a metal shield, a ferrite shield, or the like.

[0128] The metal shield may be a braided mesh of metal wires, for example, the mesh shielding layer 22 may be made of automated braiding of metal wires.

[0129] The material of the metal wire may be iron, copper, aluminum and other materials.

[0130] The wire diameter of the metal wire is not limited and may be determined based on a combination of factors such as the cost of the shielding wave-absorbing film 20 and the shielding performance. More preferably, the wire diameter of the metal wire may be 0.05 mm-0.20 mm. Furthermore, the wire diameter of the metal wire may be 0.10 mm.

[0131] In other embodiments, the metal shielding layer may also be obtained by perforating the non-porous metal layer.

[0132] In order to be applicable to actual application environments and to satisfy shielding performance requirements in different environments, the shielding performance of the mesh shielding layer 22 is adjusted by adjusting the number of layers of the mesh shielding layer 22 and the dimensions of the through hole 221, so that the cost of the material may be minimized and the unnecessary material consumption may be minimized.

[0133] The size of the through hole 221 may be negatively correlated with the shielding waveband of the shielding wave-absorbing film 20. The shielding wave-absorbing film 20 has a high shielding wave band, and the size of the through hole 221 may be set smaller.

[0134] The shape of the through hole 221 is not limited and may be, e.g., square or triangular or honeycomb.

[0135] Alternatively, the above-described device may also be a device for wave-absorbing and heat-dissipating to be made into a device for wave-absorbing and heat-dissipating by compositing wave-absorbing and heat-dissipating materials of the present disclosure, which enables the device to have a better wave-absorbing effect and a better heat-dissipating effect at the same time.

[0136] In an embodiment, as shown in FIG. 12, the device for wave-absorbing and heat-dissipating 30 may include a wave-absorbing member 31 and a heat-dissipating member 32 embedded in the wave-absorbing member 31. The wave-absorbing member 31 completely encapsulates the heat-dissipating member 32. This arrangement allows the wave-absorbing member 31 to cooperate with the heat-dissipating member 32 by means of embedding and complementary filling. As a result, the device for wave-absorbing and heat-dissipating 30 possesses both excellent wave-absorbing performance and heat-dissipating performance. It may be applied to electronic equipment with high heat-dissipating requirements, improving the heat-dissipating performance and inhibiting electromagnetic interference. Furthermore, it serves as a means to isolate the crosstalk between signals and prevent the spatial coupling of inductive devices. This addresses the issue of incompatibility between wave-absorbing parts and heat-dissipating parts, significantly reducing the space needed, and leading to advances in the integration and miniaturization of electronic devices.

[0137] The present disclosure does not limit the selection of the heat-dissipating member 32, which may be a heat-dissipating pad, a sheet metal member, a thermally conductive silicone gel-like substance, a thermally conductive silicone ester, or the like. When the heat-dissipating member 32 is preferably a heat-dissipating pad, a thermally conductive silicone gel-like substance, a thermally conductive silicone ester, or the like, the wave-absorbing heat-dissipating member 32 obtained by cooperating with the wave-absorbing member 31 has excellent flexibility, as well as ductility or the like.

[0138] Optionally, the heat-dissipating member 32 is obtained by preparing a heat-dissipating material.

[0139] The process of preparing the heat-dissipating material may be as follows. The thermally conductive raw materials are provided, which include a thermally conductive powder. The thermally conductive powder may include a mixture of one or more of the following: alumina, aluminum, zinc oxide, aluminum hydroxide, magnesium hydroxide, boron nitride, ceramics, etc., with a particle size of 0.1 μm-100 μm. In some embodiments, when the thermally conductive raw materials are selected from any four of alumina, aluminum, zinc oxide, aluminum hydroxide, magnesium hydroxide, boron nitride, and ceramics, the preferred mass ratio is 1: 1: 1: 1. In some embodiments, it is also possible to increase the proportion of any one component in the thermally conductive raw materials to further enhance the heat-dissipating ability. The present disclosure does not limit the selection and proportioning of the thermally conductive raw materials.

[0140] In some embodiments, the selected thermally conductive raw materials may be dissolved in water. In some embodiments, the mass ratio of water to thermally conductive raw materials may be 1: 1. An appropriate amount of solidifying agent vinyl silicone oil and hydrogen-containing silicone oil are added to the dissolved thermally conductive raw material, and stirring is performed under a vacuum of 80 kPa-90 kPa at a temperature between 50℃-150℃ for 1h-2.0h, with a rotational speed of 75 rpm-100 rpm. Then, stirring is continued for an additional period of 3h-4h. Finally, the mixture is placed in a prepared mold and cooled to obtain the heat-dissipating material.

[0141] In some embodiments, the process of preparing a heat-dissipating member 32 by means of a heat-dissipating material may include: mixing a heat-dissipating material with a raw rubber and obtaining the heat-dissipating member 32 by mixing, plastifying, pressing, and molding processes.

[0142] In some embodiments, the raw rubber may be smelted. The raw rubber may be softened at a temperature of 70℃–80℃, and then cut and broken into small pieces. Then, it is heated in an antioxidant container to a temperature of 80–90℃ to obtain a gel-like substance. The wave-absorbing material is added to water to prepare a gel-like mixture, which is then uniformly stirred into the raw rubber at a stirring speed of 500 r / min. The mass ratio of the wave-absorbing material to the raw rubber is 1: 1 to 4: 1. A compounding agent, which may be paraffin, is added to the gel-like heat dissipation material in the raw rubber to obtain a mixture of gel-like wave-absorbing material. Optionally, the content of the compounding agent can account for one-fifth to one-third of the total weight of the gel-like wave-absorbing material mixture.

[0143] The wave-absorbing member 31 of this embodiment may be made from the wave-absorbing material described above.

[0144] In some embodiments, after making the heat-dissipating member 32, the heat-dissipating member 32 may be laid flat in a mold, after which the mixture of gel-like wave-absorbing material is added to the mold and pressed together so as to completely cover the heat-dissipating member 32, and after which the heat-dissipating member 32 is cooled at room temperature to obtain the embedded device for wave-absorbing and heat-dissipating 30.

[0145] The mixture of the gel-like wave-absorbing material described above may be obtained by mixing, blending, and molding the wave-absorbing material and the raw rubber.

[0146] Optionally, the raw rubber may be melted, and the raw rubber may be softened at a temperature of 70-80℃, and then cut and broken into small pieces. Then, it is heated in an antioxidant container to a temperature of 80–90℃ to obtain a gel-like substance. The wave-absorbing material is added to water to prepare a gel-like mixture, which is then uniformly stirred into the raw rubber at a stirring speed of 500 r / min. The mass ratio of the wave-absorbing material to the raw rubber is 1: 1 to 5: 1. A compounding agent, which may be paraffin, is added to the gel-like heat dissipation material in the raw rubber to obtain a mixture of gel-like wave-absorbing material. Optionally, the content of the compounding agent can account for one-fifth to one-third of the total weight of the gel-like wave-absorbing material mixture.

[0147] In some embodiments, as shown in FIG. 13, the device for wave-absorbing and heat-dissipating 30 may include a heat-dissipating member 32 and a wave-absorbing member 31 embedded in the heat-dissipating member 32, i.e., the heat-dissipating member 32 completely wraps around the wave-absorbing member 31, which device for wave-absorbing and heat-dissipating 30 may be applied in an environment with low requirements for heat-dissipating.

[0148] The preparation process of the wave-absorbing member 31 and the heat-dissipating member 32 may be as shown in the above embodiments, and will not be described herein.

[0149] In some embodiments, the wave-absorbing member 31 may be prepared in a honeycomb shape.

[0150] The above embodiment mixes a raw rubber with elasticity and a wave-absorbing material or heat-dissipating material, which enhances the ductility and flexibility of the material, and at the same time enhances the structural stability of the device for wave-absorbing and heat-dissipating 30.

[0151] A schematic diagram of the insertion loss curves of the device for wave-absorbing and heat-dissipating 30 of the above two embodiments is shown in FIG. 14. As shown in FIG. 14, the device for wave-absorbing and heat-dissipating 30 of the above two embodiments has an insertion loss of 21 dB to 27 dB at 30 Mhz-18 Ghz, i.e., it has a relatively good wave-absorbing performance.

[0152] In other embodiment scenarios, the devices described above may also be wave-absorbing cables.

[0153] In an embodiment, a wave-absorbing cable may be obtained by making a wave-absorbing layer from the wave-absorbing material described above and wrapping the wave-absorbing layer around a wire core.

[0154] In some embodiments, the wave-absorbing material described above may be mixed with the cable raw material, and the wave-absorbing cable may be made directly from the mixed raw material.

[0155] As shown in FIG. 17, an embodiment of the present disclosure provides a device for wave-absorbing and heat-dissipating 40. The device for wave-absorbing and heat-dissipating 40 includes a wave-absorbing layer 41 and a heat-dissipating layer 42. The raw materials for preparing the wave-absorbing layer 41 include a first wave-absorbing material and a heat-dissipating material; the first wave-absorbing material and the first heat-dissipating material in the wave-absorbing layer 41 have a first mass ratio of greater than 1; the heat-dissipating layer 42 is adjacent to the wave-absorbing layer 41, and the raw materials for preparing the heat-dissipating layer 42 include a second wave-absorbing material and a second heat-dissipating material; the second mass ratio of the second wave-absorbing material and the second heat-dissipating material in the heat-dissipating layer 42 is less than 1.

[0156] The wave-absorbing material refers to a material that absorbs or significantly attenuates the electromagnetic wave energy received on its surface, thereby reducing electromagnetic wave interference. The wave-absorbing materials used herein may be used in the wave-absorbing layer 41 and the heat-dissipating layer 42, which serve to reduce the interference of electromagnetic waves with the surrounding environment by absorbing and dissipating the electromagnetic wave energy. The wave-absorbing material may include carbon black, conductive polymers (e.g., polyaniline) , ferrite materials (e.g., manganese-zinc ferrite) , and others. The first wave-absorbing material and the second wave-absorbing material may be the same or different, depending on the application requirements.

[0157] Preferably, the wave-absorbing material is the titanium silicon carbide with a laminated ordered pore structure as described hereinabove, and due to its special expanded structure, the wave-absorbing material has good heat-dissipating and wave-absorbing properties, which makes the device for wave-absorbing and heat-dissipating 40 capable of having superior heat-dissipating and wave-absorbing properties. This makes the device for wave-absorbing and heat-dissipating 40 have more excellent heat-dissipating and wave-absorbing performance. The laminated ordered pore structure of the titanium silicon carbide means that the titanium silicon carbide will undergo a layering process (e.g., an etching treatment) to form a laminated structure, and wherein a plurality of channels (i.e., pores) are formed between two adjacent layers in the laminated structure of the titanium silicon carbide. Electromagnetic waves may be reflected and absorbed many times inside the laminated ordered pore structure, so that when the electromagnetic waves penetrate the device for wave-absorbing and heat-dissipating 40 made of the titanium silicon carbide through the uniformly laminated ordered pore structure, part of the electromagnetic waves are reflected and / or absorbed by the device for wave-absorbing and heat-dissipating 40, thereby reducing the amount of electromagnetic waves radiated outwardly through the device for wave-absorbing and heat-dissipating 40, i.e., substantially improving the effect of reflection and absorption of electromagnetic waves by the device for wave-absorbing and heat-dissipating 40. The Ti3SiC2 has both metal properties, good thermal and electrical conductivity at room temperature, relatively low Vickers hardness and high elastic modulus. The Ti3SiC2 has ductility at room temperature, and may be processed like metal, exhibiting plasticity at high temperatures. At the same time, the Ti3SiC2 has the performance of ceramic materials, high yield strength, high melting point, high thermal stability and good oxidation resistance, can maintain high strength at high temperatures, so that the application of the titanium silicon carbide has better heat-dissipating performance and wave-absorbing performance, and for different frequency bands has a good electromagnetic absorption shielding effect, which makes the Ti3SiC2 has an excellent electromagnetic wave-absorbing performance in the 30Mhz-18Ghz. The Ti3SiC2 with a laminated ordered pore structure exhibits an improved wave absorption performance of nearly 30 dB compared to conventional Ti3SiC2.

[0158] The heat-dissipating materials refer to materials that have good thermal conductivity and may effectively conduct and dissipate heat. The heat-dissipating material is used in the wave-absorbing layer 41 and the heat-dissipating layer 42, and its main function is to discharge the heat generated due to the absorption of the electromagnetic wave in a timely manner by means of the process of heat conduction and heat-dissipating, so as to prevent the material from overheating and affecting its performance. The heat-dissipating material may include aluminum, copper, graphite, or the like. The first heat-dissipating material and the second heat-dissipating material may likewise be the same or different, selected based on the material's heat transfer needs. This application does not limit the selection of the heat-dissipating material.

[0159] In some embodiment, the above-described heat-dissipating material may include 15wt%-20wt%vinyl silicone oil, 0.5wt%-1.9wt%hydrogen-containing silicone oil, 0.01wt%-0.55wt%catalyst, 0.2wt%-0.51wt%inhibitor, and / or 50wt%-80wt%thermally conductive powder.

[0160] Optionally, the catalyst includes one of chloroplatinic acid, chloroplatinic acid-isopropanol complex, or chloroplatinic acid-divinyltetramethyldisiloxane complex.

[0161] The inhibitors include one or more of ethynyl cyclohexanol, 2-phenyl-3-butyn-2-ol, 2-methyl-3-butynyl-2-ol, 3-methyl-1-ethynyl-3-ol, 3, 5-dimethyl-1-ethynyl-3-ol, 3-methyl-1-dodecynyl-3-ol.

[0162] The viscosity of the hydrogen-containing silicone oil may be 5 mm2 / S-500 mm2 / S. The hydrogen content of the hydrogen-containing silicone oil may be 0.01%-1.2%.

[0163] The viscosity of the vinyl silicone oil may be 60mm2 / S-160mm2 / S. The vinyl content of the vinyl silicone oil may be 0.2%-3.5%.

[0164] The thermally conductive powder may include a mixture of one or more of alumina, aluminum, zinc oxide, aluminum hydroxide, magnesium hydroxide, boron nitride, ceramics, or the like. The thermally conductive powder may have a particle size of 0.1 μm-100 μm.

[0165] In some embodiments, the heat-dissipating material described above may be a metallic heat-dissipating material, which may be, for example, one or more of silver, copper, and aluminum, among others.

[0166] The relative proportions of the wave-absorbing material and the heat-dissipating material (the first mass ratio and the second mass ratio) determine the overall performance of the device for wave-absorbing and heat-dissipating, in which the wave-absorbing material in the wave-absorbing layer has a higher ratio to enhance the wave-absorbing effect, and the heat-dissipating material in the heat-dissipating layer has a higher ratio to enhance the heat-dissipating effect.

[0167] In the embodiments described in the present disclosure, the wave-absorbing layer 41 and the heat-dissipating layer 42 of the device for wave-absorbing and heat-dissipating 40 are both made from wave-absorbing and heat-dissipating materials. This means that the wave-absorbing and heat-dissipating functions of the device for wave-absorbing and heat-dissipating 40 are not separate, allowing it to enhance heat dissipation while suppressing electromagnetic wave interference. Furthermore, the mass ratio of wave-absorbing material to heat-dissipating material in the wave-absorbing layer 41 is greater than the mass ratio in the heat-dissipating layer 42. In other words, the amount of wave-absorbing material in wave-absorbing layer 41 exceeds that in heat-dissipating layer 42. This relatively increases the percentage of wave-absorbing material in wave-absorbing layer 41 and the percentage of heat-dissipating material in heat-dissipating layer 42. Consequently, the wave-absorbing performance of wave-absorbing layer 41 is stronger than that of heat-dissipating layer 42. When the device for wave-absorbing and heat-dissipating 40 is configured such that the wave-absorbing layer 41 has a larger contact area with heat-generating devices, its wave-absorbing performance can be enhanced. Similarly, the heat-dissipating performance of heat-dissipating layer 42 is better than that of wave-absorbing layer 41, fully leveraging the heat-dissipating capabilities of heat-dissipating layer 42. This design enables the device for wave-absorbing and heat-dissipating 40 to fully achieve both wave-absorbing and heat-dissipating performance. By controlling the mass ratio of fillers at various locations on the device for wave-absorbing and heat-dissipating 40, it can be tailored to meet specific heat dissipation and wave-absorbing requirements at different positions. It can be applied to electronic devices with high heat dissipation needs to improve cooling efficiency and suppress electromagnetic interference. Additionally, the structure of the device for wave-absorbing and heat-dissipating 40 is relatively simple, requiring no excessively complex design, thereby reducing production costs and occupying less space.

[0168] In some embodiments, in the state of use of the device for wave-absorbing and heat-dissipating 40, the contact area of the wave-absorbing layer 41 in the heat-generating device / electromagnetic wave emitting device may be larger than the projected area of the heat-dissipating layer 42 or the heat-generating device / electromagnetic wave emitting device, which enables the play of a feature of the wave-absorbing layer 41 being larger in the contact area of the heat-generating device / electromagnetic wave emitting device. The larger projection area of the wave-absorbing layer 41 in the heat-generating device makes it possible to increase the shielding range of the device for wave-absorbing and heat-dissipating 40 for the electromagnetic waves emitted by the electromagnetic wave emitter member, and by relatively increasing the proportion of the amount of wave-absorbing material in the wave-absorbing layer 41, the device for wave-absorbing and heat-dissipating 40 is able to provide a larger range of highly efficient shielding for the electromagnetic waves emitted by the electromagnetic wave emitter member. In addition, the addition of wave-absorbing materials is also carried out in the heat-dissipating layer 42, which has a relatively small projected area in relation to the electromagnetic wave emitting device, so that the heat-dissipating layer 42 can also utilize the wave-absorbing materials incorporated in the heat-dissipating layer 42 to shield and absorb the electromagnetic waves in the space around the heat-dissipating layer 42, so that the wave-absorbing effect of the device for wave-absorbing and heat-dissipating 40 of the present disclosure is relatively high. Optionally, the wave-absorbing layer 41 may be a wave-absorbing substrate, as shown in FIG. 18.

[0169] In addition, the surface area of the heat-dissipating layer 42 of the present disclosure is relatively large, for example, as shown in FIG. 18, the heat-dissipating layer 42 is a plurality of heat-dissipating fins or a plurality of heat-dissipating columns connected to the wave-absorbing layer 41, so that by relatively increasing the proportion of the amount of the heat-dissipating material in the heat-dissipating layer 42, the device for wave-absorbing and heat-dissipating 40 may fully dissipate heat using the relatively large surface area feature of the heat-dissipating layer 42 and may also dissipate heat through the wave-absorbing layer 41. By relatively increasing the proportion of the amount of heat-dissipating material in the heat-dissipating layer 42, the device for wave-absorbing and heat-dissipating 40 is able to fully dissipate heat by utilizing the relatively large surface area of the heat-dissipating layer 42, and also dissipate heat through the wave-absorbing layer 41, and in the case where the wave-absorbing layer 41 is in contact with the heat-generating device, it is possible to use the wave-absorbing layer 41 to transfer the heat of the heat-generating device to the heat-dissipating layer 42 and rapidly dissipate heat by using the heat-dissipating layer 42, and thereby the device for wave-absorbing and heat-dissipating 40 of this application the heat-dissipating effect of the device for wave-absorbing and heat-dissipating 40 of the present disclosure being also relatively high.

[0170] It may be understood that the structure of the device for wave-absorbing and heat-dissipating 40 is not limited to the structure shown in FIG. 18, and its structure depends on the actual application requirements, and it is sufficient to include the above-described interconnecting wave-absorbing layer 41 and the heat-dissipating layer 42, and it is not specifically limited herein.

[0171] For the wave-absorbing layer 41, the amount of wave-absorbing material in the raw material thereof is greater than the amount of heat-dissipating material, i.e., a relatively large amount of wave-absorbing material and a relatively small amount of heat-dissipating material are used to prepare the wave-absorbing layer 41, so that the wave-absorbing properties of the wave-absorbing layer 41 are relatively high. The wave-absorbing performance of the wave-absorbing layer 41 may be fully utilized in the case where the wave-absorbing layer 41 has a large contact area with the heat-generating device / electromagnetic wave emitting device.

[0172] In some embodiments, the first mass ratio may be 3: 1-5: 1, i.e., the mass ratio of the first wave-absorbing material to the first heat-dissipating material in the raw material for preparing the wave-absorbing layer 41 is 3: 1-5: 1.

[0173] For the heat-dissipating layer 42, the amount of the wave-absorbing material in the raw material is less than the amount of the heat-dissipating material, i.e., a relatively small amount of the wave-absorbing material and a relatively large amount of the heat-dissipating material are used to prepare the heat-dissipating layer 42, so as to enable the heat-dissipating layer 42 to have a relatively high heat-dissipating property, and so as to be able to fully dissipate heat by means of a larger surface area. The heat-dissipating layer 42 has a relatively high heat-dissipating performance, so that heat-dissipating may be fully dissipated through the heat-dissipating layer 42 with a large surface area, i.e., the heat-dissipating performance of the heat-dissipating layer 42 is fully utilized.

[0174] In some embodiments, the second mass ratio may be 1: 3-1: 5, i.e., the mass ratio of the second wave-absorbing material to the second heat-dissipating material in the raw material for preparing the heat-dissipating layer 42 is 1: 3-1: 5.

[0175] In some embodiments, the first mass ratio may be 3: 1 and the second mass ratio may be 1: 3.

[0176] In some embodiments of the present disclosure, the first mass ratio may be 4: 1 and the second mass ratio may be 1: 4.

[0177] In some embodiments of the present disclosure, the first mass ratio may be 5: 1 and the second mass ratio may be 1: 5.

[0178] Optionally, the proportion of the total amount of the first wave-absorbing material and the first heat-dissipating material in the wave-absorbing layer 41 may be approximately equal to the proportion of the total amount of the second wave-absorbing material and the second heat-dissipating material in the heat-dissipating layer 42, which may be about 80wt%-95wt%.

[0179] In some embodiments of the present disclosure, the wave-absorbing layer 41 described above may be formed by curing a mixture of a first wave-absorbing material, a first heat-dissipating material, and a solidifying agent, and the heat-dissipating layer 42 may also be formed by curing a mixture of a second wave-absorbing material, a second heat-dissipating material, and a solidifying agent. In this way, during the preparation of the wave-absorbing layer 41 and the heat-dissipating layer 42, the wave-absorbing material and the heat-dissipating material are bonded to each other by the solidifying agent, so as to make the resulting device less likely to crack.

[0180] The mass percentage of the solidifying agent in the raw material for the preparation of the wave-absorbing layer 41 may be substantially equal to the mass percentage of the solidifying agent in the raw material for the preparation of the heat-dissipating layer 42, which may be about 0.5 to 8 wt%.

[0181] In order to mix the wave-absorbing material and the heat-dissipating material, it is necessary to overcome the feature of the wave-absorbing material which is fragile, and at the same time, it is necessary to ensure that the heat-dissipating material and the wave-absorbing material are synergistic in the wave-absorbing and heat-dissipating process. It is possible to make a selection of a composition and a ratio of the solidifying agent, as the formula of the solidifying agent will affect the final wave-absorbing heat-dissipating effect of the device for wave-absorbing and heat-dissipating 40.

[0182] In some embodiments of the present disclosure, the solidifying agent may be a mixture of phenolic resin, amino resin, and water in a mass ratio of (0.8-1.1) : (0.9-1.3) : (0.4-1) . More preferably, the solidifying agent is a mixture of a phenolic resin, an amino resin, and water in a mass ratio of 1.0: 1.0: 0.5.

[0183] In some embodiments of the present disclosure, the heat-dissipating layer 42 may include a first heat-dissipating body prepared from a first heat-dissipating material and a first wave-absorbing coating wrapped around the outer surface of the heat-dissipating body, wherein the first wave-absorbing coating is formed by curing and molding a wave-absorbing material, which enhances the heat-dissipating performance of the heat-dissipating layer 42, thereby allowing the device for wave-absorbing and heat-dissipating 40 including the heat-dissipating layer 42 to be applied to environments with higher requirements for heat-dissipating. In order to facilitate the molding of the first heat-dissipating body and the first wave-absorbing coating, the raw material for preparing the first heat-dissipating body and / or the first wave-absorbing coating may include a solidifying agent. For example, the solidifying agent described above may be used as the solidifying agent, meaning that the first heat-dissipating body may be obtained by mixing the heat-dissipating material and the solidifying agent and curing the resulting mixture. Then, the outer surface of the first heat-dissipating body may be coated with the product of mixing the wave-absorbing material and the solidifying agent, and the first wave-absorbing coating may be obtained by solidifying the coating layer on the outer surface of the first heat-dissipating body. In this embodiment of the present disclosure, the mass ratio of the wave-absorbing material to the heat-dissipating material in the heat-dissipating layer 42 may be controlled by controlling the thickness of the first wave-absorbing coating. Alternatively, the wave-absorbing layer 41 may also include a second wave-absorbing body prepared from the heat-dissipating material and a second wave-absorbing coating wrapped around the outer surface of the second wave-absorbing body, wherein the second wave-absorbing coating is formed by curing and molding a wave-absorbing material. Correspondingly, a mass ratio of the wave-absorbing material to the heat-dissipating material in the wave-absorbing layer 41 may also be controlled by controlling the thickness of the second wave-absorbing coating. The preparation of the second heat-dissipating body and the second wave-absorbing coating is similar to that of the first heat-dissipating body and the first wave-absorbing coating.

[0184] Optionally, in order to prevent cracking, a heat-dissipating coating may be coated on the outer surface of the main body constituted by connecting the wave-absorbing layer 41 and the heat-dissipating layer 42. In this case, the device for wave-absorbing and heat-dissipating 40 includes a main body and a heat-dissipating coating encased on the outer surface of the main body, which may further enhance the heat-dissipating performance of the device for wave-absorbing and heat-dissipating 40 and reduce the likelihood of cracking, thus improving the reliability of the device for wave-absorbing and heat-dissipating 40.

[0185] The raw material for preparing the heat-dissipating coating may include the heat-dissipating material discussed above (e.g., the first heat-dissipating material and / or the second heat-dissipating material) .

[0186] Further, in order to improve the thermal conductivity of the heat-dissipating coating, the raw material for the preparation of the heat-dissipating coating may include, in addition to the heat-dissipating material, additionally added aluminum nitride.

[0187] In order to facilitate the preparation of the heat-dissipating coating, the raw material for the preparation of the heat-dissipating coating may further include a solidifying agent to bond the aluminum nitride and the heat-dissipating material with each other through the solidifying agent, thus facilitating the curing of the heat-dissipating coating. Optionally, the solidifying agent in the heat-dissipating coating may be the solidifying agent described above, so that the heat-dissipating coating may be a mixed solution of the heat-dissipating material, aluminum nitride, and the solidifying agent that has been solidified and molded.

[0188] The above-described process of preparing a device for wave-absorbing and heat-dissipating 40 may be as follows: providing a third mixture, the third mixture including a first heat-dissipating material and a first wave-absorbing material, the first mass ratio of the first wave-absorbing material to the first heat-dissipating material being greater than 1; preparing a wave-absorbing layer 41 based on the third mixture; preparing the heat-dissipating layer 42 on the wave-absorbing layer 41 to obtain the device for wave-absorbing and heat-dissipating 40, with the second mass ratio of the second wave-absorbing material and the second heat-dissipating material in the heat-dissipating layer 42 being less than 1.

[0189] In order to increase the strength of the connection between the wave-absorbing layer 41 and the heat-dissipating layer 42, an adhesive layer may be provided between the wave-absorbing layer 41 and the heat-dissipating layer 42 to connect the wave-absorbing layer 41 and the heat-dissipating layer 42 through the adhesive layer, thereby preventing the device for wave-absorbing and heat-dissipating 40 from disconnecting between the wave-absorbing layer 41 and the heat-dissipating layer 42 during use, thus improving the reliability of the device for wave-absorbing and heat-dissipating 40.

[0190] According to some embodiments of the present disclosure, a device for wave-absorbing and heat-dissipating 40 may be obtained by coating a surface of the wave-absorbing layer 41 with a solidifying agent after the wave-absorbing layer 41 has been prepared, and then preparing a heat-dissipating layer 42 on the surface of the wave-absorbing layer 41 coated with the solidifying agent. The solidifying agent coated between the heat-dissipating layer 42 and the wave-absorbing layer 41 of the device for wave-absorbing and heat-dissipating 40 becomes an adhesive layer.

[0191] In some embodiments, after preparing the heat-dissipating layer 42, operations of coating a surface of the heat-dissipating layer 42 with a solidifying agent, and then preparing the wave-absorbing layer 41 on the surface of the heat-dissipating layer 42 coated with the solidifying agent are performed to obtain the device for wave-absorbing and heat-dissipating 40. The solidifying agent coated between the heat-dissipating layer 42 and the wave-absorbing layer 41 of device for wave-absorbing and heat-dissipating 40 also becomes an adhesive layer.

[0192] In some embodiments, after preparing the wave-absorbing layer 41 and the heat-dissipating layer 42, operations of coating the wave-absorbing layer 41 with a solidifying agent, and then providing the heat-dissipating layer 42 to the surface of the wave-absorbing layer 41 coated with the solidifying agent are performed in order to obtain the device for wave-absorbing and heat-dissipating 40. In this case, the solidifying agent coated between the heat-dissipating layer 42 and the wave-absorbing layer 41 of the device for wave-absorbing and heat-dissipating 40 is solidified to form an adhesive layer.

[0193] In some embodiments, after preparing the wave-absorbing layer 41 and the heat-dissipating layer 42, operations of coating the heat-dissipating layer 42 with a solidifying agent, and then providing the wave-absorbing layer 41 to the surface on which the heat-dissipating layer 42 is coated with the solidifying agent are performed in order to obtain the device for wave-absorbing and heat-dissipating 40. In this case, the solidifying agent coated between the heat-dissipating layer 42 and the wave-absorbing layer 41 of the device for wave-absorbing and heat-dissipating 40 is solidified to form an adhesive layer.

[0194] The coating method of the above-described solidifying agent may be spraying or printing, etc., and is not specifically limited herein.

[0195] The solidifying agent described above may be a viscous substance such as a resin viscous substance or a rubber viscous substance, and is not specifically limited herein.

[0196] In the above embodiment, the wave-absorbing layer 41 and / or the heat-dissipating layer 42 may be made by an injection molding process. For example, the wave-absorbing layer 41 may be obtained by first adding the third mixture to the mold of the wave-absorbing layer 41 and waiting for the third mixture to solidify and form in the mold; then coating the surface of the wave-absorbing layer 41 with the solidifying agent; then adding the fourth mixture to the mold of the heat-dissipating layer 42, and waiting for the fourth mixture to solidify in the mold to obtain the heat-dissipating layer 42, thereby obtaining the device for wave-absorbing and heat-dissipating 40, wherein the fourth mixture is a mixture of second heat-dissipating material and second wave-absorbing material. In this example, after the solidifying agent is coated on the surface of the wave-absorbing layer 41, the surface of the wave-absorbing layer 41 coated with the solidifying agent may be aligned to the opening of the mold of the heat-dissipating layer 42 so that the surface of the wave-absorbing layer 41 coated with the solidifying agent may be in contact with the fourth mixture, and then the fourth mixture and the solidifying agent are solidified to obtain the device for wave-absorbing and heat-dissipating 40.

[0197] As another example, the third mixture may be added to the mold of the wave-absorbing layer 41 first, and the third mixture is solidified and molded in the mold to obtain the wave-absorbing layer 41; then the surface of the second wave-absorbing layer 41 is coated with the solidifying agent; and next, the heat-dissipating material may be added to the heat-dissipating layer 42 in the mold; and the heat-dissipating material is solidified in the mold to obtain a first heat-dissipating body, followed by coating a wave-absorbing material on an outer surface of the first heat-dissipating body to obtain the device for wave-absorbing and heat-dissipating 40. In this example, the surface of the second wave-absorbing layer 41 coated with the solidifying agent may be aligned to the mold opening of the heat-dissipating layer 42 so that the surface of the second wave-absorbing layer 41 coated with the solidifying agent may be in contact with the second heat-dissipating material, and then the heat-dissipating material and the solidifying agent are solidified. The solidifying agent may be added to the second heat-dissipating material and mixed before adding the heat-dissipating material to the mold of the heat-dissipating layer 42, and then the second heat-dissipating material with the solidifying agent may be added to the mold of the heat-dissipating layer 42. The second heat-dissipating material may be a metal heat-dissipating material, such as aluminum, etc. ; or it may be a heat-dissipating material as described above. In addition, the wave-absorbing material and the solidifying agent may also be mixed before applying the second wave-absorbing material to the outer surface of the frist heat-dissipating body, and then the second wave-absorbing material added with the solidifying agent is applied to the outer surface of the frist heat-dissipating body. The solidifying agent described above may be a resin viscous substance or a rubber-like viscous substance, etc., and is not specifically limited herein.

[0198] In other embodiments, the wave-absorbing layer 41 and / or the heat-dissipating layer 42 may also be made by an extrusion molding process.

[0199] In some embodiments, preparing a heat-dissipating layer on the wave-absorbing layer to obtain a device for wave-absorbing and heat-dissipating may include: preparing a fourth mixture, the fourth mixture encompassing the second heat-dissipating material and the second wave-absorbing material; and preparing a heat-dissipating layer on the wave-absorbing layer using the fourth mixture.

[0200] In some embodiments, preparing a heat-dissipating layer on a wave-absorbing layer to obtain a device for wave-absorbing and heat-dissipating may include: preparing a frist heat-dissipating body with a second wave-absorbing material on the wave-absorbing layer, coating a first wave-absorbing coating on an outer surface of the frist heat-dissipating body, to prepare the heat-dissipating layer on the wave-absorbing layer, wherein the heat-dissipating layer includes a frist heat-dissipating body and a first wave-absorbing coating coated on the outer surface of the frist heat-dissipating body, and the first wave-absorbing coating includes the second wave-absorbing material.

[0201] In some embodiments, the device for wave-absorbing and heat-dissipating 40 may include a wave-absorbing main body and a heat-dissipating coating encapsulated on an outer surface of the main body, and the main body includes the wave-absorbing layer 41 and a heat-dissipating layer 42.

[0202] After preparing the main body including the heat-dissipating layer 42 and the wave-absorbing layer 41 in the present illustrative embodiment, a heat-dissipating coating may be applied to the outer surface of the main body to further enhance the heat-dissipating performance, and to reduce the likelihood of the device for wave-absorbing and heat-dissipating 40 cracking in order to enhance the device for wave-absorbing and heat-dissipating 40 reliability.

[0203] The raw material for the preparation of the heat-dissipating coating may include the heat-dissipating material described above (e.g., the first heat-dissipating material and / or the second heat-dissipating material) .

[0204] In some embodiments, the heat-dissipating coating is formed by curing a mixed solution of a first heat-dissipating material or a second heat-dissipating material, aluminum nitride, and a solidifying agent.

[0205] Further, in order to improve the thermal conductivity of the heat-dissipating coating, in addition to the heat-dissipating material, the raw material for preparing the heat-dissipating coating may include additionally added aluminum nitride, i.e., aluminum nitride powder may be added to the heat-dissipating material, and then the heat-dissipating material mixture with the aluminum nitride powder is then coated onto the outer surface of the main body.

[0206] In order to facilitate the preparation of the heat-dissipating coating, the raw material for the preparation of the heat-dissipating coating may further include a solidifying agent to bond the aluminum nitride and the heat-dissipating material to each other by means of the solidifying agent, so as to facilitate the molding of the heat-dissipating coating. Optionally, the solidifying agent in the heat-dissipating coating may be the solidifying agent described above, so that the heat-dissipating coating may be formed by solidifying a mixed solution of the heat-dissipating material, the aluminum nitride and the solidifying agent. The aluminum nitride powder may be added to the heat-dissipating material to further enhance the heat-dissipating performance, and a small amount of solidifying agent may be added, and then the heat-dissipating material added with the aluminum nitride and the solidifying agent is sprayed on the main body prepared as described above.

[0207] In order to facilitate the coating of the heat-dissipating material, the heat-dissipating material may be mixed with water first, and then aluminum nitride and / or a solidifying agent may be added therein, and then the well-mixed heat-dissipating material may be coated onto the main body.

[0208] In order to prepare the device for wave-absorbing and heat-dissipating 40, a heat-dissipating material and a wave-absorbing material need to be provided. The heat-dissipating material and / or the wave-absorbing material may be homemade or may be purchased from the market.

[0209] The process of preparing the wave-absorbing material may be found in the preceding description and will not be repeated herein. Optionally, the wave-absorbing material may be the titanium silicon carbide having a laminated ordered pore structure, and the process of preparation thereof may be referred to as described hereinbefore, and will not be repeated herein.

[0210] In some embodiments, the process of preparing the heat-dissipating material may be as follows: 15wt%-20wt%vinyl silicone oil, 0.5wt%-1.9wt%hydrogen-containing silicone oil, 0.01wt%-0.55wt%catalyst, 0.2wt%-0.51wt%inhibitor and 50wt%-80wt%thermally conductive powder are stirred and mixed to obtain the heat-dissipating material.

[0211] The mixing of the heat-dissipating material described above may be co-mingled by a double planetary mixer or may be stirred by a stirring bar, and is not specifically limited herein.

[0212] In the case where the mixing mode is double planetary mixer co-mixing, the mixing conditions may be as follows: mixing for 0.5h-2.0h at a temperature of 30℃-150℃ under a vacuum of 70kPa-100kPa at a speed of 50rpm-100rpm; and then continue stirring for 0.5h-4h.

[0213] Optionally, the catalyst includes one of chloroplatinic acid, isopropanol complex of chloroplatinic acid, and divinyltetramethyldisiloxane complex of chloroplatinic acid; the inhibitor includes ethynylcyclohexanol, 2-phenyl-3-butyn-2-ol, 2-methyl-3-butyn-2-ol, 3-methyl-1-ethynyl-3-ol, 3,5-dimethyl-1-ethynyl-3-ol, 3-methyl-1-dodecynyl-3-ol, or one or more of such inhibitors; the viscosity of the hydrogen-containing silicone oil is 5mm2 / S-500mm2 / S, and the hydrogen content is 0.01%-1.2%; the viscosity of the vinyl silicone oil is 60mm2 / S-160mm2 / S, and the vinyl content of 0.2%-3.5%; thermally conductive powder includes a mixture of one or more of alumina, aluminum, zinc oxide, aluminum hydroxide, magnesium hydroxide, boron nitride, ceramics, etc., and the particle size of the thermally conductive powder is 0.1 μm-100 μm.

[0214] The beneficial effects of the present disclosure are further illustrated below in connection with embodiments.

[0215] In order to make the technical problems solved by the embodiments of the present disclosure, the technical solutions and the beneficial effects clearer, the following will be described in further detail in conjunction with the embodiments and the accompanying drawings. Obviously, the described embodiments are only a part of the embodiments of the present disclosure, and not all of the embodiments. The following description of at least one exemplary embodiment is in fact merely illustrative and in no way serves as any limitation of the present disclosure and its applications. Based on the embodiments in this application, all other embodiments obtained by a person of ordinary skill in the art without creative labor fall within the scope of protection of this application.

[0216] Embodiments

[0217] Comparative example 1

[0218] The wave-absorbing material was prepared as follows. After mixing raw materials of titanium silicon carbide, sodium chloride, and potassium chloride in a mass ratio of 1: 5: 5, the prepared mixed solution was placed in a sodium chloride salt bed. In a vacuum, the temperature was gradually increased, for example, at a rate of 150℃ / h. With the increase in temperature, sodium chloride and other salts with low melting point became liquid. The raw materials of titanium silicon carbide powder in the vacuum were gradually layered in 1200 ℃, and the titanium silicon carbide with a laminated structure was generated under the reaction of 3h. Subsequently, when the temperature was lowered by 600℃, FeCl2 was added to carry out an etching reaction with the phase generated in the molten salt, and the reaction was carried out for 0.5 h. After 0.5 h, the reaction was carried out at room temperature, and after being cooled down to room temperature, the excess salt was filtered out and dried under vacuum, and finally the titanium silicon carbide powder with a laminated structure was obtained.

[0219] Subsequently, 10 g of the titanium silicon carbide powder with a laminated structure was added to 150 ml of a mixture of water and ethanol at a volume ratio of 3: 1, with uniform stirring at 300r / min for 3h. After that, a colloidal dispersion of the titanium silicon carbide with a laminated structure was obtained by ultrasonic dispersion for 1h. Then, 5g of sodium bicarbonate (sodium bicarbonate was used as the expanding agent, and the mass ratio of the expanding agent to the titanium silicon carbide with a laminated structure was 1: 2) was added, stirred uniformly at 300r / min for 1h, and dried at room temperature, and after drying, a solid mixture of sodium bicarbonate and the titanium silicon carbide with a laminated structure was obtained. The solid mixture was subjected to expansion reduction in a reducing atmosphere of hydrogen and nitrogen, and during the expansion reduction, the temperature was gradually increased from room temperature to 150℃, with a controlled heating rate of 5℃ / minute, and the temperature was held at 150℃ for 1.5h. The excess sodium salt was removed by filtration after cooling, and the titanium silicon carbide modified material was finally obtained. The electron micrograph of the titanium silicon carbide produced by this comparative example is shown in FIG. 15.

[0220] From FIG. 15, it may be seen that the prepared titanium silicon carbide obtained in comparative example 1 has a certain laminated structure, but the pore structure is not obvious in the prepared titanium silicon carbide.

[0221] Embodiment 1

[0222] After mixing raw materials of titanium silicon carbide, sodium chloride, and potassium chloride in a mass ratio of 1: 5: 5, the prepared mixed solution was placed in a sodium chloride salt bed. In a vacuum, the temperature was gradually increased, for example, at a rate of 150℃ / h. With the increase in temperature, sodium chloride and other salts with low melting point became liquid. The raw materials of titanium silicon carbide powder in the vacuum were gradually layered in 1200 ℃, and the titanium silicon carbide with a laminated structure was generated under the reaction of 3h. Subsequently, when the temperature was lowered by 600℃, FeCl2 was added to carry out an etching reaction with the phase generated in the molten salt, and the reaction was carried out for 0.5 h After 0.5 h, the reaction was carried out at room temperature, and after being cooled down to room temperature, the excess salt was filtered out and dried under vacuum, and finally the titanium silicon carbide powder with a laminated structure was obtained.

[0223] Subsequently, 10 g of the titanium silicon carbide powder with a laminated structure was added to 150 ml of a mixture of water and ethanol at a volume ratio of 3: 1, with uniform stirring at 300r / min for 3h. After that, a colloidal dispersion of the titanium silicon carbide with a laminated structure was obtained by ultrasonic dispersion for 1h. Then, 5g of sodium bicarbonate (sodium bicarbonate was used as the expanding agent, and the mass ratio of the expanding agent to the titanium silicon carbide with a laminated structure was 1: 2) was added, stirred uniformly at 300r / min for 1h, and dried at room temperature, and after drying, a solid mixture of sodium bicarbonate and the titanium silicon carbide with a laminated structure was obtained The solid mixture was subjected to expansion reduction in a reducing atmosphere of hydrogen and nitrogen, and during the expansion reduction, the temperature was gradually increased from room temperature to 150℃, with a controlled heating rate of 5℃ / minute, and the temperature was held at 100℃ for 30 minutes and 150℃ for 1h, respectively. The excess sodium salt was removed by filtration after cooling, and the titanium silicon carbide modified material was finally obtained. The electron microscope diagram of the produced titanium silicon carbide powder is shown in FIG. 2.

[0224] Compared to comparative example 1, embodiment 1 includes a heat preservation step during the temperature increase phase of the expansion reduction of titanium silicon carbide, which involves holding at 100℃ for 30 minutes and at 150℃ for 1 hour.

[0225] As shown in FIG. 2, the prepared titanium silicon carbide has an obvious uniform laminated structure and pore structure. The pore structure of titanium silicon carbide is in an ellipsoid-like form. The long axis of the pore structure of titanium silicon carbide is 200 nm-400 nm and the short axis of the pore structure of titanium silicon carbide is 130 nm-210 nm.

[0226] Comparative example 2

[0227] Comparative example 2 was carried out with reference to embodiment 1. The difference between embodiment 1 and comparative example 2 is that the mass ratio between the expansive agent and the titanium silicon carbide with a laminated structure was 1: 4 in comparative example 2.

[0228] Comparative example 3

[0229] Comparative example 3 is carried out with reference to embodiment 1. The difference between embodiment 1 and comparative example 3 is the mass ratio between the expansive agent and the titanium silicon carbide with a laminated structure. In comparative example 3, the mass ratio between the expansive agent and the titanium silicon carbide with a laminated structure was 2: 1.

[0230] Comparative example 4

[0231] Comparative example 4 was performed with reference to embodiment 1. The difference between embodiment 1 and comparative example 4 is that the heating rate during the expanding process was 1 ℃ / min in comparative example 4.

[0232] Comparative example 5

[0233] Comparative example 5 was performed with reference to embodiment 1. The difference between embodiment 1 and comparative example 5 is that the heating rate during the expanding process was 15℃ / min in comparative example 5.

[0234] Comparative example 6

[0235] Comparative example 6 was carried out with reference to embodiment 1. The parameters of the expanding process during the preparation of the wave-absorbing material in comparative example 6 are different from those in embodiment 1.

[0236] In comparative example 6, during the expansion process, the solid mixture of the titanium silicon carbide with a laminated structure and sodium bicarbonate was gradually increased from room temperature to 150℃, with the controlled heating rate of 5℃ / minute. The temperature was held at 85℃ for 30 minutes, and at 130℃ for 1h, respectively. The excess sodium salt was removed by filtration after cooling, and the wave-absorbing material was finally obtained.

[0237] Comparative example 7

[0238] Comparative example 7 was carried out with reference to embodiment 1. The parameters of the expanding process during the preparation of the wave-absorbing material in comparative example 6 are different from those in embodiment 1.

[0239] In comparative example 7, during the expansion process, the solid mixture of the titanium silicon carbide with a laminated structure and sodium bicarbonate was gradually increased from room temperature to 180℃, with the controlled heating rate of 5℃ / minute. The temperature was held at 110℃ for 30 minutes, and at 180℃ for 1 h, respectively. The excess sodium salt was removed by filtration after cooling, and the wave-absorbing material was finally obtained.

[0240] Embodiment 2

[0241] After mixing raw materials of titanium silicon carbide, sodium chloride, and potassium chloride in a mass ratio of 1: 5: 5, the prepared mixed solution was placed in a sodium chloride salt bed. In a vacuum, the temperature was gradually increased, for example, at a rate of 150℃ / h. With the increase in temperature, sodium chloride and other salts with low melting point became liquid. The raw materials of titanium silicon carbide powder in the vacuum were gradually layered in 1200 ℃, and the titanium silicon carbide with a laminated structure was generated under the reaction of 3h. Subsequently, when the temperature was lowered by 600℃, FeCl2 was added to carry out an etching reaction with the phase generated in the molten salt, and the reaction was carried out for 0.5 h After 0.5 h, the reaction was carried out at room temperature, and after being cooled down to room temperature, the excess salt was filtered out and dried under vacuum, and finally the titanium silicon carbide powder with a laminated structure was obtained.

[0242] Subsequently, 10 g of the titanium silicon carbide powder with a laminated structure was added to 150 ml of a mixture of water and ethanol at a volume ratio of 3: 1, with uniform stirring at 300r / min for 3h. After that, a colloidal dispersion of the titanium silicon carbide with a laminated structure was obtained by ultrasonic dispersion for 1h. Then, 5g of sodium bicarbonate (sodium bicarbonate was used as the expanding agent, and the mass ratio of the expanding agent to the titanium silicon carbide with a laminated structure was 1: 2) was added, stirred uniformly at 300r / min for 1h, and dried at room temperature, and after drying, a solid mixture of sodium bicarbonate and the titanium silicon carbide with a laminated structure was obtained The solid mixture was subjected to expansion reduction in a reducing atmosphere of hydrogen and nitrogen, and during the expansion reduction, the temperature was gradually increased from room temperature to 150℃, with a controlled heating rate of 5℃ / minute, and the temperature was held at 95℃ for 30 minutes and 150℃ for 1h, respectively. The excess sodium salt was removed by filtration after subsequent cooling, and finally the titanium silicon carbide with a laminated structure and a pore structure was obtained. Compared to embodiment 1, embodiment 2 includes a heat preservation step during the temperature increase phase of the expansion reduction of titanium silicon carbide, which involves holding at 95℃ for 30 minutes and at 150℃ for 1h.

[0243] Embodiment 3

[0244] After mixing raw materials of titanium silicon carbide, sodium chloride, and potassium chloride in a mass ratio of 1: 5: 5, the prepared mixed solution was placed in a sodium chloride salt bed. In a vacuum, the temperature was gradually increased, for example, at a rate of 150℃ / h. With the increase in temperature, sodium chloride and other salts with low melting point became liquid. The raw materials of titanium silicon carbide powder in the vacuum were gradually layered in 1200℃, and the titanium silicon carbide with a laminated structure was generated under the reaction of 3h. Subsequently, when the temperature was lowered by 600℃, FeCl2 was added to carry out an etching reaction with the phase generated in the molten salt, and the reaction was carried out for 0.5 h After 0.5 h, the reaction was carried out at room temperature, and after being cooled down to room temperature, the excess salt was filtered out and dried under vacuum, and finally the titanium silicon carbide powder with a laminated structure was obtained.

[0245] Subsequently, 10 g of the titanium silicon carbide powder with a laminated structure was added to 150 ml of a mixture of water and ethanol at a volume ratio of 3: 1, with uniform stirring at 300r / min for 3h. After that, a colloidal dispersion of the titanium silicon carbide with a laminated structure was obtained by ultrasonic dispersion for 1h. Then, 5g of sodium bicarbonate (sodium bicarbonate was used as the expanding agent, and the mass ratio of the expanding agent to the titanium silicon carbide with a laminated structure was 1: 2) was added, stirred uniformly at 300r / min for 1h, and dried at room temperature, and after drying, a solid mixture of sodium bicarbonate and the titanium silicon carbide with a laminated structure was obtained The solid mixture was subjected to expansion reduction in a reducing atmosphere of hydrogen and nitrogen, and during the expansion reduction, the temperature was gradually increased from room temperature to 150℃, with a controlled heating rate of 5℃ / minute, and the temperature was held at 100℃ for 1h and 145℃ for 1h, respectively. The excess sodium salt was removed by filtration after cooling, and the titanium silicon carbide modified material was finally obtained. The electron micrograph of the titanium silicon carbide modified material produced by the method of this embodiment is shown in FIG. 16. Compared to embodiment 1, in embodiment 3, during the temperature increase phase of the expansion reduction of titanium silicon carbide, the temperature was held at 100℃ for 1 hour and at 145℃ for 1 hour. As shown in FIG. 16, the titanium silicon carbide obtained in embodiment 3 has a distinct and uniform laminated structure and pore structure. However, from the pore structure shown in FIG. 16, it can be seen that the expansion effect of the titanium silicon carbide prepared in embodiment 1 is better than that in embodiment 3.

[0246] Embodiment 4

[0247] After mixing raw materials of titanium silicon carbide, sodium chloride, and potassium chloride in a mass ratio of 1: 5: 5, the prepared mixed solution was placed in a sodium chloride salt bed. In a vacuum, the temperature was gradually increased, for example, at a rate of 150℃ / h. With the increase in temperature, sodium chloride and other salts with low melting point became liquid. The raw materials of titanium silicon carbide powder in the vacuum were gradually layered in 1200 ℃, and the titanium silicon carbide with a laminated structure was generated under the reaction of 3h. Subsequently, when the temperature was lowered by 600℃, FeCl2 was added to carry out an etching reaction with the phase generated in the molten salt, and the reaction was carried out for 0.5 h After 0.5 h, the reaction was carried out at room temperature, and after being cooled down to room temperature, the excess salt was filtered out and dried under vacuum, and finally the titanium silicon carbide powder with a laminated structure was obtained.

[0248] Subsequently, 10 g of the titanium silicon carbide powder with a laminated structure was added to 150 ml of a mixture of water and ethanol at a volume ratio of 3: 1, with uniform stirring at 300r / min for 3h. After that, a colloidal dispersion of the titanium silicon carbide with a laminated structure was obtained by ultrasonic dispersion for 1h. Then, 5g of sodium bicarbonate (sodium bicarbonate was used as the expanding agent, and the mass ratio of the expanding agent to the titanium silicon carbide with a laminated structure was 1: 2) was added, stirred uniformly at 300r / min for 1h, and dried at room temperature, and after drying, a solid mixture of sodium bicarbonate and the titanium silicon carbide with a laminated structure was obtained The solid mixture was subjected to expansion reduction in a reducing atmosphere of hydrogen and nitrogen, and during the expansion reduction, the temperature was gradually increased from room temperature to 150℃, with a controlled heating rate of 5℃ / minute, and the temperature was held at 105℃ for 1h and 150℃ for 1h, respectively. The excess sodium salt was removed by filtration after cooling, and the titanium silicon carbide modified material was finally obtained. Compared to embodiment 1, embodiment 4 includes a heat preservation step during the temperature increase phase of the expansion reduction of titanium silicon carbide, which involves holding at 105℃ for 1 hour and at 150℃ for 1 hour.

[0249] Embodiment 5

[0250] After mixing raw materials of titanium silicon carbide, sodium chloride, and potassium chloride in a mass ratio of 1: 5: 5, the prepared mixed solution was placed in a sodium chloride salt bed. In a vacuum, the temperature was gradually increased, for example, at a rate of 150℃ / h. With the increase in temperature, sodium chloride and other salts with low melting point became liquid. The raw materials of titanium silicon carbide powder in the vacuum were gradually layered in 1200 ℃, and the titanium silicon carbide with a laminated structure was generated under the reaction of 3h. Subsequently, when the temperature was lowered by 600℃, FeCl2 was added to carry out an etching reaction with the phase generated in the molten salt, and the reaction was carried out for 0.5 h After 0.5 h, the reaction was carried out at room temperature, and after being cooled down to room temperature, the excess salt was filtered out and dried under vacuum, and finally the titanium silicon carbide powder with a laminated structure was obtained.

[0251] Subsequently, 10 g of the titanium silicon carbide powder with a laminated structure was added to 150 ml of a mixture of water and ethanol at a volume ratio of 3: 1, with uniform stirring at 300r / min for 3h. After that, a colloidal dispersion of the titanium silicon carbide with a laminated structure was obtained by ultrasonic dispersion for 1h. Then, 5g of sodium bicarbonate (sodium bicarbonate was used as the expanding agent, and the mass ratio of the expanding agent to the titanium silicon carbide with a laminated structure was 1: 2) was added, stirred uniformly at 300r / min for 1h, and dried at room temperature, and after drying, a solid mixture of sodium bicarbonate and the titanium silicon carbide with a laminated structure was obtained The solid mixture was subjected to expansion reduction in a reducing atmosphere of hydrogen and nitrogen, and during the expansion reduction, the temperature was gradually increased from room temperature to 150℃, with a controlled heating rate of 5℃ / minute, and the temperature was held at 100℃ for 1h and 155℃ for 0.5h, respectively. The excess sodium salt was removed by filtration after cooling, and the titanium silicon carbide modified material was finally obtained. Compared to embodiment 1, embodiment 5 includes a heat preservation step during the temperature increase phase of the expansion reduction of titanium silicon carbide, which involves holding at 105℃ for 1h and at 155℃for 0.5h.

[0252] Embodiment 6

[0253] After mixing raw materials of titanium silicon carbide, sodium chloride, and potassium chloride in a mass ratio of 1: 5: 5, the prepared mixed solution was placed in a sodium chloride salt bed. In a vacuum, the temperature was gradually increased, for example, at a rate of 150℃ / h. With the increase in temperature, sodium chloride and other salts with low melting point became liquid. The raw materials of titanium silicon carbide powder in the vacuum were gradually layered in 1200 ℃, and the titanium silicon carbide with a laminated structure was generated under the reaction of 3h. Subsequently, when the temperature was lowered by 600℃, FeCl2 was added to carry out an etching reaction with the phase generated in the molten salt, and the reaction was carried out for 0.5 h After 0.5 h, the reaction was carried out at room temperature, and after being cooled down to room temperature, the excess salt was filtered out and dried under vacuum, and finally the titanium silicon carbide powder with a laminated structure was obtained.

[0254] Subsequently, 10 g of the titanium silicon carbide powder with a laminated structure was added to 150 ml of a mixture of water and ethanol at a volume ratio of 3: 1, with uniform stirring at 300r / min for 3h. After that, a colloidal dispersion of the titanium silicon carbide with a laminated structure was obtained by ultrasonic dispersion for 1h. Then, 5g of sodium bicarbonate (sodium bicarbonate was used as the expanding agent, and the mass ratio of the expanding agent to the titanium silicon carbide with a laminated structure was 1: 2) was added, stirred uniformly at 300r / min for 1h, and dried at room temperature, and after drying, a solid mixture of sodium bicarbonate and the titanium silicon carbide with a laminated structure was obtained The solid mixture was subjected to expansion reduction in a reducing atmosphere of hydrogen and nitrogen, and during the expansion reduction, the temperature was gradually increased from room temperature to 150℃, with a controlled heating rate of 10℃ / minute, and the temperature was held at 100℃ for 0.5h and 150℃ for 1h, respectively. The excess sodium salt was removed by filtration after cooling, and the titanium silicon carbide modified material was finally obtained. Compared to embodiment 1, embodiment 6 controlled the heating rate at 10℃ per minute during the temperature increase phase of the expansion reduction of titanium silicon carbide.

[0255] Embodiment 7

[0256] After mixing raw materials of titanium silicon carbide, sodium chloride, and potassium chloride in a mass ratio of 1: 5: 5, the prepared mixed solution was placed in a sodium chloride salt bed. In a vacuum, the temperature was gradually increased, for example, at a rate of 125℃ / h. With the increase in temperature, sodium chloride and other salts with low melting point became liquid. The raw materials of titanium silicon carbide powder in the vacuum were gradually layered in 1200 ℃, and the titanium silicon carbide with a laminated structure was generated under the reaction of 3h. Subsequently, when the temperature was lowered by 590℃, FeCl2 was added to carry out an etching reaction with the phase generated in the molten salt, and the reaction was carried out for 0.5 h After 0.5 h, the reaction was carried out at room temperature, and after being cooled down to room temperature, the excess salt was filtered out and dried under vacuum, and finally the titanium silicon carbide powder with a laminated structure was obtained.

[0257] Subsequently, 10 g of the titanium silicon carbide powder with a laminated structure was added to 150 ml of a mixture of water and ethanol at a volume ratio of 3: 1, with uniform stirring at 300r / min for 3h. After that, a colloidal dispersion of the titanium silicon carbide with a laminated structure was obtained by ultrasonic dispersion for 1h. Then, 5g of sodium bicarbonate (sodium bicarbonate was used as the expanding agent, and the mass ratio of the expanding agent to the titanium silicon carbide with a laminated structure was 1: 2) was added, stirred uniformly at 300r / min for 1h, and dried at room temperature, and after drying, a solid mixture of sodium bicarbonate and the titanium silicon carbide with a laminated structure was obtained The solid mixture was subjected to expansion reduction in a reducing atmosphere of hydrogen and nitrogen, and during the expansion reduction, the temperature was gradually increased from room temperature to 150℃, with a controlled heating rate of 5℃ / minute, and the temperature was held at 100℃ for 30 minutes and 150℃ for 1h, respectively. The excess sodium salt was removed by filtration after cooling, and the titanium silicon carbide modified material was finally obtained. Compared to embodiment 1, embodiment 7 controlled the heating rate at 125℃ per hour during the phase of preparing titanium silicon carbide powder with a laminated structure. Then, when the temperature was reduced to 590℃, FeCl2 was added to react with the phase formed in the molten salt for etching.

[0258] Embodiment 8

[0259] After mixing raw materials of titanium silicon carbide, sodium chloride, and potassium chloride in a mass ratio of 1: 5: 5, the prepared mixed solution was placed in a sodium chloride salt bed. In a vacuum, the temperature was gradually increased, for example, at a rate of 200℃ / h. With the increase in temperature, sodium chloride and other salts with low melting point became liquid. The raw materials of titanium silicon carbide powder in the vacuum were gradually layered in 1200 ℃, and the titanium silicon carbide with a laminated structure was generated under the reaction of 3h. Subsequently, when the temperature was lowered by 610℃, FeCl2 was added to carry out an etching reaction with the phase generated in the molten salt, and the reaction was carried out for 0.5 h After 0.5 h, the reaction was carried out at room temperature, and after being cooled down to room temperature, the excess salt was filtered out and dried under vacuum, and finally the titanium silicon carbide powder with a laminated structure was obtained.

[0260] Subsequently, 10 g of the titanium silicon carbide powder with a laminated structure was added to 150 ml of a mixture of water and ethanol at a volume ratio of 3: 1, with uniform stirring at 300r / min for 3h. After that, a colloidal dispersion of the titanium silicon carbide with a laminated structure was obtained by ultrasonic dispersion for 1h. Then, 5g of sodium bicarbonate (sodium bicarbonate was used as the expanding agent, and the mass ratio of the expanding agent to the titanium silicon carbide with a laminated structure was 1: 2) was added, stirred uniformly at 300r / min for 1h, and dried at room temperature, and after drying, a solid mixture of sodium bicarbonate and the titanium silicon carbide with a laminated structure was obtained The solid mixture was subjected to expansion reduction in a reducing atmosphere of hydrogen and nitrogen, and during the expansion reduction, the temperature was gradually increased from room temperature to 150℃, with a controlled heating rate of 5℃ / minute, and the temperature was held at 100℃ for 30 minutes and 150℃ for 1h, respectively. The excess sodium salt was removed by filtration after cooling, and the titanium silicon carbide modified material was finally obtained. Compared to embodiment 1, embodiment 8 controlled the heating rate at 200℃ per hour during the phase of preparing titanium silicon carbide powder with a laminated structure. Then, when the temperature is reduced to 610℃, FeCl2 is added to react with the phase formed in the molten salt for etching.

[0261] Embodiment 9

[0262] After mixing raw materials of titanium silicon carbide, sodium chloride, and potassium chloride in a mass ratio of 1: 5: 5, the prepared mixed solution was placed in a sodium chloride salt bed. In a vacuum, the temperature was gradually increased, for example, at a rate of 150℃ / h. With the increase in temperature, sodium chloride and other salts with low melting point became liquid. The raw materials of titanium silicon carbide powder in the vacuum were gradually layered in 1200 ℃, and the titanium silicon carbide with a laminated structure was generated under the reaction of 3h. Subsequently, when the temperature was lowered by 600℃, FeCl2 was added to carry out an etching reaction with the phase generated in the molten salt, and the reaction was carried out for 0.5 h After 0.5 h, the reaction was carried out at room temperature, and after being cooled down to room temperature, the excess salt was filtered out and dried under vacuum, and finally the titanium silicon carbide powder with a laminated structure was obtained.

[0263] Subsequently, 10 g of the titanium silicon carbide powder with a laminated structure was added to 150 ml of a mixture of water and ethanol at a volume ratio of 3: 1, with uniform stirring at 300r / min for 3h. After that, a colloidal dispersion of the titanium silicon carbide with a laminated structure was obtained by ultrasonic dispersion for 1h. Then, 5g of sodium bicarbonate (sodium bicarbonate was used as the expanding agent, and the mass ratio of the expanding agent to the titanium silicon carbide with a laminated structure was 1: 2) was added, stirred uniformly at 300r / min for 1h, and dried at room temperature, and after drying, a solid mixture of sodium bicarbonate and the titanium silicon carbide with a laminated structure was obtained The solid mixture was subjected to expansion reduction in a reducing atmosphere of hydrogen and nitrogen, and during the expansion reduction, the temperature was gradually increased from room temperature to 150℃, with a controlled heating rate of 5℃ / minute, and the temperature was held at 100℃ for 30 minutes and 150℃ for 1h, respectively. The excess sodium salt was removed by filtration after cooling, and the titanium silicon carbide modified material was finally obtained.

[0264] Compared with embodiment 1, in embodiment 9, the titanium silicon carbide with a laminated ordered pore structure was further modified with polydopamine to obtain the polydopamine-modified titanium silicon carbide.

[0265] Embodiment 10

[0266] After mixing raw materials of titanium silicon carbide, sodium chloride, and potassium chloride in a mass ratio of 1: 5: 5, the prepared mixed solution was placed in a sodium chloride salt bed. In a vacuum, the temperature was gradually increased, for example, at a rate of 150℃ / h. With the increase in temperature, sodium chloride and other salts with low melting point became liquid. The raw materials of titanium silicon carbide powder in the vacuum were gradually layered in 1200 ℃, and the titanium silicon carbide with a laminated structure was generated under the reaction of 3h. Subsequently, when the temperature was lowered by 600℃, FeCl2 was added to carry out an etching reaction with the phase generated in the molten salt, and the reaction was carried out for 0.5 h After 0.5 h, the reaction was carried out at room temperature, and after being cooled down to room temperature, the excess salt was filtered out and dried under vacuum, and finally the titanium silicon carbide powder with a laminated structure was obtained.

[0267] Subsequently, 10 g of the titanium silicon carbide powder with a laminated structure was added to 150 ml of a mixture of water and ethanol at a volume ratio of 3: 1, with uniform stirring at 300r / min for 3h. After that, a colloidal dispersion of the titanium silicon carbide with a laminated structure was obtained by ultrasonic dispersion for 1h. Then, 5g of sodium bicarbonate (sodium bicarbonate was used as the expanding agent, and the mass ratio of the expanding agent to the titanium silicon carbide with a laminated structure was 1: 2) was added, stirred uniformly at 300r / min for 1h, and dried at room temperature, and after drying, a solid mixture of sodium bicarbonate and the titanium silicon carbide with a laminated structure was obtained The solid mixture was subjected to expansion reduction in a reducing atmosphere of hydrogen and nitrogen, and during the expansion reduction, the temperature was gradually increased from room temperature to 150℃, with a controlled heating rate of 5℃ / minute, and the temperature was held at 100℃ for 30 minutes and 150℃ for 1h, respectively. The excess sodium salt was removed by filtration after cooling, and the titanium silicon carbide modified material was finally obtained.

[0268] The titanium silicon carbide with a laminated ordered pore structure was modified with polydopamine to obtain polydopamine modified the titanium silicon carbide.

[0269] Compared to embodiment 9, in embodiment 10, the polydopamine-modified titanium silicon carbide was further filled with spherical paraffin particles with a particle size of 100 nm, and then subjected to a hot-press compaction process to obtain the titanium silicon carbide filled with paraffin particles.

[0270] Embodiment 11

[0271] After mixing raw materials of titanium silicon carbide, sodium chloride, and potassium chloride in a mass ratio of 1: 5: 5, the prepared mixed solution was placed in a sodium chloride salt bed. In a vacuum, the temperature was gradually increased, for example, at a rate of 150℃ / h. With the increase in temperature, sodium chloride and other salts with low melting point became liquid. The raw materials of titanium silicon carbide powder in the vacuum were gradually layered in 1200 ℃, and the titanium silicon carbide with a laminated structure was generated under the reaction of 3h. Subsequently, when the temperature was lowered by 600℃, FeCl2 was added to carry out an etching reaction with the phase generated in the molten salt, and the reaction was carried out for 0.5 h After 0.5 h, the reaction was carried out at room temperature, and after being cooled down to room temperature, the excess salt was filtered out and dried under vacuum, and finally the titanium silicon carbide powder with a laminated structure was obtained.

[0272] Subsequently, 10 g of the titanium silicon carbide powder with a laminated structure was added to 150 ml of a mixture of water and ethanol at a volume ratio of 3: 1, with uniform stirring at 300r / min for 3h. After that, a colloidal dispersion of the titanium silicon carbide with a laminated structure was obtained by ultrasonic dispersion for 1h. Then, 5g of sodium bicarbonate (sodium bicarbonate was used as the expanding agent, and the mass ratio of the expanding agent to the titanium silicon carbide with a laminated structure was 1: 2) was added, stirred uniformly at 300r / min for 1h, and dried at room temperature, and after drying, a solid mixture of sodium bicarbonate and the titanium silicon carbide with a laminated structure was obtained The solid mixture was subjected to expansion reduction in a reducing atmosphere of hydrogen and nitrogen, and during the expansion reduction, the temperature was gradually increased from room temperature to 150℃, with a controlled heating rate of 5℃ / minute, and the temperature was held at 100℃ for 30 minutes and 150℃ for 1h, respectively. The excess sodium salt was removed by filtration after cooling, and the titanium silicon carbide modified material was finally obtained.

[0273] Compared to embodiment 10, in embodiment 11, the polydopamine-modified titanium silicon carbide was further filled with spherical paraffin particles with a particle size of 300 nm, and then subjected to a hot-press compaction process to obtain the titanium silicon carbide filled with paraffin particles.

[0274] Embodiment 12

[0275] After mixing raw materials of titanium silicon carbide, sodium chloride, and potassium chloride in a mass ratio of 1: 5: 5, the prepared mixed solution was placed in a sodium chloride salt bed. In a vacuum, the temperature was gradually increased, for example, at a rate of 150℃ / h. With the increase in temperature, sodium chloride and other salts with low melting point became liquid. The raw materials of titanium silicon carbide powder in the vacuum were gradually layered in 1200 ℃, and the titanium silicon carbide with a laminated structure was generated under the reaction of 3h. Subsequently, when the temperature was lowered by 600℃, FeCl2 was added to carry out an etching reaction with the phase generated in the molten salt, and the reaction was carried out for 0.5 h. After 0.5 h, the reaction was carried out at room temperature, and after being cooled down to room temperature, the excess salt was filtered out and dried under vacuum, and finally the titanium silicon carbide powder with a laminated structure was obtained.

[0276] Subsequently, 10 g of the titanium silicon carbide powder with a laminated structure was added to 150 ml of a mixture of water and ethanol at a volume ratio of 3: 1, with uniform stirring at 300r / min for 3h. After that, a colloidal dispersion of the titanium silicon carbide with a laminated structure was obtained by ultrasonic dispersion for 1h. Then, 5g of sodium bicarbonate (sodium bicarbonate was used as the expanding agent, and the mass ratio of the expanding agent to the titanium silicon carbide with a laminated structure was 1: 2) was added, stirred uniformly at 300r / min for 1h, and dried at room temperature, and after drying, a solid mixture of sodium bicarbonate and the titanium silicon carbide with a laminated structure was obtained The solid mixture was subjected to expansion reduction in a reducing atmosphere of hydrogen and nitrogen, and during the expansion reduction, the temperature was gradually increased from room temperature to 150℃, with a controlled heating rate of 5℃ / minute, and the temperature was held at 100℃ for 30 minutes and 150℃ for 1h, respectively. The excess sodium salt was removed by filtration after cooling, and the titanium silicon carbide modified material was finally obtained.

[0277] Compared to embodiment 10, in embodiment 12, the polydopamine-modified titanium silicon carbide was further filled with flaky paraffin particles with a particle size of 100 nm, and then subjected to a hot-press compaction process to obtain the titanium silicon carbide filled with paraffin particles.

[0278] Methods of performance characterization

[0279] (1) Referring to GB / T32596, an insertion loss test was performed to test the absorption bandwidth as well as the insertion loss.

[0280] (2) Referring to GB / T10294, a thermal conductivity rate test was performed to test thermal conductivity rate.

[0281] Insertion loss may characterize the wave-absorbing performance of the wave-absorbing material, while thermal conductivity may characterize the heat dissipation performance of the wave-absorbing material. The greater the insertion loss, the better the wave-absorbing performance. The higher the thermal conductivity, the better the heat dissipation performance of the material.

[0282] (3) Hot-pressing was performed on the titanium silicon carbide modified materials produced in the above-mentioned comparative examples and embodiments, and then the above-mentioned insertion loss test and the thermal conductivity rate test were performed on the hot-pressed materials to obtain the insertion loss and the thermal conductivity rate of the hot-pressed materials.

[0283] The hot pressing process may alter the microstructure and density of the material, thereby affecting its electromagnetic wave absorption ability and thermal conductivity. Compared to materials that do not undergo hot pressing, the hot-pressed materials may exhibit either better or worse insertion loss and thermal conductivity. Therefore, the embodiments in the present disclosure tested the titanium silicon carbide modified materials before and after hot pressing to verify the broad applicability of the wave-absorbing material provided by the embodiments in the present disclosure. Table 1. Table of test results for embodiments 1-12 and comparative examples 1-7

[0284] In combination with FIG. 2, FIG. 15 and FIG. 16, it can be seen from the test results of embodiments 1-12 and comparative examples 1-7 in Table 1 that, by controlling a mass ratio of expanding agent to titanium silicon carbide with a layered structure, heating rate during the expanding process, reaction temperature during the expanding process, or reaction time during the expanding process, it is possible to make the wave-absorbing material with a laminated ordered pore structure, and with excellent wave-absorbing performance and heat-dissipating performance.

[0285] In addition, as can be seen from the test results of embodiment 1 and embodiment 9, by modifying the wave-absorbing material with polydopamine, the wave-absorbing properties of the wave-absorbing material are improved, and the effect of hot-pressing on the wave-absorbing properties of the wave-absorbing material is reduced.

[0286] As can be seen from embodiment 9 to embodiment 12, by filling the polydopamine-modified titanium silicon carbide material with paraffin particles, the heat-dissipating performance of the wave-absorbing material can be significantly improved, and the effect of hot-pressing on the wave-absorbing performance of the wave-absorbing material can be further reduced.

[0287] As can be seen from the test results in embodiments 1-6 and the comparative examples 6-7, in the stage of the expansion reduction of the titanium silicon carbide with a laminated structure, when the solid mixture of the titanium silicon carbide with a laminated structure and sodium bicarbonate was heated up to 95 ℃-105 ℃ and the temperature was held at 0.3h-1h, and then the temperature was raised up to 145 ℃-155 ℃ and held at 0.5h-1.5h, the resultant titanium silicon carbide with a laminated structure and a pore structure (wave-absorbing material) has a better wave-absorbing performance and heat-dissipating performance.

[0288] As can be seen from the test results of embodiment 1, in the expansion reduction stage of the titanium silicon carbide with a laminated structure, when the solid mixture of the titanium silicon carbide with a laminated structure and sodium bicarbonate was heated up to 100℃ and the temperature was held for 0.5 hours, and then, the temperature was raised up to 150℃ and held for 1 hour, the resultant titanium silicon carbide with a laminated structure and a pore structure (wave-absorbing material) has the best wave-absorbing performance and heat-dissipating performance.

[0289] As can be seen from the results of the tests in embodiments 1-6 and the comparative examples 2-3, when the mass ratio between the expansive agent and the titanium silicon carbide with a laminated structure is 1: 1.5-1: 3, the resultant titanium silicon carbide with a laminated structure and a pore structure (wave-absorbing material) has a better wave-absorbing performance and heat-dissipating performance. When the mass ratio between the expansive agent and the titanium silicon carbide with a laminated structure is 1: 2, the resultant titanium silicon carbide with a laminated structure and a pore structure (wave-absorbing material) has the best wave-absorbing performance and heat-dissipating performance.

[0290] As can be seen from the test results in embodiments 1 and 6, and comparative examples 4-5, when the heating rate during the expanding process is greater than 2℃ / min and less than 10℃ / min, the resultant titanium silicon carbide with a laminated structure and a pore structure (wave-absorbing material) has a better wave-absorbing performance and heat-dissipating performance. When the heating rate during the expanding process is 5℃ / min, the resultant titanium silicon carbide with a laminated structure and a pore structure (wave-absorbing material) has a best wave-absorbing performance and heat-dissipating performance.

[0291] Comparative example 8

[0292] The preparation process of the heat-dissipating material was as follows. Raw materials for preparing the heat-dissipating material were provided, which contain 15 wt%of vinyl silicone oil, 1.2 wt%of hydrogen-containing silicone oil, 0.5 wt%of the catalyst, 0.5 wt%of the inhibitor, and the remainder of thermally conductive powder. The raw materials were mixed in a mixer until the raw materials were uniform to obtain heat dissipation gel powder. The catalyst was chloroplatinic acid. The inhibitor was ethynylcyclohexanol. The viscosity of hydrogen-containing silicone oil was 100 mm2 / S, and the hydrogen content of the hydrogen-containing silicone oil was 1%. The viscosity of vinyl silicone oil was 80 mm2 / S, and the vinyl content of the vinyl silicone oil was 3%. The thermally conductive powder was a mixture of alumina and zinc oxide, with a particle size of 0.1 μm-100 μm. The mixing method included double planetary mixer mixing, and the conditions of double planetary mixer mixing were as follows: mixing for 1.0h at a temperature of 100 ℃ under a vacuum of 80 kPa at a speed of 80 rpm, and then continue mixing for 2h.

[0293] Wave-absorbing materials were prepared in the same way as in comparative example 1.

[0294] The preparation process of the device for wave-absorbing and heat-dissipating was as follows. A mold of the wave-absorbing layer was fixed, and raw materials of the wave-absorbing layer were added into the mold, wherein the raw materials of the wave-absorbing layer included wave-absorbing material but did not include heat-dissipating material. The raw materials of the wave-absorbing layer solidified in the mold to form the wave-absorbing layer. A solidifying agent (composed of phenolic resin, amino resin, and water in a mass ratio of 1: 1: 0.5) was sprayed on the surface of the wave-absorbing layer. Then raw materials of the heat-dissipating layer were added to a mold of the heat-dissipating layer, which included heat-dissipating material but did not include wave-absorbing material. The surface of the wave-absorbing layer sprayed with the solidifying agent was aligned with the opening of the mold of the heat-dissipating layer, allowing the raw materials of the heat-dissipating layer to be in contact with the solidifying agent. The raw materials of the heat-dissipating layer solidified in the mold to obtain the heat-dissipating layer, thereby obtaining the device for wave-absorbing and heat-dissipating. In comparative example 10, the raw materials for preparing the wave-absorbing layer included wave-absorbing material but did not include heat-dissipating material. Conversely, the raw materials for preparing the heat-dissipating layer included heat-dissipating material but did not include wave-absorbing material.

[0295] Comparative example 9

[0296] Comparative example 9 was carried out with reference to comparative example 8. The process for preparing the device for wave-absorbing and heat-dissipating in comparative example 9 is different from that in comparative example 8.

[0297] In comparative example 9, the preparation process of the device for wave-absorbing and heat-dissipating included the following operations. Both the wave-absorbing material and the heat-dissipating material were added to water to form a gel. A mass ratio of the wave-absorbing material to the heat-dissipating material was 3: 1. Next, a solidifying agent was added to the gel, and the solidifying agent was a mixture of phenolic resin and water with a mass ratio of 1: 1. The wave-absorbing material, the heat-dissipating material, and the solidifying agent were stirred to obtain a mixed filler. A mold of the wave-absorbing layer was fixed, and the mixed filler was added into the mold of the wave-absorbing layer. The mixed filler solidified in the mold to form the wave-absorbing layer. The surface of the wave-absorbing layer was sprayed with a solidifying agent (composed of phenolic resin, amino resin, and water in a mass ratio of 1: 1: 0.5) . Then the mixed filler was added to a mold of the heat-dissipating layer. The surface of the wave-absorbing layer sprayed with the solidifying agent was aligned with the opening of the mold of the heat-dissipating layer so that the mixed filler in the mold was in contact with the solidifying agent. The mixed filler solidified in the mold to obtain the heat-dissipating layer, thus obtaining the device for wave-absorbing and heat-dissipating. In comparative example 9, the mass ratio of wave-absorbing material to heat-dissipating material in the raw materials for the wave-absorbing layer and that for the heat-dissipating layer were equal and greater than 1.

[0298] Comparative example 10

[0299] Comparative example 10 was carried out with reference to comparative example 8, with the difference of the preparation process of the device for wave-absorbing and heat-dissipating.

[0300] In comparative example 10, the preparation process of the device for wave-absorbing and heat-dissipating included the following operations. Both the wave-absorbing material and the heat-dissipating material were added to water to form a gel. A mass ratio of the wave-absorbing material to the heat-dissipating material was 1: 3. Next, a solidifying agent was added to the gel, and the solidifying agent was a mixture of phenolic resin and water with a mass ratio of 1: 1. The wave-absorbing material, the heat-dissipating material, and the solidifying agent were stirred to obtain a mixed filler. A mold of the wave-absorbing layer was fixed, and the mixed filler was added into the mold of the wave-absorbing layer. The mixed filler solidified in the mold to form the wave-absorbing layer. The surface of the wave-absorbing layer was sprayed with a solidifying agent (composed of phenolic resin, amino resin, and water in a mass ratio of 1: 1: 0.5) . Then the mixed filler was added to a mold of the heat-dissipating layer. The surface of the wave-absorbing layer sprayed with the solidifying agent was aligned with the opening of the mold of the heat-dissipating layer so that the mixed filler in the mold was in contact with the solidifying agent. The mixed filler solidified in the mold to obtain the heat-dissipating layer, thus obtaining the device for wave-absorbing and heat-dissipating. In comparative example 10, the mass ratio of wave-absorbing material to heat-dissipating material in the raw materials for the wave-absorbing layer and that for the heat-dissipating layer were equal and less than 1.

[0301] Embodiment 13

[0302] Embodiment 13 was carried out with reference to comparative example 8, and differs in that the process of preparing the device for wave-absorbing and heat-dissipating.

[0303] In embodiment 13, the preparation process of the device for wave-absorbing and heat-dissipating included the following operations. Both the wave-absorbing material and the heat-dissipating material were added to water to form a gel. A mass ratio of the wave-absorbing material to the heat-dissipating material was 3: 1. Next, a solidifying agent was added to the gel, and the solidifying agent was a mixture of phenolic resin and water with a mass ratio of 1: 1. The wave-absorbing material and the heat-dissipating material were stirred with the solidifying agent to obtain the third mixture. Then both the wave-absorbing material and the heat-dissipating material were added to water to form a gel. A mass ratio of the wave-absorbing material to the heat-dissipating material was 1: 3. Next, a solidifying agent was added to the gel, and the solidifying agent was a mixture of phenolic resin and water with a mass ratio of 1: 1. The wave-absorbing material and the heat-dissipating material were stirred with the solidifying agent to obtain the fourth mixture. The mold of the wave-absorbing layer was fixed and the third mixture was added into the mold. The third mixture solidified in the mold to form the wave-absorbing layer. The surface of the wave-absorbing layer was sprayed with a solidifying agent (composed of phenolic resin, amino resin, and water in a mass ratio of 1: 1: 0.5) . Then the fourth mixture was added to the mold of the heat-dissipating layer. The surface of the wave-absorbing layer sprayed with the solidifying agent was aligned with the opening of the mold of the heat-dissipating layer, allowing the fourth mixture in the mold to be in contact with the solidifying agent. The fourth mixture solidified in the mold to obtain the heat-dissipating layer, thus obtaining the device for wave-absorbing and heat-dissipating. In embodiment 13, the mass ratio of wave-absorbing materials to heat-dissipating materials in the raw materials for preparing the wave-absorbing layer (the third mixture) is greater than 1, while the mass ratio of wave-absorbing materials to heat-dissipating materials in the raw materials for preparing the heat-dissipating layer (the fourth mixture) is less than 1.

[0304] Embodiment 14

[0305] Embodiment 14 was carried out with reference to embodiment 13. The solidifying agent used in the preparation process of the third and fourth mixtures for the device for wave-absorbing and heat-dissipating in embodiment 14 is different from that in embodiment 13. In comparative example 14, the solidifying agent for preparing the third mixture and the fourth mixture was a mixture of phenolic resin, amino resin, and water in a mass ratio of 1: 1: 0.5.

[0306] Embodiment 15

[0307] Embodiment 15 was carried out with reference to embodiment 13. The solidifying agent used in the preparation process of the third and fourth mixtures for the device for wave-absorbing and heat-dissipating in embodiment 15 is different from that in embodiment 13. In ebmodiment 15, the solidifying agent for preparing the third mixture and the fourth mixture was a mixture of phenolic resin, amino resin, and water in a mass ratio of 0.8: 1.3: 1.

[0308] Embodiment 16

[0309] Embodiment 16 was carried out with reference to embodiment 13, with the difference that the process of preparing the device for wave-absorbing and heat-dissipating.

[0310] In embodiment 16, the preparation process of a device for wave-absorbing and heat-dissipating included the following operations. Both the wave-absorbing material and the heat-dissipating material were added to water to form a gel. A mass ratio of the wave-absorbing material to the heat-dissipating material was 3: 1. Next, a solidifying agent was added to the gel, and the solidifying agent was a mixture of phenolic resin and water with a mass ratio of 1: 1. The wave-absorbing material and the heat-dissipating material were stirred with the solidifying agent to obtain the third mixture. Then both the wave-absorbing material and the heat-dissipating material were added to water to form a gel. A mass ratio of the wave-absorbing material to the heat-dissipating material was 1: 3. Next, a solidifying agent was added to the gel, and the solidifying agent was a mixture of phenolic resin and water with a mass ratio of 1: 1. The wave-absorbing material and the heat-dissipating material were stirred with the solidifying agent to obtain the fourth mixture. The mold of the wave-absorbing layer was fixed and the third mixture was added into the mold. The third mixture solidified in the mold to form the wave-absorbing layer. The surface of the wave-absorbing layer was sprayed with a solidifying agent (composed of phenolic resin, amino resin, and water in a mass ratio of 1: 1: 0.5) . Then the fourth mixture was added to the mold of the heat-dissipating layer. The surface of the wave-absorbing layer sprayed with the solidifying agent was aligned with the opening of the mold of the heat-dissipating layer, allowing the fourth mixture in the mold to be in contact with the solidifying agent. The fourth mixture solidified in the mold to obtain the heat-dissipating layer, thus obtaining the main body. Finally, the outer surface of the main body was covered with a mixture of heat-dissipating material and solidifying agent, and the mixture solidified to obtain the heat-dissipating coating, resulting in the device for wave-absorbing and heat-dissipating. In other words, in embodiment 16, the main body was obtained by referring to embodiment 13. Then, a mixture of heat-dissipating material and solidifying agent was further applied to the outer surface of the main body and cured to form a heat-dissipating coating, thus obtaining the device for wave-absorbing and heat-dissipating.

[0311] Comparative example 11

[0312] Comparative example 11 was carried out with reference to embodiment 13. The solidifying agent sprayed on the surface of the wave-absorbing layer in the preparation of the device for wave-absorbing and heat-dissipating in comparative example 11 is different from that in embodiment 13. The solidifying agent in comparative example 11 was a mixture of phenolic resin, amino resin, and water in a mass ratio of 1.5: 2: 1.5.

[0313] Comparative example 12

[0314] Comparative example 12 was carried out with reference to embodiment 13, with the difference that the solidifying agent (solidifying agent sprayed on the surface of the wave-absorbing layer) in the preparation process of the device for wave-absorbing and heat-dissipating. The solidifying agent in comparative example 12 was a mixture of phenolic resin, amino resin and water in a mass ratio of 2: 2: 1.

[0315] Embodiment 17

[0316] Embodiment 17 was carried out with reference to embodiment 16, with the difference that the outer surface of the main body was coated with a mixture of heat-dissipating material, aluminum nitride, and solidifying agent.

[0317] Embodiment 18

[0318] Embodiment 18 was carried out with reference to embodiment 13. The process of preparing the device for wave-absorbing and heat-dissipating in embodiment 18 is different from that in embodiment 13.

[0319] In embodiment 18, the preparation process of the device for wave-absorbing and heat-dissipating included the following operations. The wave-absorbing material and the heat-dissipating material were added to water to form a gel. A mass ratio of the wave-absorbing material to the heat-dissipating material was 3: 1. Next, a solidifying agent was added to the gel, and the solidifying agent was a mixture of phenolic resin and water with a mass ratio of 1: 1. The wave-absorbing material and the heat-dissipating material were stirred with the solidifying agent to obtain the third mixture. The mold for the wave-absorbing layer was fixed, and the third mixture was added into the mold for the wave-absorbing layer. The third mixture i solidified in the mold to form the wave-absorbing layer. A solidifying agent (composed of phenolic resin, amino resin, and water in a mass ratio of 1: 1: 0.5) was sprayed on the surface of the wave-absorbing layer. Next, metal heat-dissipating material was added to the mold for the heat-dissipating layer. The surface of the wave-absorbing layer, sprayed with the solidifying agent, was aligned with the opening of the mold for the heat-dissipating layer, allowing the metal heat-dissipating material in the mold to be in contact with the solidifying agent. The metal heat-dissipating material solidified in the mold to form the first heat-dissipating body. Finally, a mixture of wave-absorbing material and solidifying agent (e.g., a mixture of phenolic resin and water with a mass ratio of 1: 1) was applied to the outer surface of the heat-dissipating body and cured to form the first wave-absorbing coating, resulting in the device for wave-absorbing and heat-dissipating. The heat-dissipating layer prepared in embodiment 18 included a first heat-dissipating body and a first wave-absorbing coating.

[0320] Embodiment 19

[0321] Embodiment 19 was carried out with reference to embodiment 13, with the difference in the mass ratio of the wave-absorbing material to the heat-dissipating material in the third mixture, and the mass ratio of the wave-absorbing material to the heat-dissipating material in the fourth mixture.

[0322] In embodiment 19, the mass ratio of the wave-absorbing material to the heat-dissipating material in the third mixture was 5: 1, and the mass ratio of the wave-absorbing material to the heat-dissipating material in the fourth mixture was 1: 5.

[0323] Comparative example 13

[0324] Comparative example 13 was carried out with reference to embodiment 13, with the difference in the mass ratio of the wave-absorbing material to the heat-dissipating material in the third mixture, and the mass ratio of the wave-absorbing material to the heat-dissipating material in the fourth mixture.

[0325] In comparative example 13, the mass ratio of the wave-absorbing material to the heat-dissipating material in the third mixture was 2: 1, and the mass ratio of the wave-absorbing material to the heat-dissipating material in the fourth mixture was 1: 2.

[0326] Comparative example 14

[0327] The comparative example 14 was carried out with reference to embodiment 13, with the difference in the mass ratio of the wave-absorbing material to the heat-dissipating material in the third mixture, and the mass ratio of the wave-absorbing material to the heat-dissipating material in the fourth mixture.

[0328] In comparative example 14, the mass ratio of the wave-absorbing material to the heat-dissipating material in the third mixture was 6: 1, and the mass ratio of the wave-absorbing material to the heat-dissipating material in the fourth mixture was 1: 6.

[0329] Embodiment 20

[0330] Embodiment 20 was carried out with reference to embodiment 13, with the difference in the preparation process of the wave-absorbing material. The process of preparing the wave-absorbing material of embodiment 20 is the same as that of embodiment 1.

[0331] The shielding performance (wave-absorbing performance) of the device for wave-absorbing and heat-dissipating of embodiment 20 has an insertion loss of 18 dB to 25 dB at 30 Mhz-18 Ghz as shown in FIG. 19.

[0332] Embodiment 21

[0333] Embodiment 21 was carried out with reference to embodiment 13, with the difference in the preparation process of the wave-absorbing material. The process of preparing the wave-absorbing material of embodiment 20 is the same as that of embodiment 2.

[0334] Embodiment 22

[0335] Embodiment 22 was carried out with reference to embodiment 13, with the difference in the preparation process of the wave-absorbing material. The process of preparing the wave-absorbing material of embodiment 22 is the same as that of embodiment 3.

[0336] Embodiment 23

[0337] Embodiment 23 was carried out with reference to embodiment 13, with the difference in the preparation process of the wave-absorbing material. The process of preparing the wave-absorbing material of embodiment 23 is the same as that of embodiment 9.

[0338] Embodiment 24

[0339] Embodiment 24 was carried out with reference to embodiment 13, with the difference in the preparation process of the wave-absorbing material. The preparation process of the wave-absorbing material of embodiment 24 is the same as that of embodiment 10.

[0340] Comparative example 15

[0341] Comparative example 15 was carried out with reference to embodiment 20, with the difference in the mass ratio between the expansive agent and the titanium silicon carbide with a laminated structure. In comparative example 17, the mass ratio between the expansive agent and the titanium silicon carbide with a laminated structure was 1: 4.

[0342] Comparative example 16

[0343] Comparative example 16 was carried out with reference to embodiment 20, with the difference in the mass ratio between the expansive agent and the titanium silicon carbide with a laminated structure. In comparative example 16, the mass ratio between the expansive agent and the titanium silicon carbide with a laminated structure was 2: 1.

[0344] Comparative example 17

[0345] Comparative example 17 was performed with reference to embodiment 20, with the difference in the heating rate during the expanding process.

[0346] For comparative example 17, the heating rate during the expanding process was 1℃ / min.

[0347] Comparative example 18

[0348] Comparative example 18 was carried out with reference to embodiment 20, with the difference in the heating rate during the expanding process.

[0349] In comparative example 18, the heating rate during the expanding process was 15℃ / min.

[0350] Comparative example 19

[0351] Comparative example 19 was carried out with reference to embodiment 20, with the difference in the parameters of the expanding process during the preparation of the wave-absorbing material.

[0352] In comparative example 19, the solid mixture of the titanium silicon carbide with a laminated structure and sodium bicarbonate was gradually increased from room temperature to 150℃, with the controlled heating rate in temperature being 5℃ / minute. The temperature was held at 85℃ for 30 minutes, and 1 h at 130 ℃, respectively. The excess sodium salt was removed by filtration after cooling, and the wave-absorbing material was finally obtained.

[0353] Comparative example 20

[0354] Comparative example 20 was carried out with reference to embodiment 20, with the difference in the parameters of the expanding process during the preparation of the wave-absorbing material.

[0355] In comparative example 20, the solid mixture of the titanium silicon carbide with a laminated structure and sodium bicarbonate was gradually increased from room temperature to 180℃, with the controlled heating rate in temperature being 5℃ / minute. The temperature was held at 110℃ for 30 minutes, and at 180 ℃ for 1h, respectively. The excess sodium salt was removed by filtration after cooling, and the wave-absorbing material was finally obtained.

[0356] Methods of performance characterization

[0357] (1) Referring to GB / T32596, an insertion loss test was performed to test the absorption bandwidth and insertion loss.

[0358] (2) Referring to GB / T10294, a thermal conductivity test was performed to test the thermal conductivity.

[0359] (3) Referring to IEC60068-2-52, a material aging test such as a salt spray test was performed to test the degree of corrosion of the material surface. Table 2 Table of test results for embodiments 13-24 and comparative examples 10-24

[0360] Referring to the test results of embodiment 13 and the comparative example 10 in Table 2, it can be seen that by mixing wave-absorbing material and heat-dissipating material to prepare wave-absorbing layer and heat-dissipating layer, as well as by setting up different mass ratios of the wave-absorbing material and the heat-dissipating material for the wave-absorbing layer and the heat-dissipating layer, it is possible to comprehensively improve the wave-absorbing and heat-dissipating performances of the device for wave absorbing and heat dissipating. Compared with embodiment 13, the wave-absorbing layer or the heat-dissipating layer in comparative example 8 has only one type of material, and the overall effect of wave-absorbing and heat-dissipating of the device for wave absorbing and heat dissipating prepared in comparative example 10 is not as good as that in embodiment 13.

[0361] As can be seen from the test results of embodiment 13 and comparative examples 9-10, the first mass ratio is greater than the second mass ratio, i.e., the mass ratio of the first wave-absorbing material and the first heat-dissipating material in the wave-absorbing layer is greater than the mass ratio of the second wave-absorbing material and the second heat-dissipating material in the heat-dissipating layer. This comprehensively improves the wave-absorbing and heat-dissipating performances of the device for wave-absorbing and heat-dissipating.

[0362] As can be seen from the test results of embodiments 13-15 and comparative examples 11-12, the device for wave-absorbing and heat-dissipating has better wave-absorbing performance and heat-dissipating performance when the mass ratio of solidifying agent is phenolic resin: amino resin: water = (0.8-1.1) : (0.9-1.3) : (0.4-1) .

[0363] As can be seen from the test results of embodiments 13-15, when the mass ratio of solidifying agent is phenolic resin: amino resin: water = 1: 1: 0.5 (corresponding to embodiment 14) , the device for wave-absorbing and heat-dissipating has the best wave-absorbing performance and heat-dissipating performance, the degree of adhesion between the wave-absorbing material and the heat-dissipating material, and the corrosion resistance of the device for wave-absorbing and heat-dissipating is the best.

[0364] As can be seen from the test results of embodiment 13, embodiment 19, and the comparative examples 13-14, the device for wave-absorbing and heat-dissipating has a better wave-absorbing performance and heat-dissipating performance when the first mass ratio is 3: 1-5: 1 and the second mass ratio is 1: 5-1: 3.

[0365] From the test results of embodiment 13 and embodiments 20-24, it can be seen that the device for wave-absorbing and heat-dissipating prepared using wave-absorbing material with a laminated structure and a pore structure (corresponding to examples 20-24) has a better wave-absorbing performance and heat-dissipating performance.

[0366] As can be seen from the test results of embodiments 20-22 and comparative examples 11-12, in the stage of the expansion reduction of the titanium silicon carbide with a laminated structure, when the solid mixture of the titanium silicon carbide with a laminated structure and sodium bicarbonate was heated up to 95 ℃-105 ℃ and held for 0.3h-1h, followed by heating to 145 ℃-155 ℃ and held for 0.5h-1.5h, the device for wave-absorbing and heat-dissipating prepared using the resultant titanium silicon carbide with a laminated structure and a pore structure has better wave-absorbing performance and heat-dissipating performance.

[0367] As can be seen from the test results of embodiments 20-22, among embodiments 20-22, in the expansion reduction stage of the titanium silicon carbide with a laminated structure, when the solid mixture of the titanium silicon carbide with a laminated structure and sodium bicarbonate was heated up to 100℃ and the temperature was held for 0.5 hours, and then the temperature was raised to 150℃ and held for 1 hour (corresponding to embodiment 20) , the wave-absorbing performance and heat-dissipating performance of the device for wave-absorbing and heat-dissipating prepared using the resultant titanium silicon carbide with a laminated structure and a pore structure were optimized.

[0368] As can be seen from the test results in embodiment 20 and the comparative examples 15-16, when the mass ratio between the expansive agent and the titanium silicon carbide with a laminated structure is 1: 1.5-1: 3, the device for wave-absorbing and heat-dissipating prepared using the resultant titanium silicon carbide with a laminated structure and a pore structure has better wave-absorbing performance and heat-dissipating performance. When the mass ratio between the expansive agent and the titanium silicon carbide with a laminated structure is 1: 2, the device for wave-absorbing and heat-dissipating prepared using the resultant titanium silicon carbide with a laminated structure and a pore structure has the best wave-absorbing and heat-dissipating properties.

[0369] As can be seen from the results of the tests in embodiment 20 and comparative examples 18-19, when the heating rate during the expanding process is greater than 2℃ / min and less than 10℃ / min, the device for wave-absorbing and heat-dissipating prepared using the resultant titanium silicon carbide with a laminated structure and a pore structure has a better wave-absorbing performance and heat-dissipating performance. When the heating rate during the expanding process is 5℃ / min, the device for wave-absorbing and heat-dissipating prepared using the resultant titanium silicon carbide with a laminated structure and a pore structure has the best wave-absorbing and heat-dissipating properties.

[0370] The foregoing is only an embodiment of the present disclosure, and is not intended to limit the scope of the patent of the present disclosure, and any equivalent structure or equivalent process transformations utilizing the contents of the specification of the present disclosure and the accompanying drawings, or applying them directly or indirectly in other related fields of technology, are all All the equivalent structure or equivalent process transformations utilizing the contents of this application and the accompanying drawings, or directly or indirectly applied in other related technical fields, are included in the scope of patent protection of this application.

[0371] Beneficial effects that may be brought about by the embodiments of the present disclosure include the followings. (1) By controlling the expansion reduction temperature and reaction time, the wave-absorbing material may form a laminated ordered pore structure, which significantly improves the wave-absorbing performance and heat-dissipating performance of the wave-absorbing material. (2) By modifying the wave-absorbing material with polydopamine, not only the wave-absorbing performance is improved, but also the performance of the wave-absorbing material by hot-pressing is effectively reduced. In addition, the filling the polydopamine-modified titanium silicon carbide with paraffin particles significantly improves the heat-dissipating performance of the material. (3) By mixing the wave-absorbing material and the heat-dissipating material in the wave-absorbing layer and the heat-dissipating layer of the device for wave-absorbing and heat-dissipating and by designing different mass ratios of the wave-absorbing material and heat-dissipating material for the wave-absorbing layer and the heat-dissipating layer (e.g., the first mass ratio is larger than the second mass ratio) , the wave-absorbing and heat-dissipating performance of the device for wave-absorbing and heat-dissipating is guaranteed at the same time. The performance of the device for wave-absorbing and heat-dissipating provided in the present disclosure is better than that of a device for wave-absorbing and heat-dissipating in which the wave-absorbing layer and / or the heat-dissipating layer is prepared using only a single material, and the performance of wave-absorbing and heat-dissipating is comprehensively guaranteed to achieve a better overall effect. (4) By optimizing the mass ratio of the components in the solidifying agent, it is found that when the mass ratio is phenolic resin: amino resin: water=1: 1: 0.5 in the solidifying agent, the wave-absorbing and heat-dissipating performance, the degree of adhesion between the wave-absorbing material and the heat-dissipating material, and the corrosion resistance of the device for wave-absorbing and heat-dissipating is the best. (5) In the expansion reduction stage of the titanium silicon carbide with a laminated structure, by controlling the temperature and time of the expanding process, the mass ratio of expansive agent to the titanium silicon carbide with a laminated structure, and the heating rate, the titanium silicon carbide with a laminated structure and a pore structure, and with better wave-absorbing and heat-dissipating properties can be obtained.

[0372] It should be noted that the above descriptions are merely provided for the purposes of illustration, and not intended to limit the scope of the present disclosure. For persons having ordinary skills in the art, multiple variations and modifications may be made under the teachings of the present disclosure. However, those variations and modifications do not depart from the scope of the present disclosure.

[0373] Having thus described the basic concepts, it may be rather apparent to those skilled in the art after reading this detailed disclosure that the foregoing detailed disclosure is intended to be presented by way of example only and is not limiting. Various alterations, improvements, and modifications may occur and are intended to those skilled in the art, though not expressly stated herein. These alterations, improvements, and modifications are intended to be suggested by this disclosure, and are within the spirit and scope of the exemplary embodiments of this disclosure.

[0374] Moreover, certain terminology has been used to describe embodiments of the present disclosure. For example, the terms “one embodiment, ” “an embodiment, ” and / or “some embodiments” mean that a particular feature, structure, or characteristic described in connection with the embodiment is included in at least one embodiment of the present disclosure. Therefore, it is emphasized and should be appreciated that two or more references to “an embodiment” or “one embodiment” or “an alternative embodiment” in various portions of this specification are not necessarily all referring to the same embodiment. Furthermore, the particular features, structures, or characteristics may be combined as suitable in one or more embodiments of the present disclosure.

[0375] Further, it will be appreciated by one skilled in the art, aspects of the present disclosure may be illustrated and described herein in any of a number of patentable classes or context including any new and useful process, machine, manufacture, or collocation of matter, or any new and useful improvement thereof. Accordingly, aspects of the present disclosure may be implemented entirely hardware, entirely software (including firmware, resident software, micro-code, etc. ) or combining software and hardware implementation that may all generally be referred to herein as a “unit, ” “module, ” or “system. ” Furthermore, aspects of the present disclosure may take the form of a computer program product embodied in one or more computer readable media having computer-readable program code embodied thereon.

[0376] Similarly, it should be appreciated that in the foregoing description of embodiments of the present disclosure, various features are sometimes grouped together in a single embodiment, figure, or description thereof for the purpose of streamlining the disclosure aiding in the understanding of one or more of the various embodiments. This method of disclosure, however, is not to be interpreted as reflecting an intention that the claimed subject matter requires more features than are expressly recited in each claim. Rather, claimed subject matter may lie in less than all features of a single foregoing disclosed embodiment.

[0377] In some embodiments, numbers describing the number of ingredients and attributes are used. It should be understood that such numbers used for the description of the embodiments use the modifier "about" , "approximately" , or "substantially" in some examples. Unless otherwise stated, "about" , "approximately" , or "substantially" indicates that the number is allowed to vary by ±20%. Correspondingly, in some embodiments, the numerical parameters used in the description and claims are approximate values, and the approximate values may be changed according to the required characteristics of individual embodiments. In some embodiments, the numerical parameters should consider the prescribed effective digits and adopt the method of general digit retention. Although the numerical ranges and parameters used to confirm the breadth of the range in some embodiments of the present disclosure are approximate values, in specific embodiments, settings of such numerical values are as accurate as possible within a feasible range.

[0378] For each patent, patent application, patent application publication, or other materials cited in the present disclosure, such as articles, books, specifications, publications, documents, or the like, the entire contents of which are hereby incorporated into the present disclosure as a reference. The application history documents that are inconsistent or conflict with the content of the present disclosure are excluded, and the documents that restrict the broadest scope of the claims of the present disclosure (currently or later attached to the present disclosure) are also excluded. It should be noted that if there is any inconsistency or conflict between the description, definition, and / or use of terms in the auxiliary materials of the present disclosure and the content of the present disclosure, the description, definition, and / or use of terms in the present disclosure is subject to the present disclosure.

[0379] Finally, it should be understood that the embodiments described in the present disclosure are only used to illustrate the principles of the embodiments of the present disclosure. Other variations may also fall within the scope of the present disclosure. Therefore, as an example and not a limitation, alternative configurations of the embodiments of the present disclosure may be regarded as consistent with the teaching of the present disclosure. Accordingly, the embodiments of the present disclosure are not limited to the embodiments introduced and described in the present disclosure explicitly.

Claims

1.A wave-absorbing material, comprising titanium silicon carbide with a laminated structure and a pore structure, wherein the pore structure is formed by channels between adjacent layers in the laminated structure.2.The wave-absorbing material according to claim 1, wherein the pore structure is ellipsoid-like, a long axis of the ellipsoid-like pore structure is 200nm-400nm, and a short axis of the ellipsoid-like pore structure is 130nm-210nm.3.The wave-absorbing material according to claim 1 or 2, wherein the titanium silicon carbide is covalently bonded at a junction in the pore structure.4.The wave-absorbing material according to any one of claims 1 to 3, wherein the titanium silicon carbide comprises a polydopamine-modified titanium silicon carbide.5.The wave-absorbing material according to any one of claims 1 to 4, wherein paraffin particles are included between adjacent layers of the laminated structure of the titanium silicon carbide, and particle sizes of the paraffin particles are 100nm-300nm.6.A method for preparing a wave-absorbing material, comprising:providing a raw material of titanium silicon carbide;obtaining titanium silicon carbide with a laminated structure by etching the raw material of titanium silicon carbide ;obtaining a first mixture by mixing the titanium silicon carbide with the laminated structure with an expanding agent; andobtaining titanium silicon carbide with the laminated structure and a pore structure by placing the first mixture in a reducing atmosphere, heating the first mixture to 95℃-105℃ and holding for 0.3h-1h, and then heating the first mixture to 145℃-155℃ and holding for 0.5h-1.5h.7.The method according to claim 6, wherein the obtaining titanium silicon carbide with a laminated structure by etching the raw material of titanium silicon carbide comprises:obtaining a second mixture by mixing the raw material of titanium silicon carbide with halide salt;placing the second mixture in a salt bed of the halide salt;heating, in a vacuum, the salt bed and the second mixture at a heating rate of 150℃ / h-200℃ / h to 1150℃-1200℃ and holding for 2h-4h;cooling the salt bed to 590℃-610℃;adding an etching agent to the second mixture and reacting for 10min-1 h; andobtaining the titanium silicon carbide with the laminated structure by cooling the salt bed to room temperature.8.The method according to claim 6 or 7, wherein a mass ratio of the expanding agent to the titanium silicon carbide with the laminated structure is 1: 1.5-1: 3.9.The method according to any one of claims 6 to 8, wherein during the operations of heating the first mixture to 95℃-105℃ and heating the first mixture to 145℃-155℃, a heating rate is in the range of greater than 2℃ / min and less than 10℃ / min.10.The method according to any one of claims 6 to 9, further comprising:obtaining a polydopamine-modified titanium silicon carbide by modifying, based on polydopamine, a structure of the titanium silicon carbide with the laminated structure and the pore structure.11.The method according to any one of claims 6 to 10, further comprising:obtaining titanium silicon carbide filled with paraffin particles by adding paraffin particles between adjacent layers in the laminated structure of titanium silicon carbide, followed by hot-press compaction.12.The method according to claim 11, wherein the obtaining titanium silicon carbide filled with paraffin particles by adding paraffin particles between adjacent layers in the laminated structure of titanium silicon carbide comprises:heating the paraffin particles to a gel-like state; andmixing the gel-like paraffin particles with the titanium silicon carbide with the laminated structure and the pore structure.13.The method according to any one of claims 6 to 12, wherein the expanding agent comprises sodium bicarbonate, and the obtaining a first mixture by mixing the titanium silicon carbide with the laminated structure with an expanding agent comprises:preparing a colloidal dispersion by dispersing the titanium silicon carbide with the laminated structure in a solvent;adding the sodium bicarbonate to the colloidal dispersion; andobtaining the first mixture by stirring and drying the colloidal dispersion including the sodium bicarbonate.14.A device for wave absorbing and heat dissipating, comprising:a wave-absorbing layer, wherein a preparation raw material of the wave-absorbing layer comprises a first wave-absorbing material and a first heat-dissipating material, and a first mass ratio of the first wave-absorbing material to the first heat-dissipating material in the wave-absorbing layer is greater than 1;a heat-dissipating layer adjacent to the wave-absorbing layer, wherein a preparation raw material of the heat-dissipating layer comprises a second wave-absorbing material and a second heat-dissipating material, and a second mass ratio of the second wave-absorbing material to the second heat-dissipating material in the heat-dissipating layer is less than 1.15.The device according to claim 14, wherein the first mass ratio is 3: 1 to 5: 1.16.The device according to any one of claims 14 to 15, wherein the second mass ratio is 1: 5 to 1: 3.17.The device according to any one of claims 14 to 16, wherein the preparation raw materials of the wave-absorbing layer and the heat-dissipating layer further comprise a solidifying agent, wherein the solidifying agent is a mixture of phenolic resin, amino resin, and water in a mass ratio of (0.8-1.1) : (0.9-1.3) : (0.4-1) .18.The device according to any one of claims 14 to 17, wherein a contact area between the wave-absorbing layer and a heat-generating device in the device for wave absorbing and heat dissipating or between the wave-absorbing layer and an electromagnetic wave emitting device in the device for wave absorbing and heat dissipating is greater than a projection area of the heat-dissipating layer on a surface of the heat-generating device or electromagnetic wave emitting device.19.The device according to any one of claims 14 to 18, wherein a surface area of the heat-dissipating layer is greater than a surface area of the wave-absorbing layer.20.The device according to any one of claims 14 to 20, wherein the first wave-absorbing material and / or the second wave-absorbing material comprise titanium silicon carbide with a laminated structure and a pore structure.21.The device according to claim 20, wherein the pore structure is ellipsoid-like, the long axis of the ellipsoid-like pore structure is 200nm-400nm, and the short axis of the ellipsoid-like pore structure is 130nm-210nm.22.The device according to claim 20 or 21, wherein the titanium silicon carbide is covalently bonded at a junction in the pore structure.23.The device according to any one of claims 20 to 22, wherein the titanium silicon carbide comprises polydopamine-modified titanium silicon carbide.24.The device according to any one of claims 20 to 23, wherein paraffin particles are included between adjacent layers of the titanium silicon carbide, and particle size of the paraffin particles is 100nm-300nm.25.The device according to any one of claims 14-24, wherein the first heat-dissipating material and / or the second heat-dissipating material comprise at least one of a first filler or a second filler, the first filler comprising 15 wt%-20 wt%vinyl silicone oil, 0.5 wt%-1.9 wt%hydrogen-containing silicone oil, 0.01 wt%-0.55 wt%catalyst, 0.2 wt%-0.51 wt%inhibitor, and 50 wt%-80 wt%thermally conductive powder, and the second filler comprising a metal heat-dissipating material.26.The device according to claims 14-25, comprising a main body and a heat-dissipating coating covering an outer surface of the main body, the main body comprising the wave-absorbing layer and the heat-dissipating layer.27.The device according to claim 26, wherein the heat-dissipating coating is formed by curing a mixed solution of the first heat-dissipating material, the second heat-dissipating material, aluminum nitride, and a solidifying agent.28.A method for preparing a device for wave absorbing and heat dissipating, comprising:providing a third mixture, the third mixture including a first heat-dissipating material and a first wave-absorbing material, wherein a first mass ratio of the first wave-absorbing material to the first heat-dissipating material is greater than 1;preparing a wave-absorbing layer based on the third mixture; andobtaining the device for wave absorbing and heat dissipating by preparing a heat-dissipating layer on the wave-absorbing layer, wherein a second mass ratio of the second wave-absorbing material to the second heat-dissipating material in the heat-dissipating layer is less than 1.29.The method according to claim 28, wherein the obtaining the device by preparing a heat-dissipating layer on the wave-absorbing layer includes:spraying a solidifying agent on the wave-absorbing layer; andpreparing the heat-dissipating layer on a surface of the wave-absorbing layer sprayed with the solidifying agent.30.The method according to claim 28 or 29, wherein the obtaining the device by preparing a heat-dissipating layer on the wave-absorbing layer includes:preparing a fourth mixture, the fourth mixture including the second heat-dissipating material and the second wave-absorbing material; andpreparing the heat-dissipating layer on the wave-absorbing layer using the fourth mixture.31.The method according to claims 14-30, wherein the first wave-absorbing material and / or the second wave-absorbing material comprises titanium silicon carbide, and the titanium silicon carbide is prepared by:providing a raw material of titanium silicon carbide;obtaining titanium silicon carbide with a laminated structure by etching the raw material of titanium silicon carbide;obtaining a first mixture by mixing the titanium silicon carbide with the laminated structure with an expanding agent; andobtaining titanium silicon carbide with the laminated structure and a pore structure by placing the first mixture in a reducing atmosphere, heating the first mixture to 95℃-105℃ and holding for 0.3h-1 h, and then heating the first mixture to 145℃-155℃ and holding for 0.5h-1.5h.32.The method according to claim 31, wherein the obtaining titanium silicon carbide with a laminated structure by etching the raw material of titanium silicon carbide comprises:obtaining a second mixture by mixing the raw material of titanium silicon carbide with halide salt;placing the second mixture in a salt bed of the halide salt;heating, in a vacuum, the salt bed and the second mixture raw material at a heating rate of 150℃ / h-200℃ / h to 1150℃-1200℃ and holding for 2h-4h;cooling the salt bed to 590℃-610℃, adding an etching agent, and reacting for 10min-1 h; andcooling the salt bed to room temperature to obtain the titanium silicon carbide with a laminated structure.33.The method according to claim 31 or 32, wherein a mass ratio of the expanding agent to the titanium silicon carbide with the laminated structure is 1: 1.5-1: 3.34.The method according to any one of claims 31-33, wherein during the operations of heating the first mixture to 95℃-105℃ and heating the first mixture to 145℃-155℃, a heating rate is greater than 2℃ / min and less than 10℃ / min.35.The method according to any one of claims 31-34, wherein the titanium silicon carbide is prepared by:obtaining a polydopamine-modified titanium silicon carbide by modifying, based on polydopamine, a structure of the titanium silicon carbide with the laminated structure and the pore structure.36.The method according to any one of claims 31-35, wherein the titanium silicon carbide is prepared by:obtaining titanium silicon carbide filled with paraffin particles by adding paraffin particles between adjacent layers in the laminated structure of titanium silicon carbide, followed by hot-press compaction.37.The method according to claim 36, wherein the obtaining titanium silicon carbide filled with paraffin particles by adding paraffin particles between adjacent layers in the laminated structure of titanium silicon carbide comprises:heating the paraffin particles to a gel state; andmixing the gel-like paraffin particles with the titanium silicon carbide with the laminated structure and the pore structure .38.The method according to any one of claims 31-37, wherein the expanding agent comprises sodium bicarbonate, and the obtaining a first mixture by mixing the titanium silicon carbide with the laminated structure with an expanding agent comprises:preparing a colloidal dispersion by dispersing the titanium silicon carbide with the laminated structure in a solvent;adding the sodium bicarbonate to the colloidal dispersion; andobtaining the first mixture by stirring and drying the colloidal dispersion including the sodium bicarbonate.39.An electronic device, comprising the device for wave absorbing and heat dissipating according to any one of claims 14-38.

Images