1results about How to "Good high pressure" patented technology

本发明涉及JFET芯片技术领域，公开一种耐高压的碳化硅JFET芯片及其制备方法，包括：基底底层有N型重掺杂区，N型重掺杂区下表面有漏极电极，N型重掺杂区上表面有N型缓冲区，N型缓冲区上表面有N型阱区，N型阱区上有第一P型浅掺杂区、栅极P型浅掺杂区和第二P型浅掺杂区，这三者之间均存在间隙，栅极P型浅掺杂区上表面有P型重掺杂区，在第一P型浅掺杂区和第二P型浅掺杂区的上表面均有绝缘层，N型阱区上表面有N型源极区，N型源极区上表面有源极缓冲区，源极缓冲区上表面有源极电极，P型重掺杂区上表面有栅极缓冲区，栅极缓冲区上表面有栅极电极，源极缓冲区和栅极缓冲区之间有绝缘层。该JFET芯片实现耐高压等效果。